模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)

前言

　　為了更好地適應(yīng)當前我國高等教育跨越式發(fā)展需要，滿足我國高校從精英教育向大眾化教育的重大轉(zhuǎn)移階段中社會對高校應(yīng)用型人才培養(yǎng)的各類要求，探索和建立我國高等學校應(yīng)用型人才培養(yǎng)體系，全國高等學校教學研究中心（以下簡稱“教研中心”）在承擔全國教育科學“十五”國家規(guī)劃課題——“21世紀中國高等教育人才培養(yǎng)體系的創(chuàng)新與實踐”研究工作的基礎(chǔ)上，組織全國100余所以培養(yǎng)應(yīng)用型人才為主的高等院校，進行其子項目課題——“21世紀中國高等學校應(yīng)用型人才培養(yǎng)體系的創(chuàng)新與實踐”的研究與探索，在高等院校應(yīng)用型人才培養(yǎng)的教學內(nèi)容、課程體系研究等方面取得了標志性成果，并在高等教育出版社的支持和配合下，推出了一批適應(yīng)應(yīng)用型人才培養(yǎng)需要的立體化教材，冠以“教育科學‘十五’國家規(guī)劃課題研究成果”。　　2002年11月，教研中心在南京工程學院組織召開了“21世紀中國高等學校應(yīng)用型人才培養(yǎng)體系的創(chuàng)新與實踐”課題立項研討會。會議確定由教研中心組織國家級課題立項，為參加立項研究的高等院校搭建高起點的研究平臺，整體設(shè)計立項研究計劃，明確目標。課題立項采用整體規(guī)劃、分步實施、滾動立項的方式，分期分批啟動立項研究計劃。為了確保課題立項目標的實現(xiàn)，組建了“2l世紀中國高等學校應(yīng)用型人才培養(yǎng)體系的創(chuàng)新與實踐”課題領(lǐng)導小組（亦為高校應(yīng)用型人才立體化教材建設(shè)領(lǐng)導小組）。會后，教研中心組織了首批課題立項申報，有63所高校申報了近450項課題。2003年1月，在黑龍江工程學院進行了項目評審，經(jīng)過課題領(lǐng)導小組嚴格的把關(guān)，確定了首批9項子課題的牽頭學校、主持學校和參加學校。2003年3月至4月，各子課題相繼召開了工作會議，交流了各校教學改革的情況和面臨的具體問題，確定了項目分工，并全面開始研究工作。計劃先集中力量，用兩年時間形成一批有關(guān)人才培養(yǎng)模式、培養(yǎng)目標、教學內(nèi)容和課程體系等理論研究成果報告和在研究報告基礎(chǔ)上同步組織建設(shè)的反映應(yīng)用型人才培養(yǎng)特色的立體化系列教材?！　∨c過去立項研究不同的是，“21世紀中國高等學校應(yīng)用型人才培養(yǎng)體系的創(chuàng)新與實踐”課題研究在審視、選擇、消化與吸收多年來已有應(yīng)用型人才培養(yǎng)探索與實踐成果基礎(chǔ)上，緊密結(jié)合經(jīng)濟全球化時代高校應(yīng)用型人才培養(yǎng)工作的實際需要，努力實踐，大膽創(chuàng)新，采取邊研究、邊探索、邊實踐的方式，推進高校應(yīng)用型本科人才培養(yǎng)工作，突出重點目標，并不斷取得標志性的階段成果。

內(nèi)容概要

　　《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》是教育科學“十五”國家級規(guī)劃課題研究成果，為滿足高等學校應(yīng)用型人才培養(yǎng)需要而編寫?！赌M電子技術(shù)基礎(chǔ)》由半導體二極管及其電路分析、半導體三極管及其電路分析、放大電路基礎(chǔ)。負反饋放大電路、放大電路的頻率響應(yīng)、模擬集成放大器的線性應(yīng)用、集成模擬乘法器及其應(yīng)用、信號發(fā)生電路、直流穩(wěn)壓電源等九章和若干附錄組成。 《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》重點突出，強調(diào)應(yīng)用，加強基本概念、基本理論的分析，加強集成電路應(yīng)用技術(shù)的討論，注意將理論講授、課堂討論、自學、作業(yè)等教學環(huán)節(jié)有機結(jié)合，以充分調(diào)動學生學習的積極性和主動性。書中每節(jié)后都有討論題，每章后有小結(jié)和習題。 《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》可作為高等學校電氣信息和電子信息類各專業(yè)“模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)”、“線性電子線路”等課程的教材和教學參考書，也可作為有關(guān)工程技術(shù)人員的參考書。

書籍目錄

第1章 半導體二極管及其電路分析1.1 半導體的基礎(chǔ)知識1.1.1 本征半導體1.1.2 雜質(zhì)半導體1.1.3 PN結(jié)及其單向?qū)щ娦杂懻擃}1.2 半導體二極管及其特性1.2.1 二極管的結(jié)構(gòu)與類型1.2.2 二極管的伏安特性1.2.3 二極管的主要參數(shù)討論題1.3 二極管基本應(yīng)用電路及其分析方法1.3.1 二極管的理想模型和恒壓降模型1.3.2 圖解分析法和小信號模型分析法討論題1.4 特殊二極管1.4.1 穩(wěn)壓二極管1.4.2 發(fā)光二極管和光電二極管1.4.3 變?nèi)荻O管1.4.4 肖特基二極管討論題本章小結(jié)習題附錄二 極管使用常識第2章 半導體三極管及其電路分析2.1 雙極型半導體三極管2.1.1 三極管的結(jié)構(gòu)2.1.2 三極管的工作原理2.1.3 三極管的伏安特性2.1.4 三極管的主要參數(shù)討論題2.2 三極管基本應(yīng)用電路及其分析方法2.2.1 三極管直流電路的分析2.2.2 三極管放大電路及其分析方法2.2.3 三極管開關(guān)電路討論題2.3 單極型半導體三極管及其電路分析2.3.1 MOS場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)、工作原理及伏安特性2.3.2 結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)、工作原理及伏安特性2.3.3 場效應(yīng)管的主要參數(shù)2.3.4 場效應(yīng)管基本應(yīng)用電路及其分析方法討論題本章小結(jié)習題附錄三 極管使用常識第3章 放大電路基礎(chǔ)3.1 放大電路的基本知識3.1.1 放大電路的組成3.1.2 放大電路的主要性能指標討論題3.2 三種基本組態(tài)放大電路3.2.1 共發(fā)射極放大電路3.2.2 共集電極放大電路3.2.3 共基極放大電路3.2.4 場效應(yīng)管放大電路討論題3.3 差分放大電路3.3.1 差分放大電路的工作原理3.3.2 電流源與具有電流源的差分放大電路3.3.3 差分放大電路的輸入、輸出方式討論題3.4 互補對稱功率放大電路3.4.1 放大電路的工作狀態(tài)3.4.2 乙類雙電源互補對稱功率放大電路3.4.3 甲乙類互補對稱功率放大電路3.4.4 單電源互補對稱功率放大電路討論題3.5 多級放大電路3.5.1 多級放大電路的組成及耦合方式3.5.2 多級放大電路性能指標的估算3.5.3 集成運算放大器及其基本應(yīng)用電路討論題本章小結(jié)習題第4章 負反饋放大電路4.1 負反饋放大電路的組成及基本類型4.1.1 反饋放大電路的組成及基本關(guān)系式4.1.2 負反饋放大電路的基本類型4.1.3 負反饋放大電路的分析討論題4.2 負反饋對放大電路性能的影響4.2.1 提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性4.2.2 擴展通頻帶4.2.3 減小非線性失真4.2.4 改變輸入電阻和輸出電阻討論題4.3 負反饋放大電路應(yīng)用中的幾個問題4.3.1 放大電路引入負反饋的一般原則4.3.2 深度負反饋放大電路的特點及性能估算4.3.3 負反饋放大電路的穩(wěn)定性討論題本章小結(jié)習題第5章 放大電路的頻率響應(yīng)5.1 簡單RC低通和高通電路的頻率響應(yīng)5.1.1 RC低通電路的頻率響應(yīng)5.1.2 RC高通電路的頻率響應(yīng)討論題5.2 三極管放大電路的頻率響應(yīng)5.2.1 半導體三極管的高頻特性5.2.2 單管共發(fā)射極放大電路的頻率響應(yīng)5.2.3 多級放大電路的頻率響應(yīng)討論題5.3 負反饋放大電路的自激與頻率補償5.3.1 負反饋放大電路的自激振蕩條件5.3.2 負反饋放大電路穩(wěn)定性的判斷5.3.3 集成運算放大器的頻率補償5.3.4 集成運算放大器的高頻參數(shù)討論題本章小結(jié)習題第6章 模擬集成放大器的線性應(yīng)用6.1 基本運算電路6.1.1 比例運算電路6.1.2 加減運算電路6.1.3 微分與積分運算電路討論題6.2 集成運算放大器構(gòu)成的交流放大電路6.2.1 反相交流放大電路6.2.2 同相交流放大電路6.2.3 交流電壓跟隨器與匯集放大電路討論題6.3 有源濾波電路6.3.1 有源低通濾波電路6.3.2 有源高通濾波電路6.3.3 有源帶通濾波電路6.3.4 有源帶阻濾波電路討論題6.4 電子系統(tǒng)預處理放大電路6.4.1 儀用放大器……第7章 集成模擬簡潔器及其應(yīng)用第8章 信號發(fā)生電路電路第9章 直流穩(wěn)壓電源

章節(jié)摘錄

　　第1章　半導體二極管及其電路分析　　引言　半導體二極管是最簡單的半導體器件，它由一個PN結(jié)構(gòu)成，其主要特性是單向?qū)щ娦浴＠枚O管可以構(gòu)成整流電路、限幅電路、門電路、低電壓穩(wěn)壓電路等多種應(yīng)用電路。為了幫助理解半導體器件的工作原理和特性，本章首先介紹半導體的基本知識和PN結(jié)的單向?qū)щ娦?；然后重點介紹普通二極管的主要特性，并結(jié)合實例介紹二極管的基本應(yīng)用電路及其分析方法；最后，簡要介紹幾種特殊二極管?！　?．1半導體的基礎(chǔ)知識　　導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導體。在自然界中屬于半導體的物質(zhì)很多，用來制造半導體器件的材料主要有硅（si）、鍺（Ge）和砷化鎵（GaAs）等，其中單晶結(jié)構(gòu)的硅是目前最常用的半導體材料。所謂單晶，是指晶格排列完全一致的晶體，而晶體是指由原子、離子或分子按照一定的空間次序排列而形成的具有規(guī)則外形的固體。硅和鍺半導體都是晶體，因此，半導體管也常稱為晶體管?！　?．1．1 本征半導體　　純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導體稱為本征半導體。純凈的硅和鍺都是四價元素，其原子的最外層軌道上有四個電子（稱為價電子），因此可用圖1．1．1（a）所示的簡化模型表示其原子結(jié)構(gòu)，圖中的“+4”代表四價元素原子核和內(nèi)層電子所具有的凈電荷，外圈上的4個黑點表示4個價電子。在本征硅（或鍺）半導體中，原子形成有序的排列，價電子為相鄰的原子所共有，這種結(jié)構(gòu)稱為共價鍵。每個原子都和相鄰的4個原子相結(jié)合組成4對共價鍵，如圖1．1．1（b）所示。共價鍵中的價電子將受到共價鍵的束縛，在絕對零度且無光照時，價電子不能擺脫共價鍵的束縛，這時的本征半導體不能導電?！　≡谑覝鼗蚬庹障?，少數(shù)價電子能夠獲得足夠的能量擺脫共價鍵的束縛成為自由電子，同時在共價鍵中留下一個空位，如圖1．1．1（b）所示，這種現(xiàn)象稱為本征激發(fā)，這個空位稱為空穴。本征激發(fā)將成對地產(chǎn)生自由電子和空穴。原子失去價電子后將帶正電，可等效地看成是因為有了帶正電的空穴?？昭ê苋菀孜徑矁r鍵中的價電子去填補。

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