納米壓印技術(shù)

內(nèi)容概要

本書詳細介紹了納米壓印及相關(guān)技術(shù)的工藝、原理、仿真、應(yīng)用和展望。納米壓印技術(shù)是在納米尺度獲得復(fù)制結(jié)構(gòu)的一種成本低而速度快的方法，它可以大批量重復(fù)性地在大面積上制備納米圖案結(jié)構(gòu)，而且所制出的高分辨率圖案具有相當(dāng)好的均勻性和重復(fù)性。本書不僅可以供從事微電子、微納加工、納米技術(shù)的科技人員參考，也可供化學(xué)、生物、醫(yī)學(xué)、光電子和磁學(xué)等領(lǐng)域的科研人員借鑒。同時，本書深入淺出，通俗易懂，也具有一定的科普價值。

書籍目錄

第1章  緒論  1.1  微電子    1.1.1  光學(xué)光刻和極紫外光刻技術(shù)    1.1.2  電子束光刻技術(shù)    1.1.3  離子束光刻技術(shù)    1.1.4  X射線光刻技術(shù)  1.2  微機電系統(tǒng)    1.2.1  微機電系統(tǒng)簡介    1.2.2  LIGA技術(shù)    1.2.3  準(zhǔn)LIGA技術(shù)  1.3  微復(fù)制技術(shù)    1.3.1  微復(fù)制的意義    1.3.2  微復(fù)制工藝及其應(yīng)用    1.3.3  基于聚合物的微系統(tǒng)  1.4  納米技術(shù)  1.5  納米壓印技術(shù)    1.5.1  納米壓印技術(shù)的原理及特點    1.5.2  納米壓印技術(shù)的發(fā)展    1.5.3  納米壓印技術(shù)的應(yīng)用  1.6  納米壓印技術(shù)研究現(xiàn)狀    1.6.1  國外研究現(xiàn)狀    1.6.2  國內(nèi)研究現(xiàn)狀    1.6.3  納米壓印技術(shù)專利分析第2章  納米壓印工藝概述  2.1  納米壓印工藝    2.1.1  熱壓印    2.1.2  紫外壓印    2.1.3  微接觸印刷    2.1.4  常用納米壓印方法的比較  2.2  軟刻蝕技術(shù)  2.3  納米壓印印章  2.4  壓印聚合物第3章  納米壓印印章制備的新方法  3.1  FIB制備納米印章的新途徑    3.1.1  聚焦離子束系統(tǒng)的工作原理和構(gòu)成    3.1.2  聚焦離子束系統(tǒng)的應(yīng)用    3.1.3  用聚焦離子束技術(shù)進行納米壓印印章的制備  3.2  全息曝光制備微納米印章  3.3  納米球光刻法加工印章  3.4  納米壓印方法制備納米壓印印章  3.5  納米壓印和光學(xué)光刻結(jié)合制備三維印章  3.6  旋涂法制備PDMS印章    3.6.1  旋涂法制備PDMS印章的原理和工藝流程    3.6.2  旋涂法制備PDMS印章的具體實例    3.6.3  旋涂法制備PDMS印章的實驗結(jié)果  3.7  熱壓法大規(guī)模制備PDMS印章的新方法    3.7.1  熱壓法大規(guī)模制備PDMS印章的工藝路線    3.7.2  熱壓法大規(guī)模制備PDMS印章的實例    3.7.3  熱壓法大規(guī)模制備PDMS印章的實驗結(jié)果與討論  3.8  PDMS印章中的缺陷分析    3.8.1  空孔    3.8.2  裂紋第4章  納米壓印結(jié)果分析  4.1  納米壓印印章抗粘連層的制備    4.1.1  干法抗黏    4.1.2  濕法抗黏    4.1.3  兩種方法對比  4.2  微壓印結(jié)果及分析     4.2.1  硅模具和鎳模具制備    4.2.2  硅模具和鎳模具微壓印PMMA、PC    4.2.3  不同線寬和圖形的合格率分析    4.2.4  線條鎳模具的微米壓印    4.2.5  對可壓印材料PETG的研究  4.3  鋁線條印章壓印mr-I 9020    4.3.1  mr-I 9020膠介紹    4.3.2  鋁線條印章壓印mr-I 9020    4.3.3  壓印膠中的缺陷  4.4  正交法對納米壓印工藝的優(yōu)化    4.4.1  正交法的意義與原理    4.4.2  熱壓印工藝中正交法的因子和水平    4.4.3  正交法對工藝的優(yōu)化研究  4.5  石英模具室溫壓印Hybrane    4.5.1  Hybrane膠介紹    4.5.2  Hybrane膠的配置    4.5.3  石英印章壓印Hybrane  4.6  復(fù)雜圖案硅印章壓印SU?8    4.6.1  硅印章制備    4.6.2  印章形貌    4.6.3  SU-8膠的旋涂    4.6.4  硅印章壓印SU-8   4.7  后續(xù)轉(zhuǎn)移圖案    4.7.1  殘留膠厚度的計算    4.7.2  O2刻蝕速率計算    4.7.3  SF6刻蝕速率對比計算    4.7.4  雙氣體連續(xù)刻蝕法進行圖案轉(zhuǎn)移    4.7.5  單一氣體刻蝕法進行圖案轉(zhuǎn)移第5章  納米壓印的理論  5.1  聚合物流變機理  5.2  壓印膠的流動行為  5.3  納米壓印填充時間的理論計算  5.4  有效壓強的理論分析及提高印章壽命的新方法  5.5  納米壓印理論的最新研究進展第6章  納米壓印仿真  6.1  印章抗粘連層材料的選擇    6.1.1  分子動力學(xué)方法與原理    6.1.2  分子動力學(xué)方法選擇印章抗粘連層物質(zhì)  6.2  分子動力學(xué)對納米壓印工藝的仿真  6.3  納米壓印仿真的其他研究第7章  納米壓印技術(shù)的應(yīng)用  7.1  納米壓印技術(shù)在光學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用    7.1.1  采用微納米壓印技術(shù)復(fù)制微納光柵    7.1.2  納米壓印技術(shù)制備聚合物微環(huán)共振腔    7.1.3  納米壓印技術(shù)加工超材料    7.1.4  納米壓印技術(shù)加工偏光鏡    7.1.5  納米壓印技術(shù)加工微鏡  7.2  納米壓印技術(shù)在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用    7.2.1  生物醫(yī)學(xué)實驗的意義    7.2.2  生物加工材料的選擇    7.2.3  微納米壓印技術(shù)在蛋白質(zhì)實驗中的應(yīng)用    7.2.4  微納米結(jié)構(gòu)對不同細胞生長的影響    7.2.5  納米壓印技術(shù)加工的硅納米線陣列用于生物電子領(lǐng)域     7.2.6  納米壓印技術(shù)制備的微陣列在生物醫(yī)學(xué)中的應(yīng)用  7.3  納米壓印技術(shù)在電子學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用  7.4  納米壓印技術(shù)在磁學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用  7.5  納米壓印技術(shù)在微納流體領(lǐng)域的應(yīng)用  7.6  納米壓印技術(shù)在光電子領(lǐng)域的應(yīng)用  7.7  納米壓印技術(shù)在其他領(lǐng)域的應(yīng)用    7.7.1  納米壓印技術(shù)加工鐵電原件    7.7.2  納米壓印技術(shù)加工探針第8章  納米壓印技術(shù)的發(fā)展前景  8.1  納米壓印技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)    8.1.1  納米壓印自身技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)    8.1.2  納米壓印技術(shù)面臨的其他技術(shù)的挑戰(zhàn)  8.2  納米壓印技術(shù)的發(fā)展前景    8.2.1  納米壓印技術(shù)的創(chuàng)新技術(shù)    8.2.2  納米壓印技術(shù)的研究方向    8.2.3  納米壓印技術(shù)展望參考文獻

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