半導(dǎo)體物理

內(nèi)容概要

　　《高等院校理工類規(guī)劃教材：半導(dǎo)體物理》針對(duì)半導(dǎo)體材料與器件的發(fā)展趨勢(shì)，有必要向讀者介紹新型半導(dǎo)體材料相關(guān)的知識(shí)和基本工作原理，以介紹基本物理概念為主，盡量避免復(fù)雜的數(shù)學(xué)推導(dǎo)和過(guò)分細(xì)致的器件細(xì)節(jié)，并盡可能多地利用量子力學(xué)知識(shí)分析、解釋半導(dǎo)體材料和器件涉及的物理原理。本書(shū)內(nèi)容較廣，適合于本科生、研究生以及相關(guān)研究人員參考。

書(shū)籍目錄

第1章 量子力學(xué)初步1.1 量子力學(xué)的誕生1.2 物質(zhì)波1.3 力學(xué)量算符與薛定諤方程1.4 定態(tài)波函數(shù)1.5 波函數(shù)的性質(zhì)1.6 歸一化波函數(shù)1.7 波函數(shù)的統(tǒng)計(jì)解釋--勞厄（Lauer）衍射公式1.8 求解定態(tài)問(wèn)題的步驟1.9 定態(tài)問(wèn)題實(shí)例1.10 測(cè)不準(zhǔn)原理1.11 電子的自旋1.12 簡(jiǎn)諧微擾量子躍遷幾率1.13 泡利不相容原理第2章 半導(dǎo)體材料的成分與結(jié)構(gòu)2.1 半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電能力2.2 半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)2.3 倒格矢2.4 晶體結(jié)構(gòu)的測(cè)量2.5 常見(jiàn)半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)第3章 晶體中電子的能帶3.1 能級(jí)分裂與能帶的形成3.2 量子力學(xué)處理3.3 能帶圖的表示方法3.4 晶體中電子的運(yùn)動(dòng)3.5 電子的經(jīng)典近似3.6 外力與波矢的關(guān)系3.7 電子的加速度及有效質(zhì)量3.8 能帶填充情況與電流3.9 金屬、半導(dǎo)體、絕緣體3.10 空穴3.11 硅、鍺和砷化鎵的能帶特點(diǎn)3.12 半導(dǎo)體材料中的雜質(zhì)和缺陷能級(jí)3.13 化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級(jí)3.14 施主、受主的類氫模型3.15 各種因素對(duì)禁帶寬度的影響第4章 半導(dǎo)體中的電子統(tǒng)計(jì)分布4.1 狀態(tài)密度4.2 費(fèi)米一狄拉克分布4.3 本征半導(dǎo)體與非本征半導(dǎo)體4.4 只含一種雜質(zhì)的半導(dǎo)體4.5 飽和電離區(qū)的范圍4.6 費(fèi)米能級(jí)與摻雜濃度的關(guān)系4.7 簡(jiǎn)并半導(dǎo)體4.8 雜質(zhì)補(bǔ)償4.9 圖解法確定費(fèi)米能級(jí)第5章  半導(dǎo)體中的電荷輸運(yùn)現(xiàn)象5.1 電導(dǎo)現(xiàn)象5.2 晶格振動(dòng)與聲子5.3 一維雙原子品格的振動(dòng)5.4 三維晶體中的晶格振動(dòng)5.5 一維晶格原子振動(dòng)的能量5.6 聲子的統(tǒng)計(jì)分布5.7 載流子的散射5.8 多能谷下的電導(dǎo)率第6章 半導(dǎo)體材料的物理現(xiàn)象6.1 霍耳效應(yīng)6.2 磁電阻效應(yīng)6.3 半導(dǎo)體磁敏二極管6.4 巨磁阻（GMR）與超巨磁阻（CMR）6.5 表面光電壓6.6 光磁電效應(yīng)6.7 耿氏效應(yīng)6.8 半導(dǎo)體的熱效應(yīng)6.9 熱導(dǎo)率6.10 半導(dǎo)體的熱電、電熱效應(yīng)……第7章 半導(dǎo)體材料的光學(xué)性質(zhì)第8章 非平衡載流子第9章 半導(dǎo)體中的接觸現(xiàn)象第10章 半導(dǎo)體表面與界面第11章 半導(dǎo)體電子器件第12章 半導(dǎo)體光電器件第13章 異質(zhì)結(jié)、量子阱和超晶格第14章 低維系統(tǒng)中電子的狀態(tài)參考文獻(xiàn)

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