硅基納米電子學

內(nèi)容概要

　　《硅基納米電子學》內(nèi)容分為兩個部分。第一部分系統(tǒng)地闡述了納米電子學的基本概念和理論，主要包括現(xiàn)代集成電路的物理極限和技術障礙、用于硅基納米器件的主要加工工藝：第二部分介紹新型納米尺度的電子器件，包括共振隧穿器件、單電子器件及其電路、硅納米線及納米線異質(zhì)結(jié)構(gòu)、其他硅基納米電子器件、硅基磁電子學的研究現(xiàn)狀。全書強調(diào)新概念、新現(xiàn)象的闡述，以及定性描述與定量理論表述相互結(jié)合?！　”緯梢宰鳛楦叩仍盒ｋ娮涌茖W與技術、微電子學、應用物理、電子工程和材料科學等有關專業(yè)高年級學生及研究生教材，也適于有關領域的科學家、工程師及高校師生參考。

書籍目錄

第1章　硅納米電子學理論基礎 1.1　Hartree?Fock方程（HF方程） 1.1.1　Hartree近似 1.1.2　Hartree?Fock方程 1.2　格林函數(shù) 1.2.1　泊松方程的格林函數(shù) 1.2.2　鏡像法求格林函數(shù) 1.2.3　應用格林函數(shù)計算納米尺寸電子器件的電學性能 1.3　CMOS器件中的尺度效應和模型 1.3.1　薛定諤?泊松解法解決平衡情況下的器件 1.3.2　連接兩個費米能級不同的接觸電極下的情況 1.3.3　一維器件的平衡能帶圖 1.3.4　連續(xù)傳輸 1.3.5　非連續(xù)傳輸 第2章　納米電子學工藝概論 2.1　納米加工技術概述 2.1.1　概述 2.1.2　采用電子束曝光或電子束刻蝕技術制作量子結(jié)構(gòu) 2.1.3　采用聚焦離子束加工技術制作量子結(jié)構(gòu) 2.1.4　采用微細加工技術制作量子結(jié)構(gòu) 2.1.5　采用掃描隧道顯微鏡技術制作量子結(jié)構(gòu) 2.1.6　納米微晶硅薄膜材料簡介 2.2　納米工藝 2.2.1　光刻膠 2.2.2　光刻 2.2.3　圖形轉(zhuǎn)移 2.3　納米電子學 2.3.1　納米器件 2.3.2　納米晶體管設計 2.3.3　納米電光學 2.3.4　物理學模型和器件仿真 2.3.5　總結(jié) 第3章　硅基隧穿二極管及集成電路 3.1　簡介 3.2　隧穿理論 3.2.1　隧穿電流的成分 3.2.2　隧穿電流密度 3.2.3　隧穿二極管的開關時間 3.3　垂直隧穿二極管的制備 3.3.1　基于上旋擴散雜質(zhì)的快速熱擴散工藝 3.3.2　上旋擴散劑 3.3.3　隧穿二極管制造工藝 3.4　隧穿二極管的特性和集成電路 3.4.1　所制備隧穿二極管的特性 3.4.2　隧穿二極管振蕩器 3.4.3　高速隧穿二極管/傳輸線脈沖發(fā)生器 第4章　單電子器件及其電路 4.1　電導振蕩——Coulomb振蕩現(xiàn)象 4.2　Coulomb阻塞效應 4.3　電流偏置下單個隧道結(jié)的I?V特性 4.4　單電子晶體管（SET）的Coulomb阻塞工作狀態(tài) 4.5　單電子晶體管的ID隨VG的振蕩——Coulomb振蕩4.6　超導態(tài)的Coulomb阻塞效應 4.7　單電子靜電計 4.8　半導體量子點旋轉(zhuǎn)門 4.9　單電子晶體管（SET） 4.10　單電子晶體管的典型結(jié)構(gòu) 4.11　單電子“類CMOS倒相器”4.12　單電子晶體管存儲器4.13　單電子晶體管邏輯電路4.14　量子網(wǎng)絡自適應器件（QCA）第5章　硅納米線及納米線異質(zhì)結(jié)構(gòu) 5.1　簡介5.2　硅納米線 5.2.1　SiNW的制造方法和結(jié)構(gòu)特征 5.2.2　SiNW的電學性能 5.3　納米電子學中SiNW的應用5.3.1　相交的納米線結(jié)構(gòu)和器件5.3.2　基于相交納米線的邏輯門5.3.3　地址譯碼器5.3.4　在非傳統(tǒng)襯底上的納米線電子學 5.4　構(gòu)造大規(guī)模層次化SiNW陣列的方法 5.4.1　Langmuir?Blodgett納米線裝配方法 5.4.2　納米線器件的可變尺寸的集成5.4.3　高頻納米線電路 5.5　SiNW作為納米級傳感器 5.5.1　納米線場效應傳感器 5.5.2　單病毒檢測5.5.3　單病毒的多級檢測 5.6　SiNW異質(zhì)結(jié)構(gòu) 5.6.1　NiSi/SiNW異質(zhì)結(jié) 5.6.2　摻雜濃度調(diào)制的SiNW1 5.6.3　分支和超分支SiNW 第6章　其他硅基納米電子器件 第7章　存儲電阻 參考文獻

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