半導(dǎo)體微納電子學(xué)/物理學(xué)研究生教學(xué)叢書

內(nèi)容概要

　　《半導(dǎo)體微納電子學(xué)》系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體微納電子學(xué)領(lǐng)域的最新進(jìn)展、基本原理和實(shí)驗(yàn)。在集成電路發(fā)展過程中，原有的經(jīng)典理論將不再適用，需要考慮量子修正，甚至完全用量子理論。本書第一部分（第 1-3章）介紹小尺寸集成電路、共振隧穿器件和超晶格縱向輸運(yùn)器件；第二部分（第4-5章）介紹平面量子點(diǎn)和孤立量子點(diǎn)的輸運(yùn)理論；第三部分（第6-7章） 介紹一維和二維電子和Rashba電子的量子波導(dǎo)輸運(yùn)理論；第四部分（第8-lO 章）介紹單電子晶體管、單電子存儲(chǔ)器和模擬方法?！　　栋雽?dǎo)體微納電子學(xué)》可作為從事半導(dǎo)體微電子學(xué)研究的大學(xué)高年級學(xué)生、研究生和研究人員的參考書。

作者簡介

　　夏建白，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員，中國科學(xué)院信息技術(shù)科學(xué)部院士。 長期從事半導(dǎo)體和半導(dǎo)體超晶格、微結(jié)構(gòu)理論研究，在該領(lǐng)域提出了一系列的理論，其中包括：量子球空穴態(tài)的張量模型、介觀系統(tǒng)的一維量子波導(dǎo)理論、（11N）取向襯底生長超晶格的有效質(zhì)量理論、半導(dǎo)體雙勢壘結(jié)構(gòu)的空穴隧穿理論、以及計(jì)算超晶格電子結(jié)構(gòu)的有限平面波展開方法等。發(fā)表學(xué)術(shù)論文100余篇，撰寫專著3部：《半導(dǎo)體超晶格物理》（與朱邦芬合作）、《現(xiàn)代半導(dǎo)體物理》和《半導(dǎo)體自旋電子學(xué)》（與葛惟昆、常凱合作）。 曾獲得1993年、2004年和2009年國家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)、1989年和1998年中國科學(xué)院自然科學(xué)一等獎(jiǎng)、2005年何梁何利基金科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)。專著《半導(dǎo)體超晶格物理》獲得1998年第八屆全國優(yōu)秀科技圖書一等獎(jiǎng)和第三屆國家圖書獎(jiǎng)提名獎(jiǎng)，《現(xiàn)代半導(dǎo)體物理》獲得2001年全國優(yōu)秀科技圖書三等獎(jiǎng)。 現(xiàn)任《科學(xué)通報(bào)》主編、科學(xué)出版社《半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)叢書》主編、北京大學(xué)《中外物理學(xué)精品書系》副主編、中國科學(xué)院信息技術(shù)學(xué)部常委、中國科學(xué)院學(xué)部出版與科普工作委員會(huì)委員等。

書籍目錄

第0章　引言0.1　特征長度0.1.1　費(fèi)米波長0.1.2　平均自由程0.1.3　相弛豫長度0.2　超小器件中的非平衡輸運(yùn)0.3　量子效應(yīng)0.3.1　統(tǒng)計(jì)熱力學(xué)0.3.2　相相干效應(yīng)0.3.3　庫侖阻塞效應(yīng)0.4　量子波導(dǎo)0.5　碳基納米器件0.5.1　電子結(jié)構(gòu)0.5.2　電學(xué)性質(zhì)0.5.3　碳管場效應(yīng)晶體管（CNTFET）0.5.4　碳片納米帶晶體管0.5.5　碳基器件的未來第1章　非平衡輸運(yùn)1.1　蒙特卡羅方法1.2　均勻半導(dǎo)體中與時(shí)間有關(guān)的輸運(yùn)現(xiàn)象1.2.1　漂移擴(kuò)散模型1.2.2　強(qiáng)電場下的輸運(yùn)1.2.3　考慮了強(qiáng)場輸運(yùn)的器件設(shè)計(jì)1.3　與空間有關(guān)的輸運(yùn)現(xiàn)象1.4　Si-M0SFET中的輸運(yùn)1.5　GaAs HEMT中雜質(zhì)分布漲落引起的量子效應(yīng)1.6　超小GaAs MESFET的模擬1.7　超小HEMT器件的模擬第2章　共振隧穿2.1　單勢壘結(jié)構(gòu)2.2　雙勢壘結(jié)構(gòu)的共振隧穿2.3　空穴共振隧穿2.4　稀磁半導(dǎo)體的共振隧穿第3章　超晶格縱向輸運(yùn)3.1　超晶格微帶輸運(yùn)3.2　超晶格中的布洛赫振蕩3.3　 Wannier-Stark態(tài)之間的跳躍電導(dǎo)第4章　介觀輸運(yùn)4.1　接觸電阻4.2　蘭道公式4.3　多通道情形4.4　多端器件4.5　 Buttiker公式的一些應(yīng)用4.5.1　三極導(dǎo)體4.5.2　四極導(dǎo)體4.6　實(shí)驗(yàn)結(jié)果4.6.1　二端導(dǎo)體4.6.2　磁場下的二端導(dǎo)體4.6.3　量子霍爾效應(yīng)第5章　量子點(diǎn)的輸運(yùn)5.1　單電子效應(yīng)與單電子晶體管5.2　量子點(diǎn)輸運(yùn)中的Kondo效應(yīng)5.2.1　金屬中的Kondo效應(yīng)5.2.2　量子點(diǎn)中的Kondo效應(yīng)5.3　垂直量子點(diǎn)中的單電子輸運(yùn)5.3.1　量子點(diǎn)和單電子能級5.3.2　殼層填充和洪德第一定則5.3.3　磁場下Ⅳ個(gè)電子的基態(tài)5.3.4　磁場下的單電子隧道譜5.3.5　自旋阻塞效應(yīng)5.3.6　耦合量子點(diǎn)的單電子隧穿第6章　量子波導(dǎo)輸運(yùn)6.1　量子器件6.1.1　理論方法6.1.2　Aharonov-Bohm效應(yīng)6.1.3　量子干涉器件6.2　一維量子波導(dǎo)理論6.2.1　兩個(gè)基本方程6.2.2　環(huán)狀器件6.2.3　AB效應(yīng)6.2.4　量子干涉器件6.3　二維量子波導(dǎo)理論——傳輸矩陣方法6.4　二維量子波導(dǎo)理論——散射矩陣方法6.4.1　彎曲結(jié)構(gòu)6.4.2　周期多結(jié)構(gòu)波導(dǎo)6.5　多端波導(dǎo)結(jié)構(gòu)6.6　圓形中心區(qū)域的波導(dǎo)6.6.1　A-B環(huán)6.6.2　平面量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)6.7　空穴的一維量子波導(dǎo)理論第7章　Rashba電流的量子波導(dǎo)理論7.1　 Rashba電流的一維量子波導(dǎo)理論7.1.1　 Rashba態(tài)波函數(shù)7.1.2　 Rashba電流的邊界條件7.1.3　 Rashba波在分叉回路上的運(yùn)動(dòng)性質(zhì)7.1.4　分叉結(jié)構(gòu)回路量子波導(dǎo)的普遍理論7.2　彎曲回路上Rashba電子的一維量子波導(dǎo)理論7.2.1　閉合圓環(huán)的Rashba電子態(tài)7.2.2　閉合方環(huán)的Rashba電子態(tài)7.2.3　AB圓環(huán)中的自旋干涉7.2.4　AB方環(huán)中的自旋干涉7.2.5　AB雙圈方環(huán)中的自旋干涉第8章　硅單電子晶體管8.1　單電子晶體管的原理8.2　室溫下工作的單電子晶體管的早期工作8.3　室溫下工作的Si SET8.4　Si SET用作邏輯電路8.5　量子點(diǎn)庫侖阻塞振蕩的理論第9章　硅單（少）電子存儲(chǔ)器9.1　浮柵存儲(chǔ)結(jié)型存儲(chǔ)器9.2　Si SET用作存儲(chǔ)器9.3　室溫工作的浮柵存儲(chǔ)器9.4　硅納米晶體存儲(chǔ)器9.5　納米晶體浮柵存儲(chǔ)器的保持性質(zhì)第10章　超小半導(dǎo)體器件的量子輸運(yùn)模型10.1　非平衡格林函數(shù)模型10.2　量子玻爾茲曼方程10.3　維格納函數(shù)模型10.4　維格納函數(shù)輸運(yùn)方程中的量子修正10.5　非平衡格林函數(shù)的量子輸運(yùn)理論10.6　?？艘黄绽士四Ｐ?/pre>





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　　《半導(dǎo)體微納電子學(xué)》較全面的介紹了關(guān)于半導(dǎo)體為納電子學(xué)的相關(guān)知識(shí)，融合半導(dǎo)體微納電子學(xué)領(lǐng)域的最新進(jìn)展、基本原理和實(shí)驗(yàn)于一體，適合作為從事半導(dǎo)體微電子學(xué)研究的大學(xué)高年級學(xué)生、研究生和研究人員的參考書。





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