半導(dǎo)體集成電路

內(nèi)容概要

　　《普通高等教育電子科學(xué)與技術(shù)類特色專業(yè)系列教材·國家級(jí)精品課程主干教材：半導(dǎo)體集成電路》在簡(jiǎn)述了集成電路的基本概念、發(fā)展和面臨的主要問題后，首先介紹了半導(dǎo)體集成電路的主要制造工藝、基本元器件的結(jié)構(gòu)和工作原理；然后重點(diǎn)討論了數(shù)字集成電路中的組合邏輯電路、時(shí)序邏輯電路、存儲(chǔ)器、邏輯功能部件；最后介紹了模擬集成電路中的關(guān)鍵電路和數(shù)一模、模一數(shù)轉(zhuǎn)換電路。《普通高等教育電子科學(xué)與技術(shù)類特色專業(yè)系列教材·國家級(jí)精品課程主干教材：半導(dǎo)體集成電路》內(nèi)容系統(tǒng)全面，與實(shí)際緊密結(jié)合。敘述深人淺出，易于自學(xué)。為了方便教師授課，全書配有課件?！镀胀ǜ叩冉逃娮涌茖W(xué)與技術(shù)類特色專業(yè)系列教材·國家級(jí)精品課程主干教材：半導(dǎo)體集成電路》可作為大專院校電子科學(xué)與技術(shù)和半導(dǎo)體專業(yè)的專業(yè)課教材，也可作為相關(guān)領(lǐng)域研究生和工程技術(shù)人員的參考書。

書籍目錄

叢書序序前言第1章 緒論1.1 半導(dǎo)體集成電路的概念1.1.1 半導(dǎo)體集成電路的基本概念1.1.2 半導(dǎo)體集成電路的分類1.2 半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展過程1.3 半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展規(guī)律1.4 半導(dǎo)體集成電路面臨的問題1.4.1 深亞微米集成電路設(shè)計(jì)面臨的問題與挑戰(zhàn)1.4.2 深亞微米集成電路性能面臨的問題與挑戰(zhàn)1.4.3 深亞微米集成電路工藝面臨的問題與挑戰(zhàn)技術(shù)展望：摩爾定律的擴(kuò)展習(xí)題第2章 雙極集成電路中的元件形成及其寄生效應(yīng)2.1 雙極集成電路的制造工藝2.1.1 雙極型晶體管的單管結(jié)構(gòu)和工作原理2.1.2 雙極集成晶體管的結(jié)構(gòu)與制造工藝2.2 理想本征雙極晶體管的埃伯斯一莫爾（EM）模型2.2.1 一結(jié)兩層二極管（單結(jié)晶體管）的EM模型2.2.2 兩結(jié)三層三極管（雙結(jié)晶體管）的EM模型2.2.3 三結(jié)四層三極管（多結(jié)晶體管）的EM模型2.3 集成雙極晶體管的有源寄生效應(yīng)2.3.1 npn管工作于正向工作區(qū)和截止區(qū)的情況2.3.2 npn管工作于反向工作區(qū)的情況2.3.3 npn管工作于飽和區(qū)的情況2.3.4 降低寄生pnp管的方法技術(shù)展望：SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管習(xí)題第3章 MOS集成電路中的元件形成及其寄生效應(yīng)3.1 MOSFET晶體管的制造工藝3.1.1 MOSFET晶體管器件結(jié)構(gòu)與工作原理3.1.2 MOSFET的制造工藝3.2 CMOS集成電路的制造工藝3.2.1 p阱CMOS工藝3.2.2 n阱CMOS工藝3.2.3 雙阱CMOS工藝3.3 Bi-CMOS集成電路的制造工藝3.3.1 以CMOS工藝為基礎(chǔ)的Bi-CMOS工藝3.3.2 以雙極型工藝為基礎(chǔ)的Bi-CMOS工藝3.4 MOS集成電路中的有源寄生效應(yīng)3.4.1 場(chǎng)區(qū)寄生MOSFET3.4.2 寄生雙極型晶體管3.4.3 CMOS集成電路中的閂鎖效應(yīng)技術(shù)展望：絕緣體上硅（SOI）技術(shù)習(xí)題第4章 集成電路中的無源元件4.1 集成電阻器4.1.1 雙極集成電路中的常用電阻4.1.2 MOS集成電路中常用的電阻4.2 集成電容器4.2.1 雙極集成電路中常用的集成電容器4.2.2 MOS集成電路中常用的電容器4.3 互連線4.3.1 多晶硅互連線4.3.2 擴(kuò)散層連線4.3.3 金屬互連線技術(shù)展望：鐵電電容器習(xí)題第5章 MOS晶體管基本原理與MOS反相器電路5.1 MOS晶體管的電學(xué)特性5.1.1 MOS晶體管基本電流方程的導(dǎo)出5.1.2 MOS晶體管I-V特性5.1.3 MOS晶體管的閾值電壓和導(dǎo)電特性5.1.4 MOS晶體管的襯底偏壓效應(yīng)5.1.5 MOS晶體管的二級(jí)效應(yīng)5.1.6 MOS晶體管的電容5.2 MOS反相器5.2.1反相器的基本概念5.2.2 E／R型nMOS反相器（電阻負(fù)載型MOS反相器）5.2.3 E／E型nMOS反相器（增強(qiáng)型nMOS負(fù)載反相器）5.2.4 E／D型nMOS反相器（耗盡型nMOS負(fù)載反相器）5.2.5 CMOS反相器技術(shù)展望：3D晶體管習(xí)題第6章 CMOS靜態(tài)門電路6.1 基本CMOS靜態(tài)門6.1.1 CMOS與非門6.1.2 CMOS或非門6.2 CMOS復(fù)合邏輯門6.2.1 異或門6.2.2 其他復(fù)合邏輯門6.3 MOS管的串并聯(lián)特性6.3.1 晶體管串聯(lián)的情況6.3.2 晶體管并聯(lián)的情況6.3.3 晶體管尺寸的設(shè)計(jì)6.4 CMOS靜態(tài)門電路的功耗6.4.1 CMOS靜態(tài)邏輯門電路功耗的組成6.4.2 降低電路功耗的方法6.5 CMOS靜態(tài)門電路的延遲6.5.1 延遲時(shí)間的估算方法6.5.2 緩沖器最優(yōu)化設(shè)計(jì)6.6 功耗和延遲的折中技術(shù)展望：減少短脈沖干擾信號(hào)功耗習(xí)題第7章 傳輸門邏輯和動(dòng)態(tài)邏輯電路7.1 基本的傳輸門7.1.1 nMOS傳輸門7.1.2 pMOS傳輸門7.1.3 CMOS傳輸門7.2 傳輸門邏輯電路7.2.1 傳輸門邏輯電路舉例7.2.2 傳輸門邏輯的特點(diǎn)7.3 基于二叉判決圖BDD的傳輸門邏輯生成方法7.4 基本動(dòng)態(tài)CMOS邏輯電路7.4.1 基本CMOS動(dòng)態(tài)邏輯電路的工作原理7.4.2 動(dòng)態(tài)邏輯電路的優(yōu)缺點(diǎn)7.5 傳輸門隔離動(dòng)態(tài)邏輯電路7.5.1 傳輸門隔離動(dòng)態(tài)邏輯電路工作原理7.5.2 傳輸門隔離多級(jí)動(dòng)態(tài)邏輯電路的時(shí)鐘信號(hào)7.5.3 多米諾邏輯7.6 動(dòng)態(tài)邏輯電路中存在的問題及解決方法7.6.1 電荷泄漏7.6.2 電荷共享7.6.3 時(shí)鐘饋通7.6.4 體效應(yīng)技術(shù)展望：如何選擇邏輯類型習(xí)題第8章 時(shí)序邏輯電路8.1 電荷的存儲(chǔ)機(jī)理8.1.1 靜態(tài)存儲(chǔ)機(jī)理8.1.2 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)機(jī)理8.2 電平敏感鎖存器8.2.1 SR靜態(tài)鎖存器8.2.2 時(shí)鐘脈沖控制SR靜態(tài)鎖存器8.2.3 CMOS靜態(tài)邏輯結(jié)構(gòu)D鎖存器8.2.4 基于傳輸門多選器的D鎖存器8.2.5 動(dòng)態(tài)鎖存器8.3 邊沿觸發(fā)寄存器8.3.1 寄存器的幾個(gè)重要參數(shù)（建立時(shí)間、維持時(shí)間、傳輸時(shí)間）8.3.2 CMOS靜態(tài)主從結(jié)構(gòu)寄存器8.3.3 傳輸門多路開關(guān)型寄存器8.3.4 C2MOS寄存器8.4 其他類型寄存器8.4.1 脈沖觸發(fā)鎖存器8.4.2 靈敏放大器型寄存器8.4.3 靈敏放大器型寄存器8.5 帶復(fù)位及使能信號(hào)的D寄存器8.5.1 同步復(fù)位D寄存器8.5.2 異步復(fù)位D寄存器8.5.3 帶使能信號(hào)的同步復(fù)位D寄存器8.6 寄存器的應(yīng)用及時(shí)序約束8.6.1 計(jì)數(shù)器8.6.2 時(shí)序電路的時(shí)序約束技術(shù)展望：異步數(shù)字系統(tǒng)習(xí)題第9章 MOS邏輯功能部件9.1 多路開關(guān)9.2 加法器和進(jìn)位鏈9.2.1 加法器定義9.2.2 全加器電路設(shè)計(jì)9.2.3 進(jìn)位鏈9.3 算術(shù)邏輯單元9.3.1 以傳輸門為主體的算術(shù)邏輯單元9.3.2 以靜態(tài)邏輯門電路為主體的算術(shù)邏輯單元9.4 移位器9.5 乘法器技術(shù)展望：片上系統(tǒng)（SOC）技術(shù)習(xí)題第10章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器10.1 存儲(chǔ)器概述10.1.1 存儲(chǔ)器的分類10.1.2 存儲(chǔ)器的相關(guān)性能參數(shù)10.1.3 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)10.2 非揮發(fā)性只讀存儲(chǔ)器10.2.1 ROM的基本存儲(chǔ)單元10.2.2 MOS OR和NOR型ROM10.2.3 MOS NAND型ROM10.2.4 預(yù)充式ROM10.2.5 一次性可編程ROM10.3 非揮發(fā)性讀寫存儲(chǔ)器10.3.1 可擦除可編程ROM10.3.2 電可擦除可編程ROM10.3.3 FLASH存儲(chǔ)器10.4 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器10.4.1 SRAM10.4.2 DRAM10.5 存儲(chǔ)器外圍電路10.5.1 地址譯碼單元10.5.2 靈敏放大器10.5.3 時(shí)序和控制電路技術(shù)展望：高密度存儲(chǔ)器習(xí)題第11章 模擬集成電路基礎(chǔ)11.1 模擬集成電路中的特殊元件11.1.1 MOS可變電容11.1.2 集成雙極型晶體管11.1.3 集成MOS管11.2 MOS晶體管及雙極晶體管的小信號(hào)模型11.2.1 MOS晶體管的小信號(hào)模型11.2.2 雙極晶體管的小信號(hào)模型11.3 恒流源電路11.3.1 電流源11.3.2 電流基準(zhǔn)電路11.4 基準(zhǔn)電壓源電路11.4.1 基準(zhǔn)電壓源的主要性能指標(biāo)11.4.2 帶隙基準(zhǔn)電壓源的基本原理11.5 單級(jí)放大器11.5.1 MOS集成電路中的單級(jí)放大器11.5.2 雙極集成電路中的單級(jí)放大器11.6 差動(dòng)放大器11.6.1 MOS差動(dòng)放大器11.6.2 雙極晶體管差動(dòng)放大器技術(shù)展望：低壓低功耗模擬集成電路技術(shù)習(xí)題第12章 D／A及A／D變換器12.1 D／A變換器基本概念12.1.1 D／A變換器基本原理12.1.2 D／A變換器的分類12.1.3 D／A變換器的技術(shù)指標(biāo)12.2 D／A變換器的基本類型12.2.1 電流定標(biāo)D／A變換器12.2.2 電壓定標(biāo)D／A變換器12.2.3 電荷定標(biāo)D／A變換器12.3 A／D變換器的基本概念12.3.1 A／D變換器基本原理12.3.2 A／D變換器的分類12.3.3 A／D變換器的主要技術(shù)指標(biāo)12.4 A／D變換器的常用類型12.4.1 積分型A／D變換器12.4.2 逐次逼近式（SAR）A／D變換器12.4.3 ∑-△A／D變換器12.4.4 全并行ADC12.4.5 流水線A／D變換器技術(shù)展望：A／D變換器的發(fā)展方向習(xí)題參考文獻(xiàn)

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