功率半導(dǎo)體器件

出版時間:2005-1  出版社:化學(xué)工業(yè)出版社  作者:戈沃,格蘭特  頁數(shù):357  字?jǐn)?shù):424000  
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內(nèi)容概要

本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。書中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用到各類重要功率半導(dǎo)體器件的基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,建立起一系列不同層次的、復(fù)雜程度漸增的器件模型,并闡述了各類重要功率半導(dǎo)體器件各級模型的基礎(chǔ)知識,使功率半導(dǎo)體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的結(jié)構(gòu)、功能、特性和特征。另外,書中還介紹了功率器件的封裝、冷卻、可靠性工作條件以及未來的材料和器件的相關(guān)內(nèi)容。    本書可作為微電子和電力電子領(lǐng)域相關(guān)的工程技術(shù)人員的參考書,也可用作相關(guān)專業(yè)的高年級本科生、研究生課程的配合教材或參考書。

書籍目錄

1 半導(dǎo)體的性質(zhì) 1.1 帶電載流子和半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu) 1.2 自由載流子濃度 1.3 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率  1.3.1 決定電導(dǎo)率的因素  1.3.2 決定硅中載流子遷移率的因素 1.4 過剩載流子的產(chǎn)生與復(fù)合  1.4.1 平衡和非平衡條件  1.4.2 通過局域陷阱中心的復(fù)合  1.4.3 其他復(fù)合過程 1.5 載流子的擴(kuò)散和漂移 1.6 非均勻摻雜的影響 總結(jié) 參考文獻(xiàn)2 基本的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 2.1 p?n結(jié)及其基本性質(zhì)  2.1.1 電流?電壓特性  2.1.2 反向偏置  2.1.3 電擊穿  2.1.4 熱擊穿和熱奔  2.1.5 光照對p?n結(jié)特性的影響  2.1.6 p?n結(jié)的瞬態(tài)特性 2.2 n?n+和p?p+結(jié) 2.3 表面效應(yīng)和MOS結(jié)構(gòu) 2.4 金屬?半導(dǎo)體接觸  2.4.1 整流(肖特基)接觸  2.4.2 歐姆接觸 總結(jié) 參考文獻(xiàn)3 器件、制造和模擬 3.1 各類功率半導(dǎo)體器件  3.1.1 功率二極管  3.1.2 常規(guī)的雙極功率晶體管  3.1.3 晶閘管結(jié)構(gòu)  3.1.4 結(jié)型場效應(yīng)(靜電感應(yīng))器件  3.1.5 功率MOS結(jié)構(gòu)1:功率MOSFET  3.1.6 功率MOS結(jié)構(gòu)2:絕緣柵雙極晶體管(IGBT)  3.1.7 功率MOS結(jié)構(gòu)3:MOS控制晶閘管(MCT)  3.1.8 器件特性總結(jié) 3.2 制造工藝  3.2.1 高純度單晶硅的制備  3.2.2 硅片制備  3.2.3 外延生長  3.2.4 熱氧化  3.2.5 光刻  3.2.6 刻蝕工藝  3.2.7 雜質(zhì)的引入及再分布1:擴(kuò)散  3.2.8 雜質(zhì)的引入及再分布2:離子注入  3.2.9 化學(xué)氣相淀積技術(shù)  3.2.10 接觸的制備 3.3 載流子壽命控制  3.3.1 獲得長載流子壽命的技術(shù)  3.3.2 減小載流子壽命的技術(shù) 3.4 高壓結(jié)構(gòu) 3.5 計(jì)算機(jī)模擬及仿真技術(shù) 總結(jié) 參考文獻(xiàn)4 功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用 4.1 不控整流 4.2 可控整流 4.3 交流到交流的變換 4.4 逆變器 4.5 非隔離型直流到直流變換器 4.6 變壓器隔離型直流到直流變換器 4.7 功率因數(shù)校正 4.8 諧振電路 總結(jié) 參考文獻(xiàn)5 功率二極管6 雙極結(jié)型功率晶體管7 晶閘管:基本工作原理8 各類晶閘管及其應(yīng)用9 靜電感應(yīng)功率器件10 金屬?氧化物?半導(dǎo)體場效應(yīng)功率晶體管11 雙極?MOS功率器件12 功率模塊和集成結(jié)構(gòu)13 可靠工作的條件14 未來的材料和器件附錄擴(kuò)散方程中英文對照

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用戶評論 (總計(jì)4條)

 
 

  •   又快又方便,很好~以后還會再來的~
  •   服務(wù)很不錯!
  •   捷克人在N年前寫的較為專業(yè)詳細(xì)的關(guān)于功率半導(dǎo)體器件的書,相關(guān)內(nèi)容到現(xiàn)在仍具有較多的價值與意義。對于非工科出身的閱讀者來說也比較容易理解和掌握相關(guān)知識點(diǎn)。體系較為靈活。相關(guān)專業(yè)或做相關(guān)工作的人員值得一讀。
  •   中間有四頁內(nèi)容都印丟了,
 

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