模擬電子技術

內(nèi)容概要

　　《國家工科電工電子教學基地教材 ：電工學2（模擬電子技術）》系統(tǒng)介紹了模擬電子技術的基本概念、原理和分析方法。主要內(nèi)容包括半導體基礎知識、放大電路的分析方法、放大電路中的反饋、集成運算放大器的特點及應用以及振蕩電路、直流電源電路的基本原理和基本分析方法?！秶夜た齐姽る娮咏虒W基地教材 ：電工學2（模擬電子技術）》注重基本概念，深入淺出。書中配有大量例題，每章有小結、習題，絕大部分習題都附有答案，便于教學和自學。

書籍目錄

第1章 半導體器件1.1 半導體基礎知識1.1.1 本征半導體1.1.2 雜質(zhì)半導體1.2 PN結及半導體二極管1.2.1 PN結的形成1.2.2 PN結的單向?qū)щ娦?.2.3 PN結的電容效應1.2.4 半導體二極管1.2.5 半導體二極管的應用1.2.6 穩(wěn)壓二極管1.3 半導體三極管1.3.1 三極管的結構及類型1.3.2 三極管的3種連接方式1.3.3 三極管的放大作用1.3.4 三極管的特性曲線1.3.5 三極管的主要參數(shù)1.3.6 溫度對三極管參數(shù)的影響1.4 光電器件本章小結習題第2章 放大電路分析2.1 放大電路的主要技術指標2.2 放大電路的工作原理2.2.1 放大電路的組成2.2.2 放大原理2.3 放大電路的分析方法2.3.1 放大電路的靜態(tài)分析2.3.2 放大電路的動態(tài)分析2.3.3 靜態(tài)工作點穩(wěn)定電路2.3.4 共集電極和共基極放大電路2.3.5 3種基本放大電路的特點和用途2.3.6 多級放大電路2.3.7 放大電路的頻率特性簡介本章小結習題第3章 場效應管放大電路3.1 結型場效應管3.1.1 結構3.1.2 工作原理3.1.3 特性曲線3.2 絕緣柵場效應管3.2.1 N溝道增強型MOS管3.2.2 N溝道耗盡型MOS管3.3 P溝道場效應管3.4 場效應管的主要參數(shù)3.4.1 直流參數(shù)3.4.2 交流參數(shù)3.4.3 極限參數(shù)3.5 場效應管放大電路3.5.1 共源極放大電路3.5.2 共漏極放大電路本章小結習題第4章 負反饋放大電路4.1 反饋的基本概念4.1.1 反饋的定義4.1.2 反饋類型及判定方法4.1.3 負反饋的4種基本組態(tài)4.1.4 負反饋放大電路增益的一般表達式4.2 負反饋對放大電路性能的影響4.2.1 提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性4.2.2 影響輸入電阻和輸出電阻4.2.3 展寬通頻帶4.2.4 減小非線性失真4.3 深度負反饋放大電路的指標計算4.3.1 深度負反饋的特點4.3.2 深度負反饋條件下放大倍數(shù)的估算4.4 負反饋放大電路的自激振蕩4.4.1 產(chǎn)生自激振蕩的原因及條件4.4.2 負反饋放大電路的穩(wěn)定判別4.4.3 消除自激振蕩的常用方法本章小結習題第5章 集成運算放大器及其應用5.1 集成運算放大器介紹5.1.1 集成電路的特點5.1.2 集成運算放大器的內(nèi)部基本結構5.2 直接耦合放大電路的零點漂移5.3 典型差動放大電路5.3.1 雙端輸入、雙端輸出5.3.2 差動放大電路的4種接法5.3.3 恒流源差動放大電路5.4 集成運放中的電流源電路5.4.1 鏡像電流源5.4.2 微電流源5.4.3 電流源電路作為有源負載5.5 集成運算放大器介紹5.5.1 通用型集成運算放大器5.5.2 集成運算放大器的電路符號和電路模型5.5.3 集成運放的主要性能指標5.5.4 集成運放的電路模型和電壓傳輸特性5.6 理想運算放大器5.6.1 理想運算放大器的技術指標5.6.2 理想運算放大器工作在線性區(qū)的特點5.6.3 理想運算放大器工作在非線性區(qū)的特點5.7 基本運算電路5.7.1 比例運算電路5.7.2 加減法運算電路5.7.3 積分和微分運算電路5.7.4 對數(shù)和指數(shù)運算電路5.8 有源濾波電路5.8.1 有源低通濾波電路5.8.2 高通有源濾波電路5.8.3 有源帶通濾波電路5.9 電壓比較器5.9.1 單門限電壓比較器5.9.2 滯回比較器5.9.3 窗口比較器本章小結習題第6章 信號產(chǎn)生電路6.1 正弦波振蕩電路6.2 正弦波振蕩電路的振蕩條件6.3 RC正弦波振蕩電路6.4 LC正弦波振蕩電路6.4.1 變壓器反饋式LC振蕩電路6.4.2 三點式LC振蕩電路6.4.3 石英晶體振蕩電路6.5 非正弦波產(chǎn)生電路6.5.1 矩形波產(chǎn)生電路6.5.2 三角波產(chǎn)生電路6.5.3 鋸齒波產(chǎn)生電路本章小結習題第7章 功率放大電路7.1 功率放大電路的特點及對電路的基本要求7.2 提高效率的主要途徑7.3 乙類雙電源互補對稱功率放大電路7.3.1 電路組成及工作原理7.3.2 分析計算7.4 甲乙類互補對稱功率放大電路7.4.1 甲乙類雙電源互補對稱功率放大電路7.4.2 單電源互補對稱功率放大電路7.4.3 復合管本章小結習題第8章 直流電源8.1 單相整流電路8.1.1 單相半波整流電路8.1.2 單相橋式整流電路8.2 濾波電路8.2.1 電容濾波電路8.2.2 其他形式的濾波電路8.3 穩(wěn)壓電路8.3.1 穩(wěn)壓電路的主要指標8.3.2 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路8.3.3 串聯(lián)型穩(wěn)壓電路8.4 集成穩(wěn)壓電路8.4.1 集成三端穩(wěn)壓器的基本應用電路8.4.2 擴大輸出電流的電路8.4.3 輸出電壓可調(diào)的電路8.5 開關型穩(wěn)壓電路本章小結習題附錄 部分習題參考答案參考文獻

章節(jié)摘錄

　　第1章　半導體器件　　1.1 半導體基礎知識　　導電性能介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導體。　　物質(zhì)的導電性能取決于原子結構。導體一般為低價元素，原子中最外層軌道上的電子（價電子）數(shù)目較少，極易掙脫原子核的束縛成為自由電子。當受到外電場的作用時，這些自由電子產(chǎn)生定向運動形成電流，呈現(xiàn)較好的導電性能。絕緣體一般為高價元素，最外層電子數(shù)目接近8個，受到原子核的強力束縛，極不容易擺脫原子核的束縛成為自由電子，因而導電性能極差。半導體器件中使用最多的是鍺半導體材料和硅半導體材料，它們都是4價元素，原子中最外層軌道上有4個電子，其簡化原子結構模型如圖所示。最外層電子既不像導體那樣極易掙脫原子核的束縛，成為自由電子，也不像絕緣體那樣被原子核束縛很緊，因而導電性能介于兩者之間?！　?.1.1　本征半導體　　用半導體材料制作半導體器件時，半導體要高度提純使之制成晶體，這種純凈的、具有晶體結構的半導體稱為本征半導體。　　在本征半導體的晶體結構中，原子按一定的規(guī)則整齊地排列，由于原子間的距離很近，價電子不僅受到所屬原子核的吸引，還受到相鄰原子核的吸引。這樣，每一個原子的每一個價電子都與相鄰原子的一個價電子組成一個電子對，為兩相鄰原子所共有，構成所謂共價鍵結構，如圖所示?！　」矁r鍵結構使原子最外層因具有8個電子而處于較為穩(wěn)定的狀態(tài)。但共價鍵對電子的約束畢竟不像絕緣體那樣緊，當溫度升高或受到光照射時，共價鍵中的少數(shù)價電子因獲得能量而掙脫共價鍵束縛成為自由電子。

編輯推薦

　　《國家工科電工電子教學基地教材 ：電工學2（模擬電子技術）》可作為高等學校機械、交通、能源、化工、材料等各非電類專業(yè)模擬電子技術課程的教材；也可作為電類專業(yè)少學時模擬電子技術課程教學參考書；還可供有關工程技術人員參考。

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