模擬電路版圖的藝術(shù)

內(nèi)容概要

　　《模擬電路版圖的藝術(shù)（第2版）》以實(shí)用和權(quán)威性的觀點(diǎn)全面論述了模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)中所涉及的各種問題及目前的最新研究成果?！赌M電路版圖的藝術(shù)（第2版）》中介紹了半導(dǎo)體器件物理與工藝、失效機(jī)理等內(nèi)容；基于模擬集成電路設(shè)計(jì)所采用的3種基本工藝：標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝、CMOS硅柵工藝和BiCMOS工藝，重點(diǎn)探討了無源器件的設(shè)計(jì)與匹配性問題，二極管設(shè)計(jì)，雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管的設(shè)計(jì)與應(yīng)用，以及某些專門領(lǐng)域的內(nèi)容，包括器件合并、保護(hù)環(huán)、焊盤制作、單層連接、ESD結(jié)構(gòu)等；最后介紹了有關(guān)芯片版圖的布局布線知識(shí)?！　　赌M電路版圖的藝術(shù)（第2版）》可作為相關(guān)專業(yè)高年級(jí)本科生和研究生教材，對于專業(yè)版圖設(shè)計(jì)人員也是一本極具價(jià)值的參考書。

書籍目錄

第1章  器件物理1.1  半導(dǎo)體1.2  PN結(jié)1.3  雙極型晶體管1.4  MOS晶體管1.5  JFET晶體管1.6  小結(jié)1.7  習(xí)題第2章  半導(dǎo)體制造2.1  硅制造2.2  光刻技術(shù)2.3  氧化物生長和去除2.4  擴(kuò)散和離子注入2.5  硅淀積和刻蝕2.6  金屬化2.7  組裝2.8  小結(jié)2.9  習(xí)題第3章  典型工藝3.1  標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝3.2  多晶硅柵CMOS工藝3.3  模擬BiCMOS3.4  小結(jié)3.5  習(xí)題第4章  失效機(jī)制4.1  電過應(yīng)力4.2  玷污4.3  表面效應(yīng)4.4  寄生效應(yīng)4.5  小結(jié)4.6  習(xí)題第5章  電阻5.1  電阻率和方塊電阻（薄層電阻）5.2  電阻版圖5.3  電阻變化5.4  電阻的寄生效應(yīng)5.5  不同電阻類型的比較5.6  調(diào)整電阻阻值5.7  小結(jié)5.8  習(xí)題第6章  電容和電感6.1  電容6.2  電感6.3  小結(jié)6.4  習(xí)題第7章  電阻和電容的匹配7.1  失配的測量7.2  失配的原因7.3  器件匹配規(guī)則7.4  小結(jié)7.5  習(xí)題第8章  雙極型晶體管8.1  雙極型晶體管的工作原理8.2  標(biāo)準(zhǔn)雙極型小信號(hào)晶體管8.3  CMOS和BiCMOS工藝小信號(hào)雙極型晶體管8.4  小結(jié)8.5  習(xí)題第9章  雙極型晶體管的應(yīng)用9.1  功率雙極型晶體管9.2  雙極型晶體管匹配9.3  雙極型晶體管匹配設(shè)計(jì)規(guī)則9.4  小結(jié)9.5  習(xí)題第10章  二極管10.1  標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝二極管10.2  CMOS和BiCMOS工藝二極管10.3  匹配二極管10.4  小結(jié)10.5  習(xí)題第11章  場效應(yīng)晶體管11.1  MOS晶體管的工作原理11.2  構(gòu)造CMOS晶體管11.3  浮柵晶體管11.4  JFET晶體管11.5  小結(jié)11.6  習(xí)題第12章  MOS晶體管的應(yīng)用12.1  擴(kuò)展電壓晶體管12.2  功率MOS晶體管12.3  MOS晶體管的匹配12.4  MOS晶體管的匹配規(guī)則12.5  小結(jié)12.6  習(xí)題第13章  一些專題13.1  合并器件13.2  保護(hù)環(huán)13.3  單層互連13.4  構(gòu)建焊盤環(huán)13.5  ESD結(jié)構(gòu)13.6  習(xí)題第14章  組裝管芯14.1  規(guī)劃管芯14.2  布局14.3  頂層互連14.4  小結(jié)14.5  習(xí)題附錄A  縮寫詞匯表附錄 B  立方晶體的米勒指數(shù)附錄C  版圖規(guī)則實(shí)例附錄D  數(shù)學(xué)推導(dǎo)附錄E  版圖編輯軟件的出處

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