微電子化學(xué)技術(shù)基礎(chǔ)

內(nèi)容概要

本書介紹了超大規(guī)模集成電路相關(guān)的化學(xué)技術(shù)。全書共分11章，內(nèi)容涉及硅材料及硅化合物化學(xué)性質(zhì)、襯底加工、環(huán)境凈化、凈化水的制備、凈洗技術(shù)、硅氣相外延、鍵合、微機(jī)械加工、器件氧化、擴(kuò)散與離子注入、制版、蝕刻、多層布線與全局平面化、電鍍與化學(xué)鍍以及金屬處理。    本書可作為電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科高等教材，也可作為教師、研究生的專業(yè)參考書，同時(shí)對(duì)從事微電子方面的企業(yè)和科研單位的專業(yè)技術(shù)人員也有重要的參考價(jià)值。

書籍目錄

1 硅材料及硅化合物化學(xué)性質(zhì)　1.1 硅的化學(xué)性質(zhì)　1.2 硅化合物的化學(xué)性質(zhì)　1.3 超凈高純?cè)噭?.4 半導(dǎo)體工業(yè)用化學(xué)品　1.5 電子工業(yè)用光刻膠、涂料和黏合劑2 超大規(guī)模集成電路襯底加工　2.1 硅單晶的加工成形技術(shù)　2.2 超大規(guī)模集成電路硅襯底的拋光　參考文獻(xiàn)3 微電子技術(shù)中的環(huán)境凈化　3.1 廠房的潔凈技術(shù)基礎(chǔ)　3.2 高純氣體制備機(jī)理　3.3 超凈高純?cè)噭┘兓瘷C(jī)理4 洗凈工程中凈化水的制備機(jī)理　4.1 天然水中的雜質(zhì)　4.2 超純水　4.3 離子交換樹脂　4.4 電滲析法制備純水的原理　4.5 反滲透法制備純水的原理　4.6 反滲透膜的技術(shù)現(xiàn)狀　4.7 反滲透膜的污染與清洗　4.8 反滲透膜生物污染與防治5 凈洗技術(shù)工程　5.1 概述　5.2 晶片清洗的基本理論及方法　5.3 顆粒吸附狀態(tài)分析及優(yōu)先吸附模型　5.4 表面活性劑　5.5 硅片清洗的常用方法與技術(shù)　5.6 清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)　5.7 溶液清洗技術(shù)的研究現(xiàn)狀　5.8 新型兆聲清洗　參考文獻(xiàn)6 鍵合技術(shù)工程　6.1 鍵合的基本原理及基本要求　6.2 幾種主要的鍵合方法　6.3 鍵合晶片的表征測(cè)試方法　6.4 鍵合技術(shù)在微電子學(xué)中的應(yīng)用　6.5 鍵合技術(shù)的應(yīng)用　參考文獻(xiàn)7 微機(jī)械加工技術(shù)工程　7.1 各向異性腐蝕　7.2 各向同性腐蝕　7.3 陽極腐蝕　7.4 電鈍化腐蝕　7.5 表面微機(jī)械加工技術(shù)　7.6 干法腐蝕　7.7 LIGA技術(shù)工藝及推廣　參考文獻(xiàn)8 微電子器件氧化技術(shù)工程　8.1 二氧化硅的結(jié)構(gòu)　8.2 二氧化硅的性質(zhì)　8.3 二氧化硅膜的制備及其原理　8.4 二氧化硅?硅界面的物理性質(zhì)　8.5 二氧化硅玻璃中的雜質(zhì)　8.6 雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散　8.7 二氧化硅膜質(zhì)量的檢驗(yàn)9 蝕刻技術(shù)　9.1 簡(jiǎn)介　9.2 蝕刻技術(shù)中的術(shù)語　9.3 濕式蝕刻　9.4 干式蝕刻　參考文獻(xiàn)10 多層布線與全局平面化技術(shù)　10.1 化學(xué)機(jī)械研磨在新一代大型集成電路中所扮演的角色　10.2 超精密研磨技術(shù)與CMP之基礎(chǔ)——CMP的定位與CMP研磨的機(jī)制　10.3 CMP的要素技術(shù)　10.4 CMP中測(cè)定與工程種類的關(guān)系　10.5 CMP的未來　參考文獻(xiàn)11 電鍍與化學(xué)鍍　11.1 電鍍概述　11.2 化學(xué)鍍?cè)怼?1.3 水溶性涂料參考文獻(xiàn)附錄

圖書封面

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