電磁兼容設(shè)計(jì)與測(cè)試實(shí)用技術(shù)

出版時(shí)間:2013-8  出版社:機(jī)械工業(yè)出版社  作者:王守三  

內(nèi)容概要

本書(shū)共分為4篇,分別為電磁兼容的實(shí)用設(shè)計(jì)與技術(shù)(包括電路設(shè)計(jì)和元器件的選擇、電纜和連接器、濾波器和浪涌保護(hù)裝置、屏蔽)、PCB的電磁兼容設(shè)計(jì)和技術(shù)(包括隔離和接口抑制、PCB與底板的搭接、0V參考面和電源參考面、包含掩埋電容在內(nèi)的去耦合技術(shù)、傳輸線、包含微化孔在內(nèi)的布線和層疊技術(shù)、PCB設(shè)計(jì)中最后需要提及的一些問(wèn)題)、設(shè)備和系統(tǒng)安裝中的電磁兼容技術(shù)(包括設(shè)備安裝中的EMC技術(shù)、產(chǎn)品裝配中的EMC技術(shù)、濾波和屏蔽技術(shù)、正確選用濾波器、良好EMC工程技術(shù)在工業(yè)機(jī)柜設(shè)計(jì)和構(gòu)成中的實(shí)施、系統(tǒng)設(shè)備及其電纜的EMC通用安裝指南)和電磁兼容測(cè)試方法的設(shè)計(jì)和技術(shù)(包括輻射發(fā)射測(cè)試、傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試、快速瞬態(tài)猝發(fā)、浪涌和靜電放電的測(cè)試、輻射抗擾度測(cè)試、傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試、現(xiàn)場(chǎng)EMC測(cè)試方法)。
本書(shū)適合從事EMC設(shè)計(jì)、管理人員閱讀,也適合參加EMC培訓(xùn)的師生選作教材。

書(shū)籍目錄

第1篇電磁兼容的實(shí)用設(shè)計(jì)和技術(shù)
第1章電路設(shè)計(jì)和元器件的選擇
1.1EMC數(shù)字元器件和電路設(shè)計(jì)
1.1.1元器件的選擇
1.1.2批次和掩模縮小問(wèn)題
1.1.3IC插座是問(wèn)題的根源之一
1.1.4電路技術(shù)
1.1.5擴(kuò)展頻譜時(shí)鐘
1.2模擬元器件和電路設(shè)計(jì)
1.2.1模擬元器件的選擇
1.2.2防止解調(diào)問(wèn)題
1.2.3其他模擬電路技術(shù)
1.3開(kāi)關(guān)模式設(shè)計(jì)
1.3.1IC布局和器件選擇
1.3.2阻尼
1.3.3散熱器
1.3.4整流器
1.3.5有關(guān)磁性元件的問(wèn)題及其解決辦法
1.3.6用于開(kāi)關(guān)模式的擴(kuò)展頻譜時(shí)鐘
1.4信號(hào)通信元件和電路設(shè)計(jì)
1.4.1非金屬通信為最佳選擇
1.4.2金屬通信技術(shù)
1.4.3光隔離
1.4.4外部I/O保護(hù)
1.4.5“不接大地”和“浮地”通信
第2章電纜和連接器
2.1頻譜的使用和騷擾的可能性
2.2導(dǎo)體的漏電和天線效應(yīng)
2.3所有電纜都會(huì)受其內(nèi)在的電阻、電容和電感的影響
2.4避免導(dǎo)體的使用
2.5電纜的分離和路由選擇
2.6如何獲得電纜的最佳性能
2.6.1傳輸線
2.6.2選用產(chǎn)品內(nèi)外導(dǎo)體時(shí)的EMC考慮
2.6.3發(fā)送和返回信號(hào)的成對(duì)導(dǎo)體
2.6.4從屏蔽電纜中獲取其最佳性能:屏蔽
2.6.5從屏蔽電纜中獲取其最佳性能:屏蔽的終止方法
2.6.6在電纜兩端都完成屏蔽的終止
2.7如何獲得連接器的最佳性能
2.7.1非屏蔽連接器
2.7.2PCB之間的連接
2.7.3屏蔽的連接器
第3章濾波器和浪涌保護(hù)裝置
3.1濾波器的工作原理
3.2軟性鐵氧體的優(yōu)點(diǎn)
3.3共模(CM)和差模(DM)
3.4選用濾波器的簡(jiǎn)單經(jīng)驗(yàn)規(guī)則
3.5電感量隨電流的變化而改變
3.6濾波器技術(shù)規(guī)范的規(guī)定
3.7實(shí)踐中的阻抗問(wèn)題
3.8大地漏電電流和安全
3.9有用信號(hào)的頻率和敏感性問(wèn)題
3.10濾波器的接地
3.11濾波器和屏蔽的最佳協(xié)調(diào)
3.12濾波器的結(jié)構(gòu)、安裝和電纜的敷設(shè)
3.13浪涌保護(hù)裝置(SPD)
3.13.1SPD的類型
3.13.2數(shù)據(jù)線上是否需要SPD?
3.13.3SPD和數(shù)據(jù)完整性
3.13.4SPD的等級(jí)
3.13.5SPD及其熔絲
3.13.6SPD的安裝
3.13.7地電位提升問(wèn)題
第4章屏蔽
4.1屏蔽的一般概念
4.2較大的和矩形的屏蔽罩性能較好
4.3趨膚效應(yīng)
4.4縫隙
4.5低頻(磁場(chǎng))屏蔽
4.6截止頻率以下的波導(dǎo)技術(shù)
4.7密封襯墊
4.8顯示器件和類似器件的屏蔽
4.9通風(fēng)裝置縫隙的屏蔽
4.10使用金屬噴涂(導(dǎo)電漆)或電鍍塑料進(jìn)行屏蔽
4.11非金屬屏蔽
4.12由于不恰當(dāng)屏蔽造成的傳導(dǎo)測(cè)試失敗
4.13屏蔽罩殼的安裝
4.14使用在PCB一級(jí)上的屏蔽
第2篇PCB的電磁兼容設(shè)計(jì)和技術(shù)
第1章隔離和接口抑制
1.1隔離技術(shù)簡(jiǎn)介
1.2PCB層次上的屏蔽
1.2.1PCB上采取屏蔽措施的原因
1.2.2PCB層次上的屏蔽綜述
1.2.3PCB上屏蔽罩殼的類型
1.2.4PCB上屏蔽罩殼的固定和安裝
1.2.5PCB屏蔽罩殼的材料
1.2.6屏蔽罩殼上的孔洞和縫隙
1.2.7截止頻率以下波導(dǎo)技術(shù)
1.2.8近場(chǎng)對(duì)屏蔽的影響
1.2.9空腔諧振
1.3互連接和屏蔽
1.4屏蔽和濾波技術(shù)的組合應(yīng)用
1.5屏蔽和散熱技術(shù)的組合應(yīng)用
1.6PCB層次上的濾波
1.6.1PCB層次上采用濾波技術(shù)的原因
1.6.2PCB層次上的濾波技術(shù)綜述
1.6.3高性能的濾波要求一個(gè)高質(zhì)量的RF參考面
1.6.4單級(jí)低功率和信號(hào)PCB濾波器的設(shè)計(jì)
1.6.5PCB層次上的電源濾波器
1.6.6屏蔽連接器的濾波
1.7離板互連接的設(shè)置
第2章PCB與底板的搭接
2.1PCB與底板的搭接簡(jiǎn)介
2.1.1什么是“底板”?
2.1.2什么是“搭接”?
2.1.3混合型搭接
2.1.4“地環(huán)路”和傳統(tǒng)慣例
2.2為什么要把PCB的 0V參考面搭接到底板上?
2.2.1降低轉(zhuǎn)移阻抗
2.2.2更好地控制邊緣場(chǎng)
2.3所關(guān)心的最高頻率
2.4PCB和其底板較為靠近的優(yōu)點(diǎn)
2.5控制PCB與底板間的空腔諧振
2.5.1為什么和怎樣會(huì)形成空腔諧振?
2.5.2波長(zhǎng)準(zhǔn)則
2.5.3通過(guò)增加搭接點(diǎn)的數(shù)目來(lái)提高諧振頻率
2.5.4如果不能使用足夠的搭接點(diǎn)該怎么辦?
2.5.5擴(kuò)展諧振頻率的寬度來(lái)降低它的峰值幅度
2.5.6通過(guò)設(shè)計(jì)來(lái)避開(kāi)引起問(wèn)題頻率上的諧振
2.5.7正確地選用電容器
2.5.8使用電阻器來(lái)阻尼空腔諧振
2.5.9使用吸波器來(lái)阻尼空腔諧振
2.5.10降低容性搭接的阻抗
2.5.11使用屏蔽技術(shù)
2.5.12使用全屏蔽PCB組件
2.6子板和小背板
第3章0V參考面和電源參考面
3.1參考面簡(jiǎn)介
3.2參考面的設(shè)計(jì)問(wèn)題
3.2.1參考面尺寸
3.2.2參考面上縫隙和孔洞的處理
3.2.3網(wǎng)狀柵格和銅質(zhì)充填
3.2.4器件與參考面間的連接
3.2.5隔熱襯墊
3.2.6元器件的設(shè)置
3.2.7充填和網(wǎng)格
3.2.80V參考面中的諧振
3.2.9參考面對(duì)中的空腔諧振
3.2.10降低來(lái)自參考面對(duì)的側(cè)面射擊發(fā)射
3.2.11為主動(dòng)信號(hào)和電源選擇正確的通孔位置
3.2.12何時(shí)和如何變更線條的層次?
3.2.13用于安裝DC/DC變換器和時(shí)鐘的元件層面
3.30V參考面的分割已不再是一個(gè)良好的實(shí)踐
3.4線條必須跨越一個(gè)分割的0V或電源參考面的情況
3.5高密度互連接(HDI)、堆焊和微化孔PCB技術(shù)
3.6全屏蔽PCB組件
第4章包括掩埋電容在內(nèi)的去耦合技術(shù)
4.1去耦合簡(jiǎn)介
4.2使用分立電容器進(jìn)行去耦合
4.2.1在電路的什么位置上需要使用去耦電容?
4.2.2在IC和多芯片模塊中設(shè)置去耦電容的好處
4.2.3需要使用多大電容量的去耦電容?
4.2.4去耦電容的類型
4.2.5減小電流環(huán)路尺寸的布局
4.2.6去耦電容的串聯(lián)諧振
4.2.7在去耦合中鐵氧體的使用
4.2.8把一個(gè)去耦電容分割為二
4.2.9以并聯(lián)的方式使用多個(gè)去耦電容
4.2.10降低去耦電容ESL的其他方法
4.3使用0V/電源參考面對(duì)的去耦合
4.3.1使用0V/電源參考面對(duì)的去耦合效益簡(jiǎn)介
4.3.2一個(gè)0V/電源參考面對(duì)的分布電容
4.3.3使用0V/電源參考面對(duì)時(shí)的PCB 0V和電源布線
4.3.4去耦電容的位置
4.3.5當(dāng)使用0V/電源參考面對(duì)時(shí)如何消除去耦電容的并聯(lián)諧振
4.3.6在0V/電源參考面對(duì)中的空腔諧振
4.3.7用去耦電容搭接參考面來(lái)提高諧振頻率
4.3.8由π形濾波器向電源參考面島供電
4.3.9阻尼空腔諧振的峰值
4.3.10參考面的擴(kuò)展電感
4.3.1120H規(guī)則
4.3.12充分利用去耦電容串聯(lián)諧振的優(yōu)點(diǎn)
4.3.13去耦電容壁
4.3.14用于降低發(fā)射的其他0V/電源參考面對(duì)技術(shù)
4.3.15掩埋電容技術(shù)
第5章傳輸線
5.1PCB上的匹配傳輸線
5.1.1簡(jiǎn)介
5.1.2傳播速度v和特性阻抗Z0
5.1.3阻抗非連續(xù)性效應(yīng)
5.1.4保持Z0為恒定值的效果
5.1.5時(shí)域反射測(cè)量技術(shù)
5.1.6什么時(shí)候需要使用匹配傳輸線?
5.1.7現(xiàn)代產(chǎn)品中使用匹配傳輸線的重要性
5.1.8問(wèn)題的關(guān)鍵所在是信號(hào)的真實(shí)上升/下降時(shí)間
5.1.9噪聲和抗擾度問(wèn)題應(yīng)該包括在設(shè)計(jì)考慮之中
5.1.10線條兩端的波形計(jì)算
5.1.11兩種常用類型的傳輸線
5.1.12共面?zhèn)鬏斁€
5.1.13容性負(fù)載的影響
5.1.14PCB上設(shè)置測(cè)試線條的需要
5.1.15上升時(shí)間和頻率之間的關(guān)系
5.2傳輸線的終端法
5.2.1終端法的類型
5.2.2驅(qū)動(dòng)器的困難所在
5.2.3傳輸線匹配中折中方案的選擇
5.2.4帶有智能終端器的IC
5.2.5雙向終端法
5.2.6非線性終端技術(shù)
5.2.7終端補(bǔ)償
5.2.8傳輸線端頭上的終端器位置
5.3傳輸線布線的制約
5.3.1一般布線原則
5.3.2通過(guò)電纜離開(kāi)一個(gè)產(chǎn)品的傳輸線
5.3.3產(chǎn)品內(nèi)部PCB間的互連接
5.3.4線條在PCB中變更層次
5.3.5線條穿越PCB參考面的溝槽或縫隙
5.3.6避免線條形成尖銳的拐角
5.3.7利用通孔或去耦電容來(lái)連接返回電流平面
5.3.8通孔短截線的影響
5.3.9通孔周圍區(qū)域布線的選擇和影響
5.3.10PCB疊層和布線所造成的其他影響
5.3.11有關(guān)微帶線的一些問(wèn)題
5.4差分傳輸線的匹配
5.4.1差分信號(hào)簡(jiǎn)介
5.4.2在差分傳輸線中的CM和DM特性阻抗
5.4.3離開(kāi)PCB或穿越分割參考面的差分傳輸線
5.4.4差分信號(hào)傳輸中的失衡控制
5.4.5布線的非對(duì)稱性
5.5介質(zhì)材料的選擇
5.5.1編織基板的影響
5.5.2其他類型的PCB介質(zhì)
5.6阻抗連接器的匹配
5.7屏蔽的PCB傳輸線
5.7.1溝道化帶狀線
5.7.2在PCB內(nèi)部形成一個(gè)全屏蔽的傳輸線
5.8其他的一些有關(guān)問(wèn)題
5.8.1阻抗匹配、變換和AC耦合
5.8.2留有安全裕度是一種良好的工程實(shí)踐
5.8.3濾波
5.8.4CM扼流圈
5.8.5用串行數(shù)據(jù)總線來(lái)代替并行總線
5.8.6FR4和銅材的損耗
5.8.7微帶線的涂敷所帶來(lái)的問(wèn)題
5.8.8搭接導(dǎo)線和插針的影響
第6章包括微化孔在內(nèi)的布線和層疊技術(shù)
6.1布線、層疊和微化孔技術(shù)
6.2布線選擇技術(shù)和技巧
6.3層疊
6.3.1從減小線條與參考面間距中獲益
6.3.2從減小元器件與參考面間距中獲益
6.3.3銅平衡
6.3.4單層PCB
6.3.5雙層PCB
6.3.6四層PCB
6.3.7六層PCB
6.3.8八層PCB
6.3.9多于八層的PCB
6.3.10在工程實(shí)踐中,PCB的層次數(shù)和成本效益的考慮
6.4使用區(qū)域充填或柵格網(wǎng)絡(luò)形成銅平衡的EMC問(wèn)題
6.5PCB中的高密度互連接技術(shù)
6.5.1什么是HDI?
6.5.2HDI的EMC優(yōu)勢(shì)
6.5.3HDI技術(shù)的選用和成本
6.5.4使用HDI技術(shù)時(shí)的 PCB設(shè)計(jì)問(wèn)題
6.6線條的電流容量
6.6.1承受浪涌和瞬態(tài)電流的能力
6.6.2PCB線條所能承受的最大連續(xù)DC和低頻電流
6.6.3在PCB電源分配系統(tǒng)中的電壓降
6.6.4PCB線條所能承受的連續(xù)RF電流的能力
6.6.5關(guān)于電流承受能力計(jì)算精確度的考慮
6.7布局對(duì)瞬態(tài)和浪涌電壓的承受能力
6.7.1線條與線條以及線條與金屬體的間距
第7章PCB設(shè)計(jì)中最后需要提及的一些問(wèn)題
7.1電源與PCB的連接
7.2低介電常數(shù)的介質(zhì)
7.3IC的芯片級(jí)封裝
7.4在板芯片
7.5PCB上的散熱問(wèn)題
7.5.1散熱器對(duì)EMC性能的影響
7.5.2散熱器的RF諧振
7.5.3散熱器與PCB參考面的搭接
7.5.4屏蔽和散熱技術(shù)的結(jié)合使用
7.5.5其他可利用的散熱技術(shù)
7.5.6用于功率器件的散熱技術(shù)
7.6封裝諧振
7.7消除用于探針板(BON)或飛行探頭測(cè)試的測(cè)試盤
7.8未使用的I/O插針
7.9晶體和振蕩器
7.10IC選用技巧
7.11傳輸線端頭上的終端器位置
7.12電磁能帶隙(EBG)
7.13PCB設(shè)計(jì)中最后兩個(gè)需要注意的細(xì)節(jié)
7.14密切注意PCB制造廠商對(duì)層次布局和疊層的改變
7.15生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)EMC設(shè)計(jì)的檢驗(yàn)
7.15.1在設(shè)計(jì)圖上注明用于EMC設(shè)計(jì)的要點(diǎn)或所使用的關(guān)鍵元器件
7.15.2EMC設(shè)計(jì)的質(zhì)量控制步驟
第3篇設(shè)備和系統(tǒng)安裝中的電磁兼容技術(shù)
第1章設(shè)備安裝中的EMC技術(shù)
1.1裝置的分隔和對(duì)它們分別供電的必要性
1.2把發(fā)送和返回電流通路盡可能地緊挨在一起敷設(shè)
1.3網(wǎng)孔化搭接(接大地)網(wǎng)絡(luò)
1.3.1為什么說(shuō)星形搭接不是一個(gè)良好的實(shí)踐方法
1.3.2網(wǎng)孔化公共搭接網(wǎng)絡(luò)(CBN)
1.3.3搭接環(huán)導(dǎo)體
1.3.4搭接墊
1.3.5隔離的搭接網(wǎng)絡(luò)
1.4在電纜兩端同時(shí)完成屏蔽搭接
1.4.1為什么說(shuō)僅在電纜屏蔽的一端完成搭接已不再是一個(gè)良好的實(shí)踐方法?
1.4.2在CBN質(zhì)量很差的情況下應(yīng)該如何處理?
1.4.3當(dāng)制造廠商的應(yīng)用指南要求電纜屏蔽僅在一端搭接的情況
1.4.4當(dāng)相應(yīng)的安全標(biāo)準(zhǔn)禁止使用這些EMC技術(shù)怎么辦?
1.5PEC的類型
1.6搭接電纜的鎧裝
1.7電纜分類、分隔距離和布線
1.7.1電纜的分類等級(jí)
1.7.2電纜間的分隔距離
1.7.3電纜布線
1.8屏蔽機(jī)柜的互連接
第2章產(chǎn)品裝配中的EMC技術(shù)
2.1沿用良好的EMC實(shí)踐
2.2形成一個(gè)本機(jī)RF參考(一個(gè)EMC大地)
2.3最佳化RF性能的搭接方法
2.3.1保護(hù)性搭接(安全性)導(dǎo)體連接
2.3.2與本機(jī)RF參考連接用的短導(dǎo)線或編織帶
2.3.3金屬殼體與本機(jī)RF參考的搭接
2.3.4使用本機(jī)RF參考面作為一個(gè)保護(hù)性搭接導(dǎo)體
2.3.5屏蔽電纜與屏蔽連接器的搭接
2.3.6與本機(jī)RF參考的搭接
2.3.7尾線
2.4在電纜屏蔽的兩端都要完成搭接
2.5濾波器以及它們的設(shè)置和安裝
2.6罩殼屏蔽
2.6.1屏蔽電纜進(jìn)入一個(gè)屏蔽罩殼的情況
2.6.2非屏蔽電纜進(jìn)入一個(gè)屏蔽罩殼的情況
2.6.3一個(gè)已完成內(nèi)部分隔的機(jī)柜
2.6.4門窗、可移去面板、顯示和通風(fēng)裝置的考慮
2.6.5屏蔽罩殼之間的互連接
2.7連接器面板
2.8電纜的等級(jí)和分隔
2.8.1用于計(jì)算技術(shù)器件的I/O電纜
2.8.2當(dāng)附近存在RF發(fā)射機(jī)時(shí)外部電纜的分隔
2.9一個(gè)產(chǎn)品內(nèi)部的布局
第3章濾波和屏蔽技術(shù)
3.1濾波和屏蔽技術(shù)的應(yīng)用
3.2在安裝過(guò)程中分區(qū)的重要性
3.3穿越一個(gè)區(qū)域邊界的耦合
3.3.1公共阻抗傳導(dǎo)耦合
3.3.2不屬于公共阻抗范圍的其他傳導(dǎo)耦合
3.3.3消除傳導(dǎo)耦合的策略和具體做法
3.3.4電容性、電感性和無(wú)線電波的輻射耦合
3.3.5穿越一個(gè)區(qū)域邊界的EM耦合的歸納
3.3.6屏蔽和濾波的最佳協(xié)同應(yīng)用
3.4設(shè)備安裝中的濾波技術(shù)
3.4.1濾波器的目的——衰減金屬化互連接中的噪聲
3.4.2CM和DM的衰減
3.4.3源和負(fù)載阻抗的影響
3.4.4濾波器產(chǎn)生增益問(wèn)題
3.4.5濾波器的頻率響應(yīng)
3.4.6濾波器的設(shè)置位置
3.4.7濾波器的接大地
3.4.8濾波器的連接
3.4.9大地泄漏電流
3.4.10濾波器安全性能的認(rèn)證
3.4.11濾波器的額定值
3.4.12濾波器和過(guò)電壓
3.4.13簡(jiǎn)單的軟鐵氧體濾波器
3.5設(shè)備安裝中的屏蔽
3.5.1區(qū)域屏蔽
3.5.2在很低頻率上的屏蔽
3.5.3對(duì)10kHz以上頻率的屏蔽
3.5.4對(duì)1MHz以上頻率的屏蔽
3.5.5孔洞問(wèn)題
3.5.6門是一個(gè)大問(wèn)題
3.5.7屏蔽罩殼間或屏蔽室間的互連接
3.5.8波導(dǎo)技術(shù)
第4章正確選用濾波器
4.1濾波器技術(shù)指標(biāo)的計(jì)算
4.2阻抗問(wèn)題
4.3AC饋電電源濾波器
4.4信號(hào)濾波器
4.5濾波器的接地
4.6濾波器和屏蔽的最佳協(xié)同應(yīng)用
4.7濾波器構(gòu)成、布局和安裝
4.7.1概述
4.7.2濾波器的安裝位置
4.7.3大地連接
4.7.4濾波器輸入和輸出導(dǎo)線的布線
4.8小結(jié)
第5章良好EMC工程技術(shù)在工業(yè)機(jī)柜設(shè)計(jì)和構(gòu)成中的實(shí)施
5.1形成一個(gè)RF參考
5.1.1RF參考
5.1.2導(dǎo)線、導(dǎo)電帶和編織層的失效
5.1.3要求使用不帶有聚合物鈍化膜的高導(dǎo)電金屬鍍層
5.1.4形成有效的RF搭接
5.1.5有效使用密封襯墊
5.2導(dǎo)線和電纜的布線技巧
5.2.1把發(fā)送和返回通路盡量布置在一起
5.2.2把電纜盡量靠近RF搭接金屬件布線
5.2.3不同類別電纜的分隔
5.2.4如何降低不同類別電纜間的間距
5.2.5使用背板的工業(yè)機(jī)柜內(nèi)部的電纜分隔
5.2.6機(jī)柜安裝設(shè)備中的電纜分隔
5.2.7電纜屏蔽與RF參考的搭接
5.3電路和單元與RF參考的搭接
5.3.1保護(hù)性搭接導(dǎo)體
5.3.2具有絕緣殼體的電氣/電子單元與RF參考的RF搭接
5.3.3具有金屬殼體的電氣/電子單元與RF參考的RF搭接
5.3.4PCB與RF參考的RF搭接
5.3.5電容性和混合型RF搭接
5.3.6安全搭接和RF搭接的結(jié)合使用
5.3.7濾波器的選擇以及與RF參考的搭接
5.3.8最好采用單一的連接器面板
5.3.9VGA顯示屏與RF參考的RF搭接
5.4使用屏蔽的機(jī)柜
5.4.1簡(jiǎn)介
5.4.2進(jìn)出機(jī)柜導(dǎo)體的屏蔽和濾波
5.4.3控制屏蔽機(jī)柜上的縫隙和孔洞
5.4.4密封襯墊的實(shí)際應(yīng)用
第6章系統(tǒng)設(shè)備及其電纜的EMC通用安裝指南
6.1電磁兼容(EMC)的定義
6.2大地和地
6.2.1接大地
6.2.2接地
6.3電纜連接
6.3.1電纜布線的分類
6.3.2電纜和導(dǎo)線連接的準(zhǔn)則
6.3.3降低噪聲
6.4機(jī)柜間電纜的連接
6.4.1機(jī)柜的接地
6.4.2機(jī)柜內(nèi)部電纜和導(dǎo)線的敷設(shè)和布線
6.4.3濾波
6.5屏蔽電纜
6.5.1電纜的選擇
6.5.2如何形成電纜屏蔽的正確連接?
6.5.3應(yīng)該在電纜屏蔽的哪一端完成終止?
6.6已存在設(shè)備中的問(wèn)題
6.6.1IEC 100044/IEC 801/ENG100044測(cè)試
6.6.2鐵氧體的使用
6.6.3其他解決辦法
6.7整體設(shè)計(jì)和布局
6.8幾個(gè)常用概念的定義
6.8.1耦合
6.8.2差模共模
第4篇電磁兼容測(cè)試方法的設(shè)計(jì)和技術(shù)
第1章輻射發(fā)射測(cè)試
1.1輻射發(fā)射測(cè)試
1.1.1近場(chǎng)探頭
1.1.2電流探頭
1.1.3故障檢測(cè)器
1.1.4天線
1.1.5在研制、診斷和質(zhì)量保障測(cè)試中示波器的使用
1.1.6在研制、診斷和質(zhì)量保障測(cè)試中頻譜分析儀的使用
1.1.7在研制、診斷和質(zhì)量保證測(cè)試中無(wú)線電接收機(jī)的使用
1.1.8預(yù)符合測(cè)試
1.1.9可重復(fù)性以及“金產(chǎn)品”測(cè)試
1.1.10開(kāi)放測(cè)試場(chǎng)地和封閉測(cè)試場(chǎng)地
1.1.11系統(tǒng)和設(shè)備的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試
1.1.12完整符合性測(cè)試
第2章傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試
2.1傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試中使用的感應(yīng)器(換能器)
2.1.1近場(chǎng)探頭
2.1.2故障檢測(cè)器
2.1.3電流探頭
2.1.4吸收鉗
2.1.5電壓探頭
2.1.6由于阻抗的變化在非侵入式測(cè)量中引入的誤差
2.1.7LISN和AMN
2.1.8在使用LISN情況下的CM和DM的測(cè)量
2.1.9瞬態(tài)限制器
2.1.10ISN
2.2研制、診斷以及QA測(cè)試
2.2.1使用示波器
2.2.2使用低成本的頻譜分析儀
2.2.3使用無(wú)線電接收機(jī)
2.3預(yù)符合測(cè)試
2.4系統(tǒng)和設(shè)備的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試
2.5完整符合性測(cè)試
2.5.1電網(wǎng)電源的傳導(dǎo)測(cè)試
2.5.2通信電纜
2.5.3騷擾電源的測(cè)試
2.6非連續(xù)性騷擾
2.7傳導(dǎo)和輻射發(fā)射測(cè)試對(duì)測(cè)量?jī)x器的要求
第3章快速瞬態(tài)猝發(fā)、浪涌和靜電放電的測(cè)試
3.1快速瞬態(tài)猝發(fā)(FTB)
3.1.1標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試的細(xì)節(jié)
3.1.2完整符合性FTB測(cè)試
3.1.3現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試
3.1.4其他類型的FTB發(fā)生器
3.2浪涌
3.2.1完整符合性測(cè)試
3.2.2現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試
3.2.3浪涌測(cè)試發(fā)生器的選擇和替代
3.3靜電放電(ESD)
3.3.1ESD的完整符合性測(cè)試
3.3.2現(xiàn)場(chǎng)ESD測(cè)試
3.3.3其他的一些ESD發(fā)生器
3.4抗擾度測(cè)試期間如何確定問(wèn)題所在?
3.4.1測(cè)試儀器
3.4.2局部抗擾度測(cè)試
第4章輻射抗擾度測(cè)試
4.1產(chǎn)品可靠性和功能安全性的抗擾度測(cè)試
4.2輻射場(chǎng)測(cè)試和它的主要問(wèn)題簡(jiǎn)介
4.2.1防止泄漏和確保場(chǎng)的均勻度
4.2.2模擬和數(shù)字電路對(duì)RF場(chǎng)的高敏感度和敏感度的非線性
4.2.3使用已調(diào)制的RF波形
4.2.4確定一個(gè)工程裕度
4.2.5測(cè)試期間的性能指標(biāo)和功能測(cè)量
4.3其他替代測(cè)試方法
4.3.1近場(chǎng)探頭
4.3.2電壓注入探頭
4.3.3串?dāng)_注入技術(shù)
4.3.4擁有許可證的無(wú)線電發(fā)射機(jī)
4.3.5傳導(dǎo)測(cè)試方法
4.3.6帶狀線\[橫向電磁模式(TEM)器件\]
4.3.7小型測(cè)試單元
4.3.8使用IEC608013測(cè)試方法
4.3.9攪拌模測(cè)試室
4.4替代測(cè)試方法與EN6100043間的相關(guān)性
4.5現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試
4.6完整符合性測(cè)試
4.6.1測(cè)試設(shè)備
4.6.2信號(hào)源
4.6.3RF功率放大器
4.6.4場(chǎng)強(qiáng)的監(jiān)測(cè)
4.6.5換能器
4.6.6測(cè)試設(shè)施
4.6.7室諧振
4.6.8場(chǎng)均勻度
4.6.9輔助設(shè)備
4.6.10測(cè)試方法
4.6.11初步檢查
4.6.12符合性測(cè)試
4.6.13掃描速度和步進(jìn)尺度
第5章傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試
5.1傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試簡(jiǎn)介
5.1.1注入一個(gè)合理精度的RF電壓(或電流)
5.1.2防止泄漏
5.1.3模擬和數(shù)字半導(dǎo)體器件對(duì)RF的非線性敏感度
5.1.4確定一個(gè)工程裕度
5.1.5對(duì)EUT性能進(jìn)行監(jiān)測(cè),以便防止它的性能在測(cè)試過(guò)程中會(huì)下降過(guò)多
5.2替代的感應(yīng)器和測(cè)試方法
5.2.1近場(chǎng)探頭
5.2.2電壓注入探頭
5.2.3串?dāng)_注入技術(shù)
5.2.4有運(yùn)行許可證的無(wú)線電發(fā)射機(jī)
5.2.5大電流注入(BCI)
5.2.6用一個(gè)CDN直接注入
5.2.7電磁鉗
5.2.8有關(guān)測(cè)試裝置的一些注意事項(xiàng)
5.3信號(hào)發(fā)生器和功率放大器
5.3.1替代類型的信號(hào)發(fā)生器
5.3.2RF功率放大器
5.4替代測(cè)試方法與EN6100046方法間的相關(guān)性
5.5現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試
5.6完整的符合性傳導(dǎo)RF抗擾度測(cè)試
5.6.1發(fā)生器
5.6.2感應(yīng)器
5.6.3校準(zhǔn)和電平要求
5.6.4測(cè)試裝置
第6章現(xiàn)場(chǎng)EMC測(cè)試方法
6.1簡(jiǎn)介
6.2范圍
6.3參考標(biāo)準(zhǔn)
6.4定義
6.5場(chǎng)地的描述
6.6驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)
6.6.1簡(jiǎn)介
6.6.2檢收標(biāo)準(zhǔn)
6.7測(cè)試期間的條件和狀況
6. 8文件的編制
6.8.1測(cè)試文件的編制
6.8.2測(cè)試報(bào)告
6.9適用范圍
6.9.1簡(jiǎn)化測(cè)試條件1
6.9.2簡(jiǎn)化測(cè)試條件2
6.9.3簡(jiǎn)化測(cè)試條件3
6.9.4簡(jiǎn)化測(cè)試條件4
6.10發(fā)射測(cè)試要求
6.10.1簡(jiǎn)介
6.10.2驗(yàn)收準(zhǔn)則
6.11抗擾度測(cè)試要求
6.11.1簡(jiǎn)介
6.11.2機(jī)殼端口
6.11.3信號(hào)、數(shù)據(jù)和控制端口
6.11.4輸入和輸出DC電源端口
6.11.5輸入和輸出AC電源端口
6.11.6功能性大地端口
6.12發(fā)射測(cè)量的應(yīng)用說(shuō)明
6.12.1執(zhí)行測(cè)試的人員
6.12.2測(cè)試計(jì)劃和測(cè)試報(bào)告
6.12.3執(zhí)行發(fā)射測(cè)試前EMC測(cè)試設(shè)備的檢驗(yàn)
6.12.4傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試
6.12.5輻射發(fā)射測(cè)試
6.13抗擾度測(cè)量的應(yīng)用說(shuō)明
6.13.1對(duì)執(zhí)行測(cè)試的工程技術(shù)人員的一點(diǎn)要求
6.13.2測(cè)試計(jì)劃
6.13.3抗擾度測(cè)試設(shè)備的檢驗(yàn)
6.13.4工頻磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試
6.13.5輻射RF電磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試
6.13.6靜電放電(ESD)抗擾度測(cè)試
6.13.7傳導(dǎo)RF抗擾度測(cè)試
6.13.8測(cè)試
6.13.9浪涌
6.13.10電壓驟降、丟失和中斷

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