集成電路制造工藝

內(nèi)容概要

本書是依據(jù)高等職業(yè)教育的特點編寫的，是一本將集成電路的制造工藝原理和制造技術(shù)融為一體的教材。    由于硅器件占據(jù)了微電子產(chǎn)品的絕大部分領(lǐng)域，所以本教材以硅平面工藝為主線，同時也介紹砷化鎵之類其他工藝。本書共15章，介紹了硅單晶制備；外延、氧化、濺射（蒸發(fā)）、化學(xué)氣相淀積等薄膜制備技術(shù)；擴散、離子注入等摻雜技術(shù)；制版、光刻、刻蝕、CAD等圖形加工技術(shù)；金屬化和平坦化、組裝工程、產(chǎn)品可靠性，以及潔凈技術(shù)、去離子水制備等外圍加工技術(shù)。    本書適合作為高職高專電子信息技術(shù)相關(guān)專業(yè)的教材，也適合作為從事微電子專業(yè)的中高級技術(shù)工人的培訓(xùn)教材。

書籍目錄

出版說明前言第1章 緒論  1.1 微電子器件工藝的發(fā)展歷史  1.2 集成電路的發(fā)展歷史  1.3 集成電路制造工藝實例第2章 硅的晶體結(jié)構(gòu)和硅單晶體制備  2.1 硅的晶體結(jié)構(gòu)  2.2 硅晶體中的缺陷和雜質(zhì)  2.3 硅單晶體制備  2.4 硅單晶的加工及質(zhì)量要求  2.5 習(xí)題第3章 氧化及熱處理  3.1 二氧化硅的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)和用途  3.2 硅的熱氧化  3.3 二氧化硅生長的其他方法  3.4 二氧化硅膜質(zhì)量控制  3.5 熱處理  3.6 習(xí)題第4章 摻雜  4.1 擴散原理及模型  4.2 擴散方法  4.3 擴散層參數(shù)測量和質(zhì)量分析  4.4 離子注入  4.5 習(xí)題第5章 光刻  5.1 光刻的工藝要求  5.2 光刻膠的組成材料及感光原理  5.3 光刻工藝  5.4 光刻質(zhì)量分析  5.5 習(xí)題第6章 刻蝕……第7章 化學(xué)氣相淀積第8章 物理氣相淀積第9章 制版第10章 金屬化與平坦化第11章 潔凈技術(shù)第12章 去離子水制備及廢水處理第13章 組裝工藝第14章 器件的可靠性第15章 ULSI工藝總匯附錄參考文獻

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