功率晶體管原理

內(nèi)容概要

　　《功率晶體管原理》首先介紹Si和SiC材料的基本物理特性、PN結(jié)的終端造型技術(shù)，并討論肖特基二極管、PIN整流二極管、功率晶體管的基本結(jié)構(gòu)與特征參數(shù)；然后深入討論功率MOSFET和IGBT的元胞結(jié)構(gòu)、阻斷特性、正向?qū)ㄌ匦?、開關(guān)特性及其基礎(chǔ)工藝。 《功率晶體管原理》可以作微電子技術(shù)與微電子學、電子科學與電子技術(shù)、電力電子技術(shù)專業(yè)本科生教材或教學參考書。

書籍目錄

第1章　材料參數(shù)物理1.1　半導體的晶體結(jié)構(gòu)1.2　能帶理論1.3　熱平衡載流子1.4　硅中載流子遷移率1.5　硅的電阻率1.6　壽命1.7　電流方程和連續(xù)方程1.8　SiC材料特性及器件工藝特點習題參考文獻第2章　PN結(jié)的擊穿與終端造型技術(shù)2.1　PN結(jié)空間電荷區(qū)的電場和電位分布2.2　雪崩擊穿2.3　柱面結(jié)與球面結(jié)2.4　臺面終端2.5　刻蝕造型與鈍化2.6　離子注入展寬PN結(jié)終端2.7　浮置限場環(huán)2.8　場板2.9　限場環(huán)與場板復合結(jié)構(gòu)習題參考文獻第3章　功率整流二極管3.1　肖特基整流二極管3.2　碳化硅肖特基勢壘整流二極管3.3　PIN整流二極管3.4　PIN肖特基組合整流二極管（MPS）習題參考文獻第4章　雙極功率晶體管4.1　大注入效應(yīng)4.2　基區(qū)擴展效應(yīng)4.3　發(fā)射極電流的集邊效應(yīng)4.4　動態(tài)開關(guān)特性4.5　靜態(tài)阻斷特性4.6　達林頓功率晶體管4.7　晶體管的最大耗散功率4.8　二次擊穿和安全工作區(qū)4.9　巨型功率晶體管的設(shè)計與制造（GTR）分析習題參考文獻第5章　功率MOSFET5.1　基本結(jié)構(gòu)和工作原理5.2　電容—電壓特性（C—V特性）5.3　伏安特性5.4　靜態(tài)阻斷特性5.5　正向?qū)ㄌ匦?.6　反向?qū)ㄌ匦?.7　頻率特性5.8　開關(guān)特性5.9　安全工作區(qū)5.10　器件結(jié)構(gòu)和工藝5.11　碳化硅功率MOSFET習題參考文獻第6章　絕緣柵雙極晶體管6.1　IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理6.2　穩(wěn)態(tài)阻斷特性6.3　正向?qū)ㄌ匦?.4　非穿通和穿通型IGBT的I—V特性6.5　閂鎖電流密度6.6　安全工作區(qū)（S—O—A）6.7　安全工作區(qū)的模擬實驗分析6.8　開關(guān)特性6.9　開關(guān)特性的模擬實驗分析6.10　IGBT新結(jié)構(gòu)習題參考文獻

編輯推薦

　　《功率晶體管原理》主要討論功率半導體器件集成結(jié)構(gòu)的基本元胞、基本原理和基礎(chǔ)工藝等。全書共6章，第1章為材料參數(shù)物理。討論半導體材料的晶體結(jié)構(gòu)、能帶理論和材料參數(shù)。第2章討論PN結(jié)的擊穿和終端造型技術(shù)，第3章至第6章分別討論功率肖特基整流二極管、PIN二極管、功率晶體管、功率MOSFET和IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理和器件參數(shù)，及其制造工藝。這5類器件是功率器件中最典型的結(jié)構(gòu)。它們的基本工作原理也是闡述其他功率器件工作原理的基礎(chǔ)。另外還編入了SiC材料特性、SiC器件制造工藝的特點以及研制的進展。除了不斷地改進器件的結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)之外，尋找制造功率器件的新材料是很重要的。SiC材料比Si具有禁帶寬度大、擊穿強度高、熱導率高和飽和漂移速度快等優(yōu)良特性，因此SiC是制造高頻、大功率、耐高溫和抗輻射功率器件的理想材料。 《功率晶體管原理》內(nèi)容與《晶體管原理》連接，具有從材料參數(shù)物理到器件結(jié)構(gòu)、原理和工藝的較完整的體系。它可作為微電子技術(shù)與微電子學、電子科學與電子技術(shù)專業(yè)的教材，也可供電力電子技術(shù)相關(guān)專業(yè)的本科生和研究生參考。

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