細(xì)晶鋁錠的研究及其應(yīng)用

內(nèi)容概要

細(xì)晶鋁錠是采用純鋁的電解設(shè)備，通過向鋁電解槽中添加Al203和Ti02的混合物，直接電解生產(chǎn)的鈦的質(zhì)量分?jǐn)?shù)不高于0．20％，經(jīng)細(xì)晶鋁錠晶粒細(xì)化能力試驗(yàn)，晶粒平均直徑不大于350um的晶粒細(xì)化的鋁錠。全書共分為6章，分別介紹了細(xì)晶鋁錠的研究及其應(yīng)用狀況、細(xì)晶鋁錠電解過程的電化學(xué)行為及電解質(zhì)性質(zhì)、細(xì)晶鋁錠的晶粒細(xì)化能力及其組織性能、細(xì)晶鋁錠熔煉6063鋁合金工藝及性能、細(xì)晶鋁錠熔煉A356鋁合金工藝及性能、細(xì)晶鋁錠熔煉3003鋁合金工藝及性能等方面的研究。 本書內(nèi)容豐富，密切結(jié)合細(xì)晶鋁錠的生產(chǎn)及應(yīng)用過程進(jìn)行科學(xué)研究，可供大專院校教師、研究生了解細(xì)晶鋁錠產(chǎn)品的研究和應(yīng)用狀況及進(jìn)行相關(guān)的科學(xué)研究，以及指導(dǎo)鋁電解廠、鋁加工廠進(jìn)行細(xì)晶鋁錠的生產(chǎn)及應(yīng)用。

書籍目錄

第1章 緒論　1.1  前言　1.2　細(xì)晶鋁錠的電解生產(chǎn)　1.3　細(xì)晶鋁錠的細(xì)化能力　1.4　細(xì)晶鋁錠的細(xì)化機(jī)理　1.5　細(xì)晶鋁錠的工業(yè)應(yīng)用　1.6　結(jié)論第2章 細(xì)晶鋁錠電解過程的電化學(xué)行為及電解質(zhì)性質(zhì)　2.1　熔鹽電解法制取鋁合金的國內(nèi)外研究　2.2　細(xì)晶鋁錠電解過程的電化學(xué)行為　2.3　細(xì)晶鋁錠電解過程的電解質(zhì)性質(zhì)第3章 細(xì)晶鋁錠的電解、鑄造工藝及其組織性能　3.1　鋁合金晶粒細(xì)化的國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀　3.2　細(xì)晶鋁錠的電解工藝　3.3　鑄造工藝參數(shù)對細(xì)晶鋁錠晶粒細(xì)化能力的影響　3.4　細(xì)晶鋁錠晶粒細(xì)化能力　3.5　硼、稀土對細(xì)晶鋁錠微觀組織的影響　3.6　鈧、鋯對細(xì)晶鋁錠微觀組織的影響第4章 細(xì)晶鋁錠熔煉6063鋁合金工藝及性能　4.1　Al—Mg—Si系合金的國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀　4.2　細(xì)晶鋁錠熔煉6063鋁合金的工藝　4.3　細(xì)晶鋁錠熔煉的6063鋁合金鑄態(tài)組織　4.4　細(xì)晶鋁錠熔煉的6063鋁合金力學(xué)性能與表面性能　4.5　細(xì)晶鋁錠熔煉的6063鋁合金均勻化工藝及變形性能　4.6　細(xì)晶鋁錠熔煉的6063鋁合金時(shí)效工藝第5章 細(xì)晶鋁錠熔煉A356鋁合金工藝及性能　5.1　Al—Si系合金的國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀　5.2　細(xì)晶鋁錠熔煉A356鋁合金的工藝研究　5.3　A356鋁合金變質(zhì)及細(xì)化方法優(yōu)化　5.4　聯(lián)合細(xì)化及變質(zhì)對A356鋁合金微觀組織的影響　5.5　聯(lián)合細(xì)化及變質(zhì)對A356鋁合金力學(xué)性能的影響第6章 細(xì)晶鋁錠熔煉3003鋁合金工藝及性能　6.1　Al-Mn系合金的國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀　6.2　細(xì)晶鋁錠熔煉3003鋁合金的工藝　6.3　細(xì)晶鋁錠熔煉的3003鋁合金鑄態(tài)組織性能附錄　中華人民共和國有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)YS／T 489—2005《細(xì)晶鋁錠》

章節(jié)摘錄

版權(quán)頁：插圖：硅晶體生長機(jī)制的變化導(dǎo)致其形態(tài)的改變。硅與鋁的共晶結(jié)晶屬于“小平面／小平面”共生，硅相具有微觀光滑界面，是結(jié)晶的領(lǐng)先相，生長速度比鋁相快，硅晶體生長的各向異性導(dǎo)致其產(chǎn)生不規(guī)則形態(tài)，如分散的針片狀。鈉變質(zhì)后，硅相的生長速度受阻滯失去領(lǐng)先作用，共生性質(zhì)接近“小平面／非小平面”生長，形成互相協(xié)調(diào)的較規(guī)則的纖維狀硅晶體。（2）界面臺(tái)階機(jī)制該理論認(rèn)為：鋁硅合金未變質(zhì)時(shí)，硅晶體表面上生成孿晶的概率小，且其熔解度極小。而在晶體生長前沿的液固界面上存在很多界面臺(tái)階，這些臺(tái)階易于接納鋁液中的硅原子或硅原子八面體，使得硅晶體沿晶向擇優(yōu)生長成為片狀。變質(zhì)后，鈉原子優(yōu)先吸附于該界面臺(tái)階處，鈍化了界面臺(tái)階生長源，使它很難再接納硅原子。同時(shí)，鈉原子吸附并嵌在硅晶體生長前沿靠近密排（111）的晶面處，由于鈉原子半徑（0.190nm）比硅原子大（0.124nm），這使得密排面表層原子的排列發(fā)生變化，從而在與其垂直的側(cè)面上形成大量的孿晶，而后孿晶凹谷取代了界面臺(tái)階接納硅原子，成為硅晶體的生長源。根據(jù)晶格理論計(jì)算變質(zhì)劑與硅二者的原子半徑比等于1.648時(shí)（鈉硅原子半徑的比值為1.533），最易誘發(fā)孿晶。經(jīng)變質(zhì)的硅晶體按照孿晶凹谷機(jī)制生長成為高度分散的樹枝狀，晶體主干沿晶向生長，分支則沿系列生長。

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《細(xì)晶鋁錠的研究及其應(yīng)用》由鄭州大學(xué)出版社出版。

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