硅基納米光電子技術(shù)

內(nèi)容概要

硅基納米光電子技術(shù)是納米半導(dǎo)體技術(shù)和半導(dǎo)體光電子技術(shù)領(lǐng)域中的一個(gè)新學(xué)科分支，旨在研究各種硅基納米材料的制備方法、結(jié)構(gòu)特性、光電性質(zhì)、器件應(yīng)用以及光電子集成等。作者結(jié)合自己的工作，對(duì)上述內(nèi)容進(jìn)行了介紹與評(píng)論。全書共分兩部分：第一章至第六章主要介紹了硅基納米薄膜、硅納米線和硅基光子晶體等硅基納米結(jié)構(gòu)的制備方法與發(fā)光特性；第七章至第十章著重介紹了硅基光發(fā)射器件、硅基光波導(dǎo)器件和硅基光接收器件等硅基光電子器件的制作與集成。本書可供從事納米半導(dǎo)體薄膜材料與納米光電子器件研究的科技工作者參考，也可供高等院校電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)的教師、研究生和本科生閱讀。

書籍目錄

緒論參考文獻(xiàn)第一章　Si基納米材料的結(jié)構(gòu)性質(zhì)  1.1  Si基納米材料的結(jié)構(gòu)類型    1.1.1  鑲嵌在Si0x膜層中的nc-Si    1.1.2  nc-Si／Si02超晶格    1.1.3  Si或Ge納米量子點(diǎn)    1.1.4  Ge／Si量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié)    1.1.5  Ge／Si納米量子線與量子環(huán)    1.1.6  超小結(jié)構(gòu)尺寸的si納米團(tuán)簇    1.1.7  摻稀土元素Er的nc—Si：Er3十／Si02薄膜  1.2  半導(dǎo)體量子點(diǎn)的電子結(jié)構(gòu)    1.2.1  箱形量子點(diǎn)　  1.2.2  球形量子點(diǎn)　  1.2.3  Ⅱ型量子點(diǎn)　1.3　各種Si基納米結(jié)構(gòu)的電子性質(zhì)　　1.3.1  晶體Si的能帶結(jié)構(gòu)　　1.3.2　Si納米晶粒    1.3.3　超小尺寸Si納米團(tuán)簇    1.3.4　Si02／Si薄層及其超晶格結(jié)構(gòu)      1.3.5　Ge／Si量子點(diǎn)及其多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)  參考文獻(xiàn)第二章　Si基納米薄膜的制備方法  2.1　等離子體化學(xué)氣相沉積    2.1.1  高H2稀釋SiH的PECVD生長(zhǎng)    2.1.2　nc—Si的PECVD生長(zhǎng)與后退火處理  2.2　低壓化學(xué)氣相沉積    2.2.1　Si—OH終端Si02表面上Si納米量子點(diǎn)生長(zhǎng)    2.2.2　LPCVD生長(zhǎng)Si納米量子點(diǎn)的沉積機(jī)理  2.3　激光燒蝕沉積    2.3.1　nc-Si膜的脈沖激光燒蝕沉積    2.3.2　a—Si膜的脈沖激光退火晶化  2.4　分子束外延與超高真空化學(xué)氣相沉積    2.4.1　基于S-K模式的量子點(diǎn)生長(zhǎng)    2.4.2　Ge／Si量子點(diǎn)的UHV-CVD生長(zhǎng)  2.5　SiOz層中的高劑量Si離子注入  2.6　非晶Si02層的高能電子輻照  參考文獻(xiàn)第三章　有序Si基納米材料的自組織生長(zhǎng)  3.1  晶粒有序Si基納米材料的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)  3.2　有序Si基納米發(fā)光材料的自組織化生長(zhǎng)    3.2.1　通過控制納米結(jié)構(gòu)成核位置的生長(zhǎng)……第四章　Si納米線的光電特性與制備方法第五章　Si基光子晶體的制備技術(shù)第六章　Si基納米薄膜材料的發(fā)光特性第七章　Si基光發(fā)射器件參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

　　第一章　Si基納米材料的結(jié)構(gòu)性質(zhì)　　Si基納米材料一般是指結(jié)構(gòu)尺寸至少在一個(gè)維度上為幾個(gè)納米的Si納米量子點(diǎn)、Si納米團(tuán)簇，鑲嵌在Si0x（x

圖書封面

評(píng)論、評(píng)分、閱讀與下載

---

    硅基納米光電子技術(shù) PDF格式下載

---