真空微電子學(xué)及其應(yīng)用

出版時間:2002-4  出版社:東南大學(xué)出版社  作者:王保平 編  

內(nèi)容概要

真空微電子學(xué)是一門新興交叉學(xué)科,涉及到真空電子學(xué)、微電子學(xué)、薄膜技術(shù)和材料科學(xué)等多門學(xué)科和技術(shù)。本書從真空微電子學(xué)的形成、發(fā)展歷史和最新動態(tài)出發(fā),系統(tǒng)地介紹了真空微電子學(xué)的物理基礎(chǔ),即場致發(fā)射理論和其他相關(guān)物理原理,詳細(xì)地討論了微細(xì)結(jié)構(gòu)制造技術(shù)、真空微電子器件工作特性的數(shù)值模擬和器件結(jié)構(gòu)設(shè)計,著重闡述了真空微電子學(xué)的應(yīng)用及其對未來電子學(xué)發(fā)展的巨大影響。     本書可作為高等院電子信息技術(shù)、通信技術(shù)、微電子學(xué)及相關(guān)專業(yè)的高年級本科生教材,也可供從事真空微電子學(xué)研究與開發(fā)的專業(yè)技術(shù)人員參考。

書籍目錄

1 緒論  1.1 引言   1.2 真空微電子學(xué)的發(fā)展歷史  1.3 真空微電子學(xué)的特點(diǎn)和內(nèi)容  1.4 真空微電子學(xué)的應(yīng)用與發(fā)展趨勢  思考題與習(xí)題  參考文獻(xiàn) 2 場致發(fā)射  2.1 引言  2.2 表面電子特性  2.3 金屬場致發(fā)射  2.4 半導(dǎo)體場致發(fā)射  2.5 內(nèi)場致發(fā)射  2.6 場致發(fā)射電子的能量分布和Nottingham效應(yīng)  2.7 空間電荷效應(yīng)  思考題與習(xí)題  參考文獻(xiàn)3 器件物理與特性分析  3.1 引言  3.2 場致發(fā)射公式的特性  3.3 真空條件和FEA結(jié)構(gòu)分析  3.4 FEA結(jié)構(gòu)優(yōu)化和理論極限  3.5 FEA熱穩(wěn)定性和材料選擇  3.6 FEA陣列特性估算  思考題與習(xí)題  參考文獻(xiàn)4 數(shù)值計算與器件特性模擬  4.1 引言  4.2 數(shù)值計算模型的建立  4.3 靜電場的數(shù)值模擬  4.4 電子軌跡及發(fā)射電流的計算  4.5 場致發(fā)射器件特性模擬  思考題與習(xí)題  參考文獻(xiàn)5 器件制造與工藝  5.1 引言  5.2 縱向器件的制備  5.3 橫向器件的制備  5.4 器件封裝  5.5 器件制備中所涉及的重要工藝  思考題與習(xí)題  參考文獻(xiàn)6 真空微電子器件  6.1 引言  6.2 真空集成電路有源元件  6.3 高頻和微波器件  6.4 電子源和微電子光學(xué)系統(tǒng)  6.5 場致發(fā)射顯示屏  6.6 傳感技術(shù)  6.7 顯微技術(shù)  思考題與習(xí)題  參考文獻(xiàn)

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