模擬電子技術(shù)

前言

　　當(dāng)代電子技術(shù)的迅速發(fā)展，為人民的物質(zhì)、文化生活提供了優(yōu)良的條件。如家庭影院、數(shù)碼攝像機(jī)、空調(diào)、手機(jī)、電子計算機(jī)等進(jìn)入家庭。讓人們的生活更豐富多彩?！　≈劣陔娮蛹夹g(shù)在科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用，更起著龍頭的作用。如航空航天技術(shù)、通信工程、測控技術(shù)、信息技術(shù)等比比皆是。　　為了適應(yīng)電子科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展和21世紀(jì)高等教育對高素質(zhì)人才的需要，本書在相關(guān)優(yōu)秀教材的基礎(chǔ)上，總結(jié)了多年來課程改革的教學(xué)經(jīng)驗，特別是考慮到高職高專院校學(xué)生的特點和需要，編寫了這本《模擬電子技術(shù)》。內(nèi)容力求少而精，注重實際應(yīng)用。既要使學(xué)生掌握基礎(chǔ)知識和基本方法，又要培養(yǎng)學(xué)生理論聯(lián)系實際，學(xué)習(xí)對電路進(jìn)行定性分析的綜合能力。為了便于學(xué)生自學(xué)和系統(tǒng)復(fù)習(xí)，給出了每章內(nèi)容小結(jié)，指導(dǎo)學(xué)生全面領(lǐng)會教學(xué)要求，并突出應(yīng)該掌握的重點。　　由于編者水平和能力所限，加之修改時間緊迫，書中具體內(nèi)容若有疏漏、欠妥和錯誤之處，敬請讀者批評、指正。

內(nèi)容概要

本書是為高校計算機(jī)應(yīng)用及電子技術(shù)專業(yè)編寫的電子技術(shù)基礎(chǔ)教材。    全書共八章，分別講述半導(dǎo)體二極管和三極管、半導(dǎo)體三極管交流放大電路、放大器中的反饋、場效應(yīng)管及其放大電路、直接耦合放大電路、集成運算放大器、正弦波振蕩電路及直流穩(wěn)壓電源，每章后均附有思考與練習(xí)。    本書可作為高職高專院校教材，也可供計算機(jī)應(yīng)用、電子技術(shù)的工程技術(shù)人員閱讀。

書籍目錄

第一章  半導(dǎo)體二極管和三極管  第一節(jié)  半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識    一、本征(純凈)半導(dǎo)體    二、N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體    三、PN結(jié)  第二節(jié)  半導(dǎo)體二極管(晶體二極管)    一、結(jié)構(gòu)與類型    二、伏安特性    三、二極管方程    四、二極管的電容效應(yīng)    五、二極管的主要參數(shù)  第三節(jié)  半導(dǎo)體三極管(晶體三極管)    一、原理結(jié)構(gòu)與符號    二、半導(dǎo)體三極管的放大作用    三、半導(dǎo)體三極管的特性曲線和三種工作狀態(tài)    四、半導(dǎo)體三極管的主要參數(shù)  附錄一  半導(dǎo)體器件型號命名方法  附錄二  幾種半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)  附錄三  幾種半導(dǎo)體三極管的主要參數(shù)  本章小結(jié)  思考與練習(xí)第二章  半導(dǎo)體三極管交流放大電路  第一節(jié)  單管交流電壓放大電路    一、電路組成及元件作用    二、電路的工作原理    三、直流通路與交流通路  第二節(jié)  放大電路的靜態(tài)分析方法    一、近似計算法    二、圖解法，  第三節(jié)  放大電路的動態(tài)分析方法    一、圖解法    二、微變等效電路法  第四節(jié)  工作點穩(wěn)定的典型電路    一、溫度對放大器工作點的影響    二、分壓式射極偏置電路的第一種形式    三、分壓式射極偏置電路的第二種形式    四、分壓式射極偏置電路的第三種形式  第五節(jié)  多級放大電路    一、耦合方式    二、多級放大器的組成    三、多級放大器的動態(tài)量估算  第六節(jié)  放大器的頻率特性  本章小結(jié)  思考與練習(xí)第三章  放大器中的反饋  第一節(jié)  反饋的基本概念和負(fù)反饋放大器的一般關(guān)系式  第二節(jié)  負(fù)反饋對放大器性能的改善  第三節(jié)  反饋的類型及判別方法  第四節(jié)  負(fù)反饋放大器的計算舉例    一、串聯(lián)電流負(fù)反饋放大電路    二、射極輸出器(典型的共集電路)  第五節(jié)  深反饋電壓放大倍數(shù)的近似計算  第六節(jié)  放大器的自激振蕩及其消除  本章小結(jié)  思考與練習(xí)第四章  場效應(yīng)管及其放大電路  第一節(jié)  場效應(yīng)管(Field Effect Transistor縮寫為FET)    一、結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)    二、MOS場效應(yīng)管    三、使用場效應(yīng)管的注意事項    四、場效應(yīng)管和半導(dǎo)體三極管比較    五、場效應(yīng)管的微變等效電路  第二節(jié)  場效應(yīng)管放大電路    一、共源極放大電路    二、源極輸出器(典型的共漏極電路)  第三節(jié)  場效應(yīng)管放大電路應(yīng)用舉例  附錄四  幾種場效應(yīng)管的主要參數(shù)  本章小結(jié)  思考與練習(xí)第五章  直接耦合放大電路  第一節(jié)  直接耦合放大電路的特殊問題    一、靜態(tài)工作點的設(shè)置與級間電位配合    二、零點漂移  第二節(jié)  差動放大電路    一、典型的差動放大電路    二、幾種其他輸入——輸出方式的討論    三、具有晶體管恒流源的差動放大電路    四、場效應(yīng)管差動放大電路  第三節(jié)  功率放大電路    一、功率放大器的特殊問題    二、功率放大器的分類    三、雙電源供電的乙類互補(bǔ)對稱電路    四、雙電源供電的甲乙類互補(bǔ)對稱電路    五、雙電源供電的甲乙類準(zhǔn)互補(bǔ)對稱電路    六、采用一個電源的甲乙類互補(bǔ)對稱電路  本章小結(jié)  思考與練習(xí)第六章  集成運算放大器  第一節(jié)  集成運放的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)    一、內(nèi)部結(jié)構(gòu)    二、主要參數(shù)  第二節(jié)  集成運放分析要領(lǐng)及三種基本連接方式    一、分析集成運放的兩個要領(lǐng)    二、集成運放的三種基本連接方式  第三節(jié)  集成運放的運算功能    一、加法運算    二、積分運算    三、微分運算    四、對數(shù)運算和指數(shù)(反對數(shù))運算    五、乘法運算  第四節(jié)  集成運放的應(yīng)用舉例    一、電子模擬計算    二、電壓、電流變換    三、電壓比較器    四、矩形波發(fā)生器(多諧振蕩器)    附錄五幾種線性組件的參數(shù)  本章小結(jié)  思考與練習(xí)第七章  正弦波振蕩電路  第一節(jié)  正弦波振蕩電路的振蕩條件和電路組成    一、振蕩條件    二、正弦波振蕩電路的組成  第二節(jié)  RC正弦波振蕩電路    一、電路組成    二、RC串并聯(lián)電路的選頻特性    三、振蕩的建立與穩(wěn)定    四、振蕩輸出的頻率  第三節(jié)  LC正弦波振蕩電路    一、LC并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的選頻特性    二、LC正弦波振蕩電路  第四節(jié)  石英晶體正弦波振蕩電路    一、石英晶體的基本特性、等效電路和頻率特性    二、石英晶體正弦波振蕩電路  本章小結(jié)  思考與練習(xí)第八章  直流穩(wěn)壓電源  第一節(jié)  橋式整流、電容濾波電路    一、橋式整流電路    二、電容濾波電路  第二節(jié)  硅穩(wěn)壓管及其穩(wěn)壓電路    一、硅穩(wěn)壓管    二、硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路    三、穩(wěn)壓電源的主要質(zhì)量指標(biāo)  第三節(jié)  帶放大器的串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電源    一、基本電路    二、一般情況討論  第四節(jié)  集成穩(wěn)壓電源    一、CW7800系列概述    二、CW7800系列內(nèi)部電路組成和工作原理    三、CW7800系列應(yīng)用電路接法舉例  第五節(jié)  開關(guān)穩(wěn)壓電源    一、方塊圖及工作原理    二、實用電路舉例  第六節(jié)  無工頻變壓器開關(guān)穩(wěn)壓電源    一、概述    二、電路組成及工作原理    三、典型電源分析  附錄六  幾種硅穩(wěn)壓管的主要參數(shù)  附錄七  電阻的標(biāo)稱值和電阻的彩色編碼  附錄八  CW7800系列電參數(shù)  附錄九  幾種典型脈寬調(diào)制器型號與廠家  本章小結(jié)  思考與練習(xí)

章節(jié)摘錄

　　第一章　半導(dǎo)體二極管和三極管　　第一節(jié)　半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識　　二、N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體　　如果在本征半導(dǎo)體中，摻入少量其他元素的原子，這些原子對本征半導(dǎo)體而言稱為雜質(zhì)。摻有雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體，它可以大大提高半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能?！　±纾骸　?．單晶硅中摻入微量5價磷（P）元素　　利用化學(xué)方法，比如擴(kuò)散法在單晶硅中摻入微量磷元素。由于摻入的磷原子數(shù)量比硅原子少得多，所以半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)基本不變。僅是在某些晶體點陣的位置上硅原子被磷原子代替了。由于磷原子有5個價電子（稱為5價元素），一個磷原子與相鄰4個硅原子組成共價鍵時，多余的l個價電子不受共價鍵約束，僅受磷原子核的吸引，故其吸引力很微弱。只要有較小的外能作用，就能使它掙脫原子核的吸引變成自由電子構(gòu)成電子載流子，造成雜質(zhì)半導(dǎo)體中的電子載流子數(shù)目大大增加。這種雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為電子型半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體。N是英文Negative（負(fù)）的首字母?！　∮捎陔s質(zhì)磷摻入單晶硅中能供出自由電子，稱這類雜質(zhì)為施主雜質(zhì)。磷原子供出1個自由電子就變成了帶正電的正離子被嵌在晶格中不能自由運動。N型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示煮圖和簡化示意圖如圖1-3所示?！　　?/pre>








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