微型計算機原理與接口技術(shù)

內(nèi)容概要

《微型計算機原理與接口技術(shù)》內(nèi)容共分8章。主要包括：計算機基礎(chǔ)知識、微處理器與總線、存儲器、指令系統(tǒng)、匯編語言程序設(shè)計基礎(chǔ)、輸入／輸出及中斷系統(tǒng)、可編程接口芯片及應(yīng)用、8088微機系統(tǒng)應(yīng)用舉例?！段⑿陀嬎銠C原理與接口技術(shù)》內(nèi)容先進、重點突出、通俗易懂、詳略得當(dāng)。以實際應(yīng)用為主，理論夠用為度，便于教學(xué)與自學(xué)。既可作為高等學(xué)校工科非計算機專業(yè)“微型計算機原理與接口技術(shù)”課程的教材，也可供從事微型計算機硬件和軟件設(shè)計的工程技術(shù)人員參考。

書籍目錄

第1章計算機基礎(chǔ)知識 1.1數(shù)制及其轉(zhuǎn)換 1.2計算機中數(shù)的表示 1.3十進制數(shù)與字符的編碼 1.4數(shù)的定點數(shù)與浮點數(shù) 習(xí)題 第2章微處理器與總線 2.1微型計算機系統(tǒng)概述 2.28086／8088微處理器 2.38086／8088總線結(jié)構(gòu)及總線周期時序 2.48086／8088存儲器的管理 2.580x86微處理器發(fā)展過程 2.6Pentium微處理器技術(shù)發(fā)展 2.7總線 習(xí)題 第3章存儲器 3.1概述 3.2隨機存取存儲器（RAM） 3.3只讀存儲器（ROM） 3.4存儲器連接 3.5高速緩沖存儲器Cache 3.6半導(dǎo)體存儲器新技術(shù) 3.7外存儲器 習(xí)題 第4章指令系統(tǒng) 4.1概述 4.2尋址方式 4.38086／8088指令系統(tǒng) 4.480x86擴充與增加的指令 習(xí)題 第5章匯編語言程序設(shè)計基礎(chǔ) 5.1概述 5.2偽指令語句 5.3指令語句 5.4宏指令語句 5.5匯編語言程序設(shè)計方法 習(xí)題 第6章輸入／輸出及中斷系統(tǒng) 6.1輸入／輸出接口概述 6.2CPU與外設(shè)之間數(shù)據(jù)傳送方式 6.3中斷技術(shù) 6.48086／8088中斷系統(tǒng) 6.58259A中斷控制器 習(xí)題 第7章可編程接口芯片及應(yīng)用 7.1可編程并行接口芯片8255A 7.2可編程串行接口芯片8250 7.3計數(shù)器／定時器8253 7.4可編程鍵盤／顯示接口8279 習(xí)題 第8章微機系統(tǒng)設(shè)計應(yīng)用舉例 8.1定時采樣監(jiān)控系統(tǒng)設(shè)計 8.2直流電機閉環(huán)調(diào)速系統(tǒng)設(shè)計 習(xí)題 附錄1 附錄2 參考文獻

章節(jié)摘錄

版權(quán)頁：   插圖：   寫入時，按給定地址譯碼后，譯碼器的輸出端選通字線，根據(jù)要寫入信息的不同，在位線上加上不同的電位，若Di位要寫“0”，則對應(yīng)位線Di懸空（或接上較大電阻）而使流經(jīng)被選中基本存儲電路的電流很小，不足以燒斷熔絲，則該Di位的狀態(tài)仍然保持“0”狀態(tài)；若要寫“1”，則位線Di位加上負電位（2 V），瞬間通過被選基本存儲電路的電流很大，致使熔絲燒斷，即Di位的狀態(tài)改寫為“1”。在正常只讀狀態(tài)工作時，加到字線上的是比較低的脈沖電位，但足以開通存儲元中的晶體管。這樣，被選中單元的信息就一并讀出了。是“0”，則對應(yīng)位線有電流；是“1”，則對應(yīng)位線無電流。在只讀狀態(tài)，工作電流將會很小，不會造成熔絲燒斷，即不會破壞原來存儲的信息。 3.可擦除可編程的只讀存儲器EPROM（Erasable PROM） PROM雖然可供用戶進行一次編程，但仍有局限性。為了便于研究工作，實驗各種ROM程序方案，可擦除、可再編程ROM在實際中得到了廣泛應(yīng)用。這種存儲器利用編程器寫入信息，此后便可作為只讀存儲器來使用。 目前，根據(jù)擦除芯片內(nèi)已有信息的方法不同，可擦除、可再編程ROM可分為兩種類型：紫外線擦除PROM（簡稱EPROM）和電擦除PROM（簡稱EEPROM或E2PROM）。 （1）紫外線可擦除的只讀存儲器EPROM EPROM是可以反復(fù)（通常多于100次）擦除原來寫入的內(nèi)容，更新寫入新信息的只讀存儲器。EPROM成本較高，可靠性不如掩膜式ROM和PROM，但由于它能多次改寫，使用靈活，所以常用于產(chǎn)品研制開發(fā)階段。初期的EPROM元件用的是浮柵雪崩注入MOS，記為FAMOS。它的集成度低，用戶使用不方便，速度慢，因此很快被性能和結(jié)構(gòu)更好的疊柵注入MOS即SIMOS取代。 SIMOS管結(jié)構(gòu)圖如圖3—20（a）所示。它屬于NMOS，與普通NMOS不同的是有兩個柵極，一個是控制柵CG，另一個是浮柵FG。FG在CG的下面，被絕緣材料SiO2所包圍，與四周絕緣。單個SIMOS管構(gòu)成一個EPROM存儲元件，SIMOS EPROM元件電路如圖3—20（b）所示。 與CG連接的線W稱為字線，讀出和編程時作選址用。漏極D與位線D連接，讀出或編程時用作輸出、輸入信息。源極S接VSS（接地）。當(dāng)FG上沒有電子駐留時，CG開啟電壓為正常值VCC，若字線W線上加高電平，源極和漏極之間也加高電平，SIMOS形成溝道并導(dǎo)通，稱此狀態(tài)為“1”態(tài)。當(dāng)FG上有電子駐留，CG開啟電壓升高超過VCC，這時若字線w線上加高電平，源極和漏極之間仍加高電平，SIMOS不導(dǎo)通，稱此狀態(tài)為“0”態(tài)。人們就是利用SIMOS管FG上有無電子駐留來存儲信息的。因FG上電子被絕緣材料包圍，不獲得足夠能量很難跑掉，所以可以長期保存信息，即使斷電也不丟失。 SIMOS EPROM芯片出廠時FG上是沒有電子的，即都是“1”信息。對它編程，就是在CG和漏極D都加高電壓，向某些元件的FG注入一定數(shù)量的電子，把它們寫為“0”。EPROM封裝方法與一般集成電路不同，需要有一個能通過紫外線的石英窗口。

編輯推薦

《微型計算機原理與接口技術(shù)》以流行的Intel系列微處理器為背景，以16位微處理器8086／8088為核心，全面系統(tǒng)地講述微型計算機系統(tǒng)的基本組成及工作原理、匯編語言程序設(shè)計、微機接口技術(shù)、微機應(yīng)用技術(shù)，同時扼要地介紹了高檔80x86和Pentium系列微處理器結(jié)構(gòu)特點和技術(shù)精髓以及總線相關(guān)知識。使學(xué)生能系統(tǒng)掌握匯編語言程序設(shè)計的基本方法和微機接口技術(shù)，建立微型計算機系統(tǒng)的整體概念，并具有微型計算機軟件及硬件初步開發(fā)、設(shè)計能力。為后續(xù)課程的學(xué)習(xí)和跟蹤計算機技術(shù)的新發(fā)展，進一步學(xué)習(xí)和應(yīng)用相關(guān)方面的新知識、新技術(shù)打下必要基礎(chǔ)。

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