第十一屆中國(guó)光伏大會(huì)暨展覽會(huì)會(huì)議論文集（上、下冊(cè)）

前言

人類(lèi)對(duì)于太陽(yáng)能的應(yīng)用由來(lái)已久，不過(guò)太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)在全球的真正起步，也不過(guò)是近十年的事情。2000年全球光伏市場(chǎng)規(guī)模僅278Mwp，2009年光伏市場(chǎng)規(guī)模為7200MWp，經(jīng)過(guò)10年發(fā)展，規(guī)模擴(kuò)大了近30倍。經(jīng)歷金融危機(jī)，光伏產(chǎn)業(yè)一度跌人“冰點(diǎn)”，但業(yè)內(nèi)權(quán)威機(jī)構(gòu)最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表明：2010年上半年全球光伏組件出貨量約7Gw，不僅遠(yuǎn)超金融危機(jī)前的年度裝機(jī)容量水平，更與去年全球新增裝機(jī)容量持平，它充分顯示了這個(gè)朝陽(yáng)產(chǎn)業(yè)的旺盛生命力和值得期待的美好前景。正因?yàn)楣夥a(chǎn)業(yè)承載了人類(lèi)對(duì)替代能源的巨大渴望，太陽(yáng)能以其優(yōu)越的環(huán)保性能、豐富的資源和可再生性，受到了世界各國(guó)的普遍青睞。我們高興地看到在意大利、美國(guó)的部分地區(qū)平價(jià)上網(wǎng)的目標(biāo)正在成為現(xiàn)實(shí)；日本、西班牙等國(guó)平價(jià)上網(wǎng)路線圖也是清晰可見(jiàn)；其他國(guó)家或地區(qū)也正在制定符合本地區(qū)實(shí)際的政策。我們看到太陽(yáng)能電池效率的紀(jì)錄不斷被刷新，各種新技術(shù)層出不窮，這個(gè)新興產(chǎn)業(yè)正在高速成長(zhǎng)，已經(jīng)成為經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的引擎，成為綠色經(jīng)濟(jì)的代表。我國(guó)政府也出臺(tái)了一系列政策，采用了財(cái)政補(bǔ)助、科技支持和市場(chǎng)拉動(dòng)等方式，加快國(guó)內(nèi)光伏發(fā)電的產(chǎn)業(yè)化和規(guī)?；l(fā)展。江蘇省及時(shí)提出了發(fā)展新能源的政策支持意見(jiàn)和推進(jìn)措施，率先在全國(guó)提出了江蘇省目標(biāo)上網(wǎng)電價(jià)，大大推動(dòng)了我國(guó)光伏并網(wǎng)發(fā)電的進(jìn)程。2008年我國(guó)太陽(yáng)能電池產(chǎn)量實(shí)現(xiàn)了大幅增長(zhǎng)，達(dá)到2600Mw，占全球總產(chǎn)量的44％。2009年，我國(guó)太陽(yáng)能電池產(chǎn)量達(dá)到4080MW，繼續(xù)保持了超過(guò)世界太陽(yáng)能電池生產(chǎn)平均增長(zhǎng)率的速度，增長(zhǎng)率達(dá)60％。但與我國(guó)對(duì)光伏產(chǎn)業(yè)投資高熱不退的現(xiàn)象相比，光伏產(chǎn)業(yè)的“兩頭在外”局面沒(méi)有根本性改變。一方面光伏產(chǎn)業(yè)在國(guó)內(nèi)的市場(chǎng)并未真正啟動(dòng)，特許項(xiàng)目的招標(biāo)對(duì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展并非有利，綠色能源沒(méi)有得到充分應(yīng)用，中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)仍然依賴著國(guó)外市場(chǎng)；另一方面光伏產(chǎn)業(yè)的原料多晶硅的供應(yīng)，尤其是優(yōu)質(zhì)硅原料的供應(yīng)仍然要依賴進(jìn)口。在暴利的誘惑下，光伏產(chǎn)業(yè)的很多投資集中在中下游，既沒(méi)有尊重產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規(guī)律、也沒(méi)有考慮應(yīng)該肩負(fù)的社會(huì)責(zé)任，低水平的重復(fù)建設(shè)比比皆是。光伏產(chǎn)業(yè)本質(zhì)上是高科技產(chǎn)業(yè)，是創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)型產(chǎn)業(yè)，只有掌握核心技術(shù)，這個(gè)朝陽(yáng)產(chǎn)業(yè)才有競(jìng)爭(zhēng)力。如同多晶硅的關(guān)鍵技術(shù)與核心工藝被美國(guó)、德國(guó)、日本等國(guó)的少數(shù)企業(yè)壟斷，技術(shù)瓶頸是制約我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展最大的難題，如何借鑒美國(guó)、歐洲等發(fā)達(dá)國(guó)家的產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新機(jī)制實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)的突破是擺在我們面前的最大課題。正是基于這樣的背景，“第十一屆中國(guó)光伏大會(huì)暨展覽會(huì)”如期召開(kāi)，意在與業(yè)內(nèi)尺士共同分享光伏產(chǎn)業(yè)取得的最新技術(shù)研究成果、探討光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展路徑。本屆大會(huì)共收到會(huì)議論文418篇，錄用論文330篇。論文數(shù)量之多超過(guò)了以往歷屆的光伏大會(huì)。內(nèi)容主要涵蓋6個(gè)方向：①晶硅材料、晶硅太陽(yáng)電池；②硅基薄膜太陽(yáng)電池；③化合物半導(dǎo)體電池及新型電池；④光伏組件、制造設(shè)備及輔材；⑤光伏系統(tǒng)、平衡部件及并網(wǎng)工程；⑥市場(chǎng)及政策法規(guī)等。論文內(nèi)容不僅充分反映了我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步，也反映了我國(guó)高等院校和研究機(jī)構(gòu)在太陽(yáng)能電池研發(fā)上所取得的成就，更反映了我國(guó)光伏企業(yè)為太陽(yáng)能事業(yè)所做的不懈努力。相信這些努力將有助于光伏行業(yè)的發(fā)展，有助于我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步，有助于人類(lèi)的可持續(xù)發(fā)展。我們堅(jiān)信，在有志之士的共同努力下，會(huì)議的主題“低碳減排、抓住機(jī)遇、發(fā)展光伏、引領(lǐng)未來(lái)”將一定會(huì)實(shí)現(xiàn)，太陽(yáng)能光伏應(yīng)用將開(kāi)啟一個(gè)全新的時(shí)代。

內(nèi)容概要

　　《第十一屆中國(guó)光伏大會(huì)暨展覽會(huì)會(huì)議論文集（套裝上下冊(cè)）》包括：《第十一屆中國(guó)光伏大會(huì)暨展覽會(huì)會(huì)議論文集（上冊(cè)）》和《第十一屆中國(guó)光伏大會(huì)暨展覽會(huì)會(huì)議論文集（下冊(cè)）》。《第十一屆中國(guó)光伏大會(huì)暨展覽會(huì)會(huì)議論文集（套裝上下冊(cè)）》收錄了第十一屆中國(guó)光伏大會(huì)論文330篇，內(nèi)容涵蓋了高純度多晶硅材料、多晶硅和單晶硅電池、薄膜電池、新型電池和組件、生產(chǎn)設(shè)備、輔助材料、系統(tǒng)集成及政策法規(guī)等。論文全面反映了我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、技術(shù)進(jìn)步和最新成果。本論文集突出了“低碳減排、抓住機(jī)遇、發(fā)展光伏、引領(lǐng)未來(lái)”的主題，不僅指導(dǎo)我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，同時(shí)可供管理人員、科研人員、工程技術(shù)人員、教育工作者和相關(guān)人員參考。

書(shū)籍目錄

主題報(bào)告走可持續(xù)發(fā)展之路——博弈時(shí)代的光伏產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新之道我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及前景思考太陽(yáng)級(jí)多晶硅材料技術(shù)概況HIGH EFFICIENCY c-SiCELL TECHNOLOGY DEVELPPMENT IN RESEARCH AND PRUDUCTUIB薄膜電池技術(shù)現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)光伏系統(tǒng)技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)新型太陽(yáng)電池與光伏技術(shù)中國(guó)光伏發(fā)電平價(jià)上網(wǎng)發(fā)展路線圖探討高質(zhì)量是光伏行業(yè)健康發(fā)展之本聚光光伏光熱技術(shù)進(jìn)展第一部分 晶硅材料、晶硅太陽(yáng)電池磁場(chǎng)對(duì)硅太陽(yáng)電池基體材料雜質(zhì)的能級(jí)調(diào)控及其對(duì)轉(zhuǎn)換效率的影響太陽(yáng)電池生產(chǎn)制備中高填充因子的實(shí)現(xiàn)及控制雙層PECVD氮化硅膜晶體硅太陽(yáng)電池硅烷氨氣比對(duì)PECVD氮化硅薄膜性能的影響單晶硅太陽(yáng)能電池表面織構(gòu)的正交實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證硅太陽(yáng)能電池鋁背場(chǎng)(BSF)常見(jiàn)問(wèn)題探討晶體硅太陽(yáng)能電池正面柵線銀漿研究太陽(yáng)能用晶體硅中鐵雜質(zhì)及其磷吸雜研究低表面摻雜濃度高效晶體硅太陽(yáng)電池研究研究絲網(wǎng)制版方式對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池的影響晶體硅電池的氧化硅一氮化硅雙層薄膜特性研究一種優(yōu)化的多晶硅擴(kuò)散工藝晶體硅電池的非晶硅薄膜鈍化特性研究不同電阻率太陽(yáng)能電池制作工藝探索及電性能研究燒結(jié)爐網(wǎng)帶對(duì)太陽(yáng)能電池片性能的影響激光技術(shù)和噴墨打印技術(shù)在高效晶體硅電池上的應(yīng)用關(guān)于ASYS印刷線產(chǎn)能提升的改進(jìn)措施高粘度太陽(yáng)能電池正面銀漿的研制溫度對(duì)多晶酸制絨的影響對(duì)太陽(yáng)能電池背電極的研究利用腐蝕阻擋層方法制作選擇性發(fā)射極太陽(yáng)能電池的研究單晶硅太陽(yáng)能電池的背場(chǎng)鈍化技術(shù)研究晶體硅太陽(yáng)電池的暗電流類(lèi)型分析絲網(wǎng)印刷生產(chǎn)選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池的關(guān)鍵問(wèn)題晶體硅電池表面鈍化技術(shù)進(jìn)展?jié)窕瘜W(xué)腐蝕法制備選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池太陽(yáng)電池精確分選問(wèn)題及解決方法太陽(yáng)電池用單晶硅片一次缺陷及二次缺陷淺談多晶硅太陽(yáng)電池制絨過(guò)程的質(zhì)量控制用于高效太陽(yáng)電池的鏈?zhǔn)窖趸に囂剿鰽ZO膜制備工藝對(duì)AZO／Ag／AZO復(fù)合膜光電性能的影響19．1％EFFICIENCY ON n-TYPE CZOCHRALSKI SILICON SOLAR CELLS偏置白光對(duì)太陽(yáng)電池外量子效率測(cè)試的影響納米柱狀SiO減反射膜的模擬計(jì)算及其制備研究晶體硅表面的碘酒／乙醇溶液鈍化Forming Cas退火對(duì)太陽(yáng)電池性能的影響分析RIE制絨在多晶高效太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用分析低衰減太陽(yáng)電池硅單晶的各種制備方法比較多晶RIE制絨工藝與高方阻工藝結(jié)合的應(yīng)用前景與產(chǎn)業(yè)化分析THE EFFECT OF FINE-GRAIN IN THE mc-Si SOLAR CELL MANUFACTURING高效低成本SE單晶電池的研究高折射率對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池電性能的影響太陽(yáng)能電池減反射膜的工藝研究EWT硅太陽(yáng)電池背面pn區(qū)域界定的幾種實(shí)現(xiàn)方法PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION TREATMENT ON CRYSTALLINE SILICON AND AMURPHUUS SILICUN SULAR CELLS  晶體硅太陽(yáng)電池前電極中的光誘導(dǎo)電鍍方法的分析新型表面活性劑在單晶硅太陽(yáng)電池制絨工藝中的應(yīng)用晶體硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)廠房設(shè)計(jì)／施工要點(diǎn)銀納米顆粒減反射特性的理論研究磷吸雜對(duì)多晶硅片性能的影響以SiN為擴(kuò)散阻擋層的選擇性發(fā)射極電池技術(shù)正極銀漿對(duì)高方阻淺結(jié)單晶硅太陽(yáng)電池的影響156 mm×156 mm大面積多晶硅雙面電池的制備及其電學(xué)性能超純氨雜質(zhì)分析硅塊表面拋光對(duì)切割良率及碎片率的影響鑄錠多晶硅底部低少子壽命區(qū)域的研究鑄錠過(guò)程中硅液溢流分析及防溢流堵漏劑的開(kāi)發(fā)光誘導(dǎo)電鍍選擇性發(fā)射極多晶硅太陽(yáng)電池花片原因及改善西門(mén)子法多晶硅綠色生產(chǎn)工藝多晶硅還原沉積優(yōu)化研究高效多晶硅太陽(yáng)能電池的表面織構(gòu)TBA制作單晶硅小絨面研究背面鈍化的晶體硅太陽(yáng)電池關(guān)鍵理論和工藝TCOS高轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能光伏電池技術(shù)HIT電池表面鈍化技術(shù)的研究晶體硅太陽(yáng)能電池PECVD工藝研究高方塊電阻發(fā)射結(jié)對(duì)M156電池性能的影響TMAH織構(gòu)在硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池中的應(yīng)用多晶硅太陽(yáng)電池表面“暗紋”及其對(duì)太陽(yáng)電池性能的影響加熱光照對(duì)晶體硅太陽(yáng)電池光衰性能的影響應(yīng)用于薄膜硅／晶體硅異質(zhì)結(jié)電池中NaP0織構(gòu)的研究太陽(yáng)能級(jí)多晶硅材料發(fā)展勢(shì)態(tài)太陽(yáng)能電池電性能異常分析制作高效電池中的擴(kuò)散工藝探討第二部分 硅基薄膜太陽(yáng)電池低成本硅薄膜太陽(yáng)電池制造技術(shù)研究微晶硅薄膜甚高頻高速沉積初期的生長(zhǎng)控制p層帶隙對(duì)微晶硅太陽(yáng)能電池性能的影響2 nm／s高速微晶硅材料及其在單室電池中的應(yīng)用界面相對(duì)微晶硅太陽(yáng)電池性能影響的研究RFLPECVD法制備微晶硅籽晶層的研究單室沉積高效微晶硅基薄膜太陽(yáng)電池的研究等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積微晶硅薄膜的氣相反應(yīng)模擬單室沉積pin型全硅三疊層薄膜太陽(yáng)電池的研究準(zhǔn)單晶硅薄膜的制備與太陽(yáng)能電池研究p型微晶硅的研究及其在柔性襯底太陽(yáng)電池中的應(yīng)用射頻激發(fā)熱絲化學(xué)氣相沉積制備硅薄膜過(guò)程中光發(fā)射譜的研究RF-PECVD法制備非晶硅薄膜的耗盡模式研究不同氫氣分壓下氫化非晶硅薄膜的制備與表征利用四極桿質(zhì)譜監(jiān)測(cè)硅薄膜沉積過(guò)程中的硅烷利用率INFRARED SPECTRA OF SILICON-HYDROGEN BONDS IN HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON THIN FILM射頻功率對(duì)p型氫化非晶硅薄膜性能的影響n型微晶硅氧薄膜在非晶硅太陽(yáng)電池中的應(yīng)用電化學(xué)鈍化治療硅基薄膜太陽(yáng)電池缺陷的研究PERFORMANCE OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON SOLAR CELLS DEPOSITED ON TEXTURED ZINC OXIDE WITHDIFFERENT RMSROUGHNESSES柔性非晶硅／微晶硅疊層太陽(yáng)電池技術(shù)研究柔性襯底非晶硅薄膜太陽(yáng)電池i／p界面的研究柔性襯底非晶硅太陽(yáng)電池中Ag／ZnO背反射電極的研究柔性襯底硅基薄膜太陽(yáng)電池的研究柔性襯底非晶硅／微晶硅疊層太陽(yáng)電池隧穿復(fù)合結(jié)研究柔性硅基薄膜太陽(yáng)電池1 MeV電子輻照特性研究PET塑料襯底上低溫制備硅基薄膜太陽(yáng)電池柔性薄膜太陽(yáng)電池非晶硅層的激光刻蝕研究MOCVD技術(shù)柔性襯底上生長(zhǎng)絨面ZnO-TCO薄膜及其薄膜太陽(yáng)電池應(yīng)用研究RF-PECVD法制備柔性襯底非晶硅鍺薄膜太陽(yáng)電池大面積噴淋式電極VHF-PECVD反應(yīng)室等離子體模擬批量生產(chǎn)的微晶硅薄膜沉積技術(shù)：一室多片、高均勻度和微晶成分可調(diào)PERFORMANCE EVALUATION OF A DOUBLE PANE WINDOW TNTFGR A TFn WTTH  SEE-THROUGH a-Si PV CELLS IN SUBTROPICAL HONG KONG非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池溫度系數(shù)的測(cè)試與研究反應(yīng)氣體流量對(duì)大面積P型微晶硅窗口層材料性能的影響薄膜太陽(yáng)電池用TCO薄膜制造技術(shù)特性研究太陽(yáng)能電池用透明導(dǎo)電AZO薄膜室溫生長(zhǎng)及其性能研究冰乙酸對(duì)超聲噴霧熱分解法制備ZnO：In影響TCO鍍膜玻璃及其光伏應(yīng)用技術(shù)水熱法制備ZnO透明導(dǎo)電薄膜及特性研究氫氣對(duì)脈沖磁控濺射摻鋁氧化鋅薄膜性能的影響基于提高太陽(yáng)電池效率的光管理研究n型氫化微晶硅氧中間反射層的初步研究MOCVD-ZnO中間層在非晶硅／微晶硅疊層電池中的應(yīng)用電流失配對(duì)多結(jié)硅薄膜太陽(yáng)電池性能的影響降低表面等離子激元在薄膜電池中引入寄生損失的途徑研究STRESS EFFECT STUDY OF SILICON QUANTUM DOT IN SILICON RICH CARBIDE（SiCk）FILM BY RAMAN MEASUREMENT FOR PHOTOVOLTAlC APPLICATION多晶硅薄膜電池的二維模型結(jié)構(gòu)模擬功率梯度法制備微晶硅鍺太陽(yáng)電池脈沖放電法制備硅微球的機(jī)理及試驗(yàn)研究以n型硅為襯底的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池優(yōu)化設(shè)計(jì)的數(shù)值模擬n型晶體硅／p型非晶硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池的研制不同襯底對(duì)HWCVD制備多晶硅薄膜結(jié)晶性能的影響氫等離子處理襯底上硼摻雜微晶硅薄膜的橢偏光譜分析納米晶硅薄膜材料的技術(shù)發(fā)展ITO／AZO透明導(dǎo)電薄膜制備及在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用電子束沉積In2 03基W、Mo共摻薄膜及其特性研究納米Ag顆粒表面高能電場(chǎng)對(duì)硅基薄膜拉曼散射信號(hào)的增強(qiáng)效應(yīng)研究直流磁控濺射ZnO：Ga薄膜的性能研究熱處理對(duì)ZnO：Ga薄膜性能的影響……第三部分 傾倒物半導(dǎo)體電池及新型電池（含染料敏化電池和聚光電池）下冊(cè)第四部分 光伏組件、制造設(shè)備及輔料第五部分 光伏系統(tǒng)、平衡部件及并網(wǎng)工程第六部分 市場(chǎng)及政策法規(guī)、標(biāo)準(zhǔn)

章節(jié)摘錄

插圖：由于光伏電站輸出功率會(huì)隨機(jī)變化，因此大規(guī)模光伏并網(wǎng)發(fā)電將引起電網(wǎng)穩(wěn)定性不足的問(wèn)題，特別是在電網(wǎng)薄弱地區(qū)。電網(wǎng)穩(wěn)定包括電壓穩(wěn)定和頻率穩(wěn)定兩個(gè)方面。光伏電站并網(wǎng)可以降低電網(wǎng)電壓穩(wěn)態(tài)電壓的穩(wěn)定裕度，在遇到電網(wǎng)或光伏電站故障情況下，破壞電網(wǎng)系統(tǒng)電壓動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性，甚至導(dǎo)致電網(wǎng)電壓崩潰。增強(qiáng)電力系統(tǒng)穩(wěn)定性的根本措施是改善系統(tǒng)平衡度，在光伏電站中配置儲(chǔ)能系統(tǒng)快速吸收或釋放有功及無(wú)功功率，改善光伏電站的有功、無(wú)功功率平衡能力，增強(qiáng)系統(tǒng)穩(wěn)定性。光伏電站有限的低電壓穿越能力對(duì)電網(wǎng)安全構(gòu)成威脅，通過(guò)給光伏電站配置響應(yīng)時(shí)間常數(shù)為ms級(jí)的儲(chǔ)能系統(tǒng)，可以在光伏電站并網(wǎng)點(diǎn)電壓跌落時(shí)保持并網(wǎng)狀態(tài)，吸收富余能量并提供一定的無(wú)功功率以支持電網(wǎng)電壓，保證光伏電站設(shè)備不受損害，實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)光伏電站低電壓穿越能力。光伏電能造成并網(wǎng)點(diǎn)的電壓波動(dòng)、閃變等電能質(zhì)量問(wèn)題可以通過(guò)儲(chǔ)能系統(tǒng)的瞬時(shí)功率動(dòng)態(tài)補(bǔ)償。研究表明響應(yīng)時(shí)間常數(shù)ms的儲(chǔ)能系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)快速有功、無(wú)功功率交換，有效改善電壓波動(dòng)，改善電壓暫降、電壓電流波形畸變及閃變等，適合解決光伏電站并網(wǎng)帶來(lái)的電能質(zhì)量問(wèn)題。光伏電站集成大容量、長(zhǎng)時(shí)間、低成本儲(chǔ)能系統(tǒng)，可以降低對(duì)電網(wǎng)備用容量的需求，實(shí)現(xiàn)電網(wǎng)與光伏電站共贏。在光伏電站中合理配置集成儲(chǔ)能系統(tǒng)，才能使電網(wǎng)把光伏電站真正當(dāng)做“電站”來(lái)對(duì)待，對(duì)電站進(jìn)行調(diào)度和管理。

編輯推薦

《第十一屆中國(guó)光伏大會(huì)暨展覽會(huì)會(huì)議論文集(套裝上下冊(cè))》是由東南大學(xué)出版社出版的。

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