CMOS集成電路原理與設(shè)計

出版時間:1997-04  出版社:北京郵電學(xué)院出版社  作者:李本俊  頁數(shù):276  

內(nèi)容概要

CMOS技術(shù)以其固有的特點(diǎn)及優(yōu)勢成為VLSI乃至更大規(guī)模集成電路發(fā)展中的重要手段,本書主要介紹CMOS數(shù)字集成電路,重點(diǎn)在對CMOS基本單元電路的分析和設(shè)計考慮的基礎(chǔ)上提出大規(guī)模集成系統(tǒng)的設(shè)計方法及設(shè)計實(shí)現(xiàn).全書共分11章,分別介紹了VLSI技術(shù)的發(fā)展,工藝技術(shù)及IC分類;MOS FET特性及模型;CMOS反相器;CMOS靜態(tài)邏輯電路,CMOS開關(guān)邏輯電路;CMOS動態(tài)邏輯電路,基本功能電路;存儲器,可編程邏輯器件;微處理器,自動化設(shè)計與驗證.
本書既可作為電子類,通信類和計算機(jī)類的本科生和研究生的教學(xué)用書,也可供相關(guān)專業(yè)的師生和從事電路與系統(tǒng)設(shè)計的廣大科技人員閱讀和參考.

書籍目錄

目 錄
第一章 緒 論
1-1 微電子技術(shù)的發(fā)展概況
1-2IC的工藝技術(shù)及IC的分類
本章小結(jié)
第二章 MOS FET的特性及其模型
2-1MOSFET的VT
2-2MOS FET的I-V特性
2-3P溝MOS FET
2-4MOSFET中的寄生電容
2-5MOS FET中的寄生電阻
2-6小尺寸MOS FET中出現(xiàn)的問題
2-7SPICE模擬程序中的MOSFET模型
本章小結(jié)
附錄:2μmN阱CMOS 工藝參數(shù)
第三章 CMOS 反相器
3-1CMOS 反相器及其電壓傳輸特性
3-2CMOS 反相器的開關(guān)特性
3-3CMOS 反相器中的泄漏電流和功率-延遲乘積
3-4CMOS 反相器的設(shè)計考慮
本章小結(jié)
第四章 CMOS 靜態(tài)邏輯電路
4-1CMOS 靜態(tài)邏輯電路的一般結(jié)構(gòu)
4-2CMOS與非門
4-3CMOS 或非門
4-4或門和與門
4-5組合邏輯
4-6異或門和同或門
4-7靜態(tài)CMOS邏輯結(jié)構(gòu)的變種形式
4-8三態(tài)輸出電路
4-9準(zhǔn)(偽)NMOS/PMOS 邏輯
4-10 靜態(tài)CMOS觸發(fā)電路
4-11施密特觸發(fā)器
本章小結(jié)
第五章 CMOS開關(guān)邏輯電路
5-1CMOS傳輸門
5-2開關(guān)邏輯門
5-3鎖存電路和觸發(fā)電路
5-4陣列邏輯
5-5差動級聯(lián)電壓開關(guān)邏輯
5-6互補(bǔ)開關(guān)晶體管邏輯
5-7差動錯層邏輯
5-8三態(tài)緩沖電路
本章小結(jié)
第六章 CMOS動態(tài)邏輯電路
6-1基本動態(tài)CMOS 門電路
6-2多米諾CMOS動態(tài)邏輯
6-3多輸出多米諾邏輯
6-4鎖存多米諾邏輯
6-5NORA邏輯
本章小結(jié)
第七章 基本功能電路
71移位寄存器
7-2加法器
7-3乘法器
本章小結(jié)
第八章 存儲器
8-1存儲器的組成
8-2只讀存儲器
8-3靜態(tài)RAM
8-4動態(tài)RAM
8-5靈敏放大器
本章小結(jié)
第九章 可編程邏輯器件
9-1概述
9-2可編程邏輯陣列
9-3EPLD
9-4高密度的PLD結(jié)構(gòu)
本章小結(jié)
第十章 微處理器
10-1概述
10-2數(shù)據(jù)通道及系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
10-3微碼控制器
10-4精簡指令技術(shù)
本章小結(jié)
第十一章 自動化設(shè)計與驗證
11-1 概述
11-2集成電路版圖
11-3設(shè)計規(guī)則檢查
11-4電路提取
11-5數(shù)字電路仿真
11-6時序分析
11-7RTL仿真
本章小結(jié)
附錄:典型P阱CMOS的工藝特征及設(shè)計規(guī)則

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