非線性微波毫米波電路分析與設(shè)計

出版時間:1991-06  出版社:北京郵電學(xué)院出版社  作者:王惠功  

內(nèi)容概要

內(nèi) 容 簡 介
本書系統(tǒng)、簡潔地介紹非線性微波、毫米波電路的理論分析與設(shè)
計.內(nèi)容包括:肖特基勢壘二極管、肖特基壘變?nèi)莨?、莫脫勢壘二極
管、場效應(yīng)晶體管的模型建立;大信號強、弱非線性電路的分析與計
算;肖特基勢壘二極管與莫脫勢壘二極管混頻器以及由場效應(yīng)晶體管
構(gòu)成的上下變頻器、倍頻器、功率放大器、振蕩器的分析與優(yōu)化設(shè)計。
本書可作高等院校電磁場與微波技術(shù)專業(yè)研究生和高年級本科生
教材或相應(yīng)專業(yè)的選課教材,亦可供從事微波、毫米波工程的科技人
員參考。

書籍目錄

目 錄
第一章 基本概念
1.1線性和非線性
1.2頻率的產(chǎn)生
1.3非線性現(xiàn)象
1.3.1諧波的產(chǎn)生
1.3.2交調(diào)(IM)
1.3.3飽和和鈍化
1.3.4交叉調(diào)制9CM)
1.3.5AM/PM變換
1.3.6假響應(yīng)
1.4分析方法
1.5功率和增益的定義
1.6穩(wěn)定性問題
第二章 準靜態(tài)分析中的固體器件模型
2.1非線性固體器件模型
2.2非線性集中元件和受控源
2.2.1替代定理
2.2.2非線性電導(dǎo)或電阻
2.2.3非線性電容
2.2.4I/V、Q/V和G/V、C/V展開式間的關(guān)系
2.3肖特基勢壘和結(jié)型二極管
2.3.1肖特基勢壘二極管模型
2.3.2混頻二極管
2.3.3肖特基勢壘變?nèi)莨?br />2.3.4p+n結(jié)型變?nèi)莨?br />2.3.5階躍恢復(fù)二極管
2.4砷化鎵場效應(yīng)管MESFET
2.4.1MESFET的工作原理
2.4.2MESFET的模型
2.5模型參數(shù)的確定
2.5.1結(jié)的C/V特性和I/V特性的直接測量
2.5.2二極管參數(shù)的間接測量
第三章 諧波平衡與變換矩陣分析法
3.1諧波平衡分析法
3.1.1諧波平衡方程的建立
3.1.2諧波平衡方程的解法
3.1.3諧波數(shù)目的選取
3.2變換矩陣分析法
3.2.1變換矩陣
3.2.2變換矩陣在時變電路中的應(yīng)用
3.2.3時變電路中的多頻率激勵和交調(diào)
3.3廣義諧波平衡分析法概述
第四章 冪級數(shù)和Volterra級數(shù)分析法
4.1冪級數(shù)分析法
4.1.1冪級數(shù)模型和多頻響應(yīng)
4.1.2頻率的產(chǎn)生
4.1.3遮斷點和功率關(guān)系
4.1.4多個弱非線性部件聯(lián)接時的遮斷點和功率關(guān)系
4.2Volterra級數(shù)分析法
4.2.1Volterra級數(shù)介紹
4.2.2Volterra函數(shù)級數(shù)和非線性轉(zhuǎn)移函數(shù)
4.2.3采用諧波輸入法確定非線性頻域轉(zhuǎn)移函
數(shù)
4.2.4非線性轉(zhuǎn)移函數(shù)的應(yīng)用
4.2.5采用非線性電流法分析電路
4.2.6在多節(jié)點電路中的應(yīng)用
第五章 平衡和多器件電路
5.1采用微波和毫米波電橋的平衡電路
5.1.1理想電橋的特性
5.1.2實用電橋簡介
5.1.3電橋耦合的電路組件特性
5.2微波、毫米波電路部件的直接聯(lián)接
5.2.1單端口器件聯(lián)接的諧波特性
5.2.2兩個二端口電路部件直接并聯(lián)聯(lián)接的特性
第六章 二極管混頻器的設(shè)計
6.1混頻器二極管簡介
6.1.1混頻二極管模型
6.1.2混頻二極管的類型
6.2混頻器的非線性分析
6.2.1大信號分析
6.2.2小信號分析
6.3單管混頻器的設(shè)計
6.3.1設(shè)計方法
6.3.2混頻二極管的選擇
6.3.3混頻器設(shè)計舉例
6.4平衡混頻器簡介
6.4.1單平衡混頻器
6.4.2雙平衡混頻器
第七章 MESFET、信號放大器設(shè)計
7.1放大器理論簡述
7.1.1放大器設(shè)計中的穩(wěn)定性問題
7.1.2放大器的設(shè)計
7.2小信號FET放大器的非線性分析
7.2.1FET等效電路中的非線性
7.2.2FET放大器中的非線性現(xiàn)象
7.2.3非線性轉(zhuǎn)移函數(shù)的計算
7.3優(yōu)化MESFET放大器的線性
7.3.1建立MESFET模型
7.3.2偏置對線性的影響
7.3.3源和負載阻抗對線性的影響
7.3.4增益、匹配和噪聲系數(shù)的約束對線性的影響
7.3.5低階混合頻率的源和負載端接對線性的影響
7.3.6各個非線性元件對線性的影響
7.3.7結(jié)論
第八章 MESFET功率放大器的設(shè)計
8.1功率MESFET簡介
8.1.1結(jié)構(gòu)
8.1.2模型建立
8.2功率放大器設(shè)計的基本考慮
8.3MESFET功率放大器的設(shè)計
8.3.1甲類放大器的近似設(shè)計
8.3.2乙類放大器的近似設(shè)計
8.3.3設(shè)計舉例和性能研究
8.3.4諧波源和負載阻抗不為零時所產(chǎn)生的影響
8.4FET功率放大器的諧波平衡分析
8.5實際考慮
第九章 FET頻率倍頻器的設(shè)計
9.1設(shè)計的基本考慮
9.2近似設(shè)計
9.3諧波平衡分析
9.4設(shè)計中的實際問題
第十章 FET混頻器的設(shè)計
10.1單柵FET混頻器的近似設(shè)計
10.1.1設(shè)計原理
10.1.2設(shè)計過程
10.1.3匹配電路
10.2FET混頻器的大信號-小信號分析
10.2.1大信號分析
10.2.2小信號分析
10.3設(shè)計舉例
10.4雙柵FET混頻器
10.5平衡FET混頻器
10.5.1單平衡混頻器
10.5.2雙平衡FET混頻器
第十一章FET上變頻器的設(shè)計
11.1單管FET上變頻器的工作原理
11.2單管FET上變頻器的設(shè)計
11.2.1約束條件和假設(shè)
11.2.2變頻增益的測量
11.2.3等效電路中的本振電壓波形
11.2.4FET上變頻器的電路模型
11.2.5FET上變頻器匹配電路的設(shè)計
11.3平衡FET上變頻器
第十二章 FET振蕩器的設(shè)計
12.1經(jīng)典振蕩器理論簡介
12.1.1負阻振蕩器和振蕩條件
12.1.2FET中的負電阻
12.1.3采用經(jīng)典法設(shè)計FET振蕩器
12.2FET振蕩器的非線性分析
12.3FET振蕩器設(shè)計中的實際問題
12.3.1電路拓撲
12.3.2性能參數(shù)
參考文獻

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