出版時(shí)間:2012-5 出版社:西安電子科技大學(xué)出版社 作者:杜飛明 主編 頁(yè)數(shù):308 字?jǐn)?shù):468000
內(nèi)容概要
本書主要介紹計(jì)算機(jī)硬件結(jié)構(gòu)、組成、組裝方法及計(jì)算機(jī)軟件的安裝與維護(hù)技巧,涵蓋了計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)的基本常識(shí)和基礎(chǔ)知識(shí)。
全書共分14章,第1~8章主要介紹計(jì)算機(jī)硬件及組裝,以及計(jì)算機(jī)實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中與硬件相關(guān)的問(wèn)題;第9~13章主要介紹計(jì)算機(jī)軟件安裝與維護(hù)知識(shí),以及計(jì)算機(jī)實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中與軟件相關(guān)的問(wèn)題;第14章主要介紹和計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)相關(guān)的實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)。大多數(shù)章節(jié)都安排有與教學(xué)內(nèi)容相關(guān)的應(yīng)用案例,能夠讓學(xué)生鞏固所學(xué)內(nèi)容,提高實(shí)踐技能。
本書內(nèi)容全面、實(shí)用、詳略得當(dāng),適合作為高職高專院校計(jì)算機(jī)應(yīng)用專業(yè)或者計(jì)算機(jī)培訓(xùn)班的教材,也可供計(jì)算機(jī)應(yīng)用與維護(hù)人員自學(xué)參考。
書籍目錄
第1章 微型計(jì)算機(jī)概述
1.1 微型計(jì)算機(jī)硬件系統(tǒng)
1.1.1 微機(jī)的硬件組成
1.1.2 微機(jī)硬件功能結(jié)構(gòu)
1.2 微型計(jì)算機(jī)軟件系統(tǒng)
1.2.1 軟件系統(tǒng)的組成及分類
1.2.2 微機(jī)軟件系統(tǒng)的層次關(guān)系
1.3 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)組成
1.4* 計(jì)算機(jī)的發(fā)展過(guò)程
1.5* 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的工作過(guò)程
1.6* 微機(jī)的體系架構(gòu)
1.7* 計(jì)算機(jī)的發(fā)展方向
1.8* 二進(jìn)制及數(shù)據(jù)單位
1.8.1 為什么用二進(jìn)制
1.8.2 數(shù)據(jù)單位
小結(jié)
思考與練習(xí)題
第2章 中央處理器
2.1 CPU的分類
2.2 CPU主要技術(shù)指標(biāo)
2.3 CPU的其他技術(shù)
2.4 CPU主流品種
2.5 CPU和風(fēng)扇的安裝與拆裝
2.5.1 裝拆電子部件一般注意事項(xiàng)
2.5.2 安裝CPU前的準(zhǔn)備工作
2.5.3 安裝CPU
2.5.4 安裝散熱片和風(fēng)扇
2.5.5 拆除散熱片和風(fēng)扇
2.6 CPU的保養(yǎng)和維護(hù)
2.7* Intel發(fā)展簡(jiǎn)史
2.8* AMD發(fā)展簡(jiǎn)史
小結(jié)
思考與練習(xí)題
第3章 主板
3.1 主板的分類
3.2 主板的功能
3.3 主板的組成
3.3.1 芯片組
3.3.2 主板接口
3.3.3 BIOS芯片
3.4 主板的主要技術(shù)指標(biāo)與選購(gòu)
3.4.1 主板的主要技術(shù)指標(biāo)
3.4.2 主板的選購(gòu)
3.5* 主板其他硬件
3.5.1 CMOS芯片和電池
3.5.2 系統(tǒng)頻率電路與時(shí)鐘電路
3.5.3 分立元件類
小結(jié)
思考與練習(xí)題
第4章 內(nèi)存
4.1 存儲(chǔ)器概述
4.1.1 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類
4.1.2 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能參數(shù)
4.1.3 內(nèi)存的選購(gòu)
4.2 內(nèi)存條的安裝與拆卸
4.2.1 內(nèi)存條的安裝
4.2.2 內(nèi)存條的拆卸
4.3 存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)
4.4 內(nèi)存技術(shù)
4.4.1 內(nèi)存模組技術(shù)
4.4.2 快速動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)
4.4.3 訪問(wèn)時(shí)間
4.4.4 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器介紹
4.5 高速緩沖技術(shù)
4.6 內(nèi)存技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
小結(jié)
思考與練習(xí)題
第5章 微機(jī)輔助存儲(chǔ)設(shè)備
5.1 硬盤
5.1.1 硬盤的物理結(jié)構(gòu)
5.1.2 硬盤的邏輯結(jié)構(gòu)
5.1.3 硬盤的基本參數(shù)
5.1.4 硬盤的數(shù)據(jù)保護(hù)
5.1.5* 硬盤相關(guān)概念
5.2 光盤驅(qū)動(dòng)器
5.2.1 光驅(qū)的結(jié)構(gòu)
5.2.2 光驅(qū)的技術(shù)指標(biāo)
5.2.3 光驅(qū)的工作原理
5.2.4 光驅(qū)的選購(gòu)
5.2.5 光驅(qū)的測(cè)速
5.2.6 光驅(qū)的維護(hù)
5.2.7 內(nèi)外置光驅(qū)比較
5.3 移動(dòng)存儲(chǔ)盤
5.3.1 移動(dòng)盤的特點(diǎn)
5.3.2 移動(dòng)盤的主要用途
5.3.3* USB接口介紹
小結(jié)
思考與練習(xí)題
第6章 顯示系統(tǒng)設(shè)備
6.1 顯示卡
6.2 顯示器
6.2.1 顯示器分類
6.2.2 顯示器電路
小結(jié)
思考與練習(xí)題
第7章 其他外部設(shè)備
7.1 聲卡
7.1.1 聲卡概述
7.1.2 工作原理和主要功能
7.1.3 聲卡的類型
7.1.4 聲卡的發(fā)展
7.2 音箱
7.2.1 音箱的種類
7.2.2 音箱的安裝
7.2.3 音箱的選購(gòu)
7.3 鍵盤和鼠標(biāo)
7.3.1 鍵盤
7.3.2 鼠標(biāo)
7.4 機(jī)箱和電源
7.4.1 機(jī)箱簡(jiǎn)介
7.4.2 電源概述
7.5 其他外設(shè)
7.5.1 打印機(jī)概述
7.5.2* 掃描儀簡(jiǎn)介
7.5.3 數(shù)碼相機(jī)概述
小結(jié)
思考與練習(xí)題
第8章 微機(jī)系統(tǒng)整機(jī)組裝
8.1 整機(jī)組裝的重要原則
8.2 主要部件的安裝
8.2.1 CPU的安裝
8.2.2 內(nèi)存條的安裝
8.2.3 主板的安裝
8.2.4 外部存儲(chǔ)設(shè)備的安裝
8.3 線路連接
8.3.1 內(nèi)部部件線路連接
8.3.2 外部設(shè)備線路連接
8.4 通電前的檢查
小結(jié)
思考與練習(xí)題
第9章 微機(jī)系統(tǒng)BIOS設(shè)置與優(yōu)化
9.1 認(rèn)識(shí)微機(jī)系統(tǒng)B10S
……
第10章 微機(jī)操作系統(tǒng)
第11章 微機(jī)系統(tǒng)軟件維護(hù)技術(shù)
第12章 微機(jī)實(shí)用維護(hù)工具軟件
第13章 微機(jī)故障維修
第14章 實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)
參考文獻(xiàn)
章節(jié)摘錄
版權(quán)頁(yè): 插圖: (1)內(nèi)存條的工作電壓。早期的FPM內(nèi)存和ED0內(nèi)存條均使用5 V電壓,現(xiàn)在有使用3.3 v的。SDRAM使用3.3 V電壓。DDR內(nèi)存使用2.5 V電壓,采用接口標(biāo)準(zhǔn)SSTL_2I/O。DDR2內(nèi)存的工作電壓為1.8 V,采用接口標(biāo)準(zhǔn)SSTL一18 I/O。DDR3內(nèi)存的工作電壓為1.5 v,采用接口標(biāo)準(zhǔn)SSTL_15 I/O。DDR4內(nèi)存的工作電壓為1.2 V以下。隨著工作電壓的降低,相同數(shù)據(jù)傳輸量的功耗將明顯下降。 (2)內(nèi)存條容量。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,內(nèi)存的容量等于插在主板內(nèi)存插槽上所有內(nèi)存條容量的總和。內(nèi)存容量的上限一般由CPU、主板芯片組和內(nèi)存插槽決定。特別是內(nèi)存多通道技術(shù)的出現(xiàn),支持幾個(gè)通道,就必須選用幾根內(nèi)存條,這樣才能發(fā)揮多通道技術(shù)的作用。巨前絕大部分芯片組可以支持2 GB或以上的內(nèi)存,主流的芯片組可以支持4 GB或以上的內(nèi)存。目前內(nèi)存控制器已集成至CPU,因此,支持的內(nèi)存條容量將由CPU和主板共同決定。32位操作系統(tǒng)最多只支持4 GB內(nèi)存。 (3)內(nèi)存條的接口類型與引腳。內(nèi)存條的接口類型是根據(jù)其金手指數(shù)量來(lái)劃分的。金手指是內(nèi)存條與內(nèi)存條插槽之間的連接接口。早期的內(nèi)存是30腳或72腳。對(duì)于臺(tái)式機(jī)而言,DDR采用184腳接口,而DDR2和DDR3均采用240腳接口,而且其工作電壓和接口均不兼容。DDR、DDR2和DDR3的缺口位置如圖4-6所示。 (4)內(nèi)存條等效主頻。內(nèi)存存取數(shù)據(jù)的時(shí)間,即存儲(chǔ)器進(jìn)行一次完整的存取操作所需要的時(shí)間,單位為納秒。內(nèi)存上標(biāo)有-5、-6、等字樣,表示存取時(shí)間,-5表示50ns,-6表示60 ns,時(shí)間越小,速度越快。盡管內(nèi)存的制造流程在不斷改進(jìn),但作為單個(gè)的DRAM,存取速度提高并不大。 CPU的速度在不斷提高,CPU與內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)交換存在瓶頸。目前主要采用了DDR1、DDR2、DDR3等預(yù)提取技術(shù)或并行提取技術(shù),可在內(nèi)存內(nèi)核頻率(100 MHz、133 MHz、166 MHz、200 MHz)變化不大的情況下,實(shí)現(xiàn)內(nèi)存條I/O與CPU接口速度的大幅提升。例如DDR3-1600,數(shù)據(jù)傳輸率達(dá)1600 MT/s,內(nèi)存條I/O與CPU接口之間主頻達(dá)800 MHz。定義這個(gè)頻率作為內(nèi)存主頻顯然不合適,容易混淆。作為一般用戶,只要知道內(nèi)存條等效主頻這個(gè)概念就行了,因此可以把DDR3.1600(1600 MT/s,每周期傳輸兩次數(shù)據(jù))之800 MHz定義為內(nèi)存等效主頻。單根內(nèi)存條數(shù)據(jù)線為64位,8個(gè)字節(jié)寬,那么DDR3-1600單根內(nèi)存條的數(shù)據(jù)帶寬=1600×8=12 800(MB/s)=12.8(GB/s)。
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