微電子制造工藝技術(shù)

前言

　　進(jìn)入21世紀(jì)以來，高等職業(yè)教育呈現(xiàn)出快速發(fā)展的形勢(shì)。高等職業(yè)教育的發(fā)展，豐富了高等教育的體系結(jié)構(gòu)，突出了高等職業(yè)教育的類型特色，順應(yīng)了人民群眾接受高等教育的強(qiáng)烈需求，為現(xiàn)代化建設(shè)培養(yǎng)了大量高素質(zhì)技能型專門人才，對(duì)高等教育大眾化作出了重要貢獻(xiàn)。目前，高等職業(yè)教育在我國社會(huì)主義現(xiàn)代化建設(shè)事業(yè)中發(fā)揮著越來越重要的作用。　　教育部2006年下發(fā)了《關(guān)于全面提高高等職業(yè)教育教學(xué)質(zhì)量的若干意見》，其中提出了深化教育教學(xué)改革，重視內(nèi)涵建設(shè)，促進(jìn)“工學(xué)結(jié)合”人才培養(yǎng)模式改革，推進(jìn)整體辦學(xué)水平提升，形成結(jié)構(gòu)合理、功能完善、質(zhì)量優(yōu)良、特色鮮明的高等職業(yè)教育體系的任務(wù)要求。根據(jù)新的發(fā)展要求，高等職業(yè)院校積極與行業(yè)企業(yè)合作開發(fā)課程，根據(jù)技術(shù)領(lǐng)域和職業(yè)崗位群任職要求，參照相關(guān)職業(yè)資格標(biāo)準(zhǔn)，改革課程體系和教學(xué)內(nèi)容，建立突出職業(yè)能力培養(yǎng)的課程標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)范課程教學(xué)的基本要求，提高課程教學(xué)質(zhì)量，不斷更新教學(xué)內(nèi)容，而實(shí)施具有工學(xué)結(jié)合特色的教材建設(shè)是推進(jìn)高等職業(yè)教育改革發(fā)展的重要任務(wù)?！　榕浜辖逃繉?shí)施質(zhì)量工程，解決當(dāng)前高職高專精品教材不足的問題，西安電子科技大學(xué)出版社與中國高等職業(yè)技術(shù)教育研究會(huì)在前三輪聯(lián)合策劃、組織編寫“計(jì)算機(jī)、通信電子、機(jī)電及汽車類專業(yè)”系列高職高專教材共160余種的基礎(chǔ)上，又聯(lián)合策劃、組織編寫了新一輪“計(jì)算機(jī)、通信、電子類”專業(yè)系列高職高專教材共120余種。這些教材的選題是在全國范圍內(nèi)近30所高職高專院校中，對(duì)教學(xué)計(jì)劃和課程設(shè)置進(jìn)行充分調(diào)研的基礎(chǔ)上策劃產(chǎn)生的。教材的編寫采取在教育部精品專業(yè)或示范性專業(yè)的高職高專院校中公開招標(biāo)的形式，以吸收盡可能多的優(yōu)秀作者參與投標(biāo)和編寫。在此基礎(chǔ)上，召開系列教材專家編委會(huì)，評(píng)審教材編寫大綱，并對(duì)中標(biāo)大綱提出修改、完善意見，確定主編、主審人選。該系列教材以滿足職業(yè)崗位需求為目標(biāo)，以培養(yǎng)學(xué)生的應(yīng)用技能為著力點(diǎn)，在教材的編寫中結(jié)合任務(wù)驅(qū)動(dòng)、項(xiàng)目導(dǎo)向的教學(xué)方式，力求在新穎性、實(shí)用性、可讀性三個(gè)方面有所突破，體現(xiàn)高職高專教材的特點(diǎn)。己出版的第一輪教材共36種，2001年全部出齊，從使用情況看，比較適合高等職業(yè)院校的需要，普遍受到各學(xué)校的歡迎，一再重印，其中《互聯(lián)網(wǎng)實(shí)用技術(shù)與網(wǎng)頁制作》在短短兩年多的時(shí)間里先后重印6次，并獲教育部2002年普通高校優(yōu)秀教材獎(jiǎng)。第二輪教材共60余種，在2004年已全部出齊，有的教材出版一年多的時(shí)間里就重印4次， 反映了市場(chǎng)對(duì)優(yōu)秀專業(yè)教材的需求。前兩輪教材中有十幾種入選國家“十一五”規(guī)劃教材。第三輪教材2007年8月之前全部出齊。本輪教材預(yù)計(jì)2008年全部出齊，相信也會(huì)成為系列精品教材?！　〗滩慕ㄔO(shè)是高職高專院校教學(xué)基本建設(shè)的一項(xiàng)重要工作。多年來，高職高專院校十分重視教材建設(shè)，組織教師參加教材編寫，為高職高專教材從無到有，從有到優(yōu)、到特而辛勤工作。但高職高專教材的建設(shè)起步時(shí)間不長，還需要與行業(yè)企業(yè)合作，通過共同努力，出版一大批符合培養(yǎng)高素質(zhì)技能型專門人才要求的特色教材。我們殷切希望廣大從事高職高專教育的教師，面向市場(chǎng)，服務(wù)需求，為形成具有中國特色和高職教育特點(diǎn)的高職高專教材體系作出積極的貢獻(xiàn)。

內(nèi)容概要

　　《微電子制造工藝技術(shù)》是一本綜合介紹微電子制造工藝的教材，是按照高職高專電子、通信類專業(yè)“十一五”規(guī)劃教材的要求編寫而成的?！段㈦娮又圃旃に嚰夹g(shù)》以硅器件平面工藝為主線，適當(dāng)兼顧其他工藝方法。內(nèi)容側(cè)重于微電子制造工藝技術(shù)的介紹，為方便半導(dǎo)體業(yè)界以外人士閱讀，還介紹了一些半導(dǎo)體理論基礎(chǔ)知識(shí)以及半導(dǎo)體工業(yè)方面的內(nèi)容，使讀者可以在較短時(shí)間內(nèi)對(duì)微電子制造工藝有較為完整的認(rèn)識(shí)，同時(shí)深入了解微電子技術(shù)的特點(diǎn)，掌握微電子制造工藝技術(shù)。每章后附有復(fù)習(xí)思考題，便于讀者自測(cè)、自查。針對(duì)微電子技術(shù)更新速度極快的特點(diǎn)，書后附錄中給出了常用集成電路相關(guān)網(wǎng)址，便于讀者及時(shí)查閱新技術(shù)與新工藝。

書籍目錄

第1章 半導(dǎo)體工業(yè)概述1.1 引言1.1.1 半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展1.1.2 集成電路產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)1.2 半導(dǎo)體工業(yè)的構(gòu)成1.3 半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)階段復(fù)習(xí)思考題第2章 半導(dǎo)體材料基礎(chǔ)知識(shí)2.1 晶體學(xué)基礎(chǔ)知識(shí)2.1.1 晶體與非晶體2.1.2 原子間的鍵合2.1.3 空間點(diǎn)陣2.1.4 晶向和晶面的表示方法2.2 常用的半導(dǎo)體材料和工藝化學(xué)品2.2.1 本征半導(dǎo)體和摻雜半導(dǎo)體2.2.2 常用的半導(dǎo)體材料2.2.3 工藝化學(xué)品復(fù)習(xí)思考題第3章 集成電路有源元件和工藝流程3.1 概述3.1.1 半導(dǎo)體元器件的生成3.1.2 集成電路的形成3.2 集成電路制造工藝3.2.1 雙極型硅晶體管工藝3.2.2 TTL集成電路工藝流程3.2.3 MOS器件工藝流程3.2.4 Bi-CMOS工藝復(fù)習(xí)思考題第4章 晶體生長和晶圓制備4.1 晶體和晶圓質(zhì)量4.1.1 對(duì)襯底材料的要求4.l.2 晶體的缺陷4.2 晶體生長4.2.1 晶體生長的概念4.2.2 晶體生長的方法4.3 晶圓制各4.3.1 晶圓制各工藝流程4.3.2 其他處理復(fù)習(xí)思考題，第5章 集成電路制造工藝概述5.1 集成電路設(shè)計(jì)簡介5.1.1 概述5.1.2 工藝設(shè)計(jì)5.1.3 版圖設(shè)計(jì)5.2 集成電路的四項(xiàng)基礎(chǔ)工藝概述5.2.1 薄膜制備5.2.2 光刻5.2.3 摻雜5.2.4 熱處理復(fù)習(xí)思考題第6章 薄膜制備第7章 光刻第8章 摻雜第9章 封裝第10章 污染控制附錄A 潔凈室等級(jí)標(biāo)準(zhǔn)附錄B 微電子行業(yè)常用網(wǎng)址附錄C 常用專業(yè)詞匯表參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

　　電信號(hào)處理工業(yè)始于Lee Deforest在1906年發(fā)現(xiàn)的真空三極管。真空三極管有兩個(gè)重要的功能：開關(guān)和放大。開關(guān)是指電子器件可接通和切斷電流（“開”或“關(guān)”）；放大則是指電子器件可把接收到的信號(hào)放大，并保持信號(hào)原有特征的功能。1947年世界上第一臺(tái)計(jì)算機(jī)ENIAC(Electronic Numerial Integrator And Computer)就是主要用真空管制造出來的。ENIAC的制造用了19000個(gè)真空管和數(shù)千個(gè)電阻及電容器。這臺(tái)電子計(jì)算機(jī)和現(xiàn)代的計(jì)算機(jī)大相徑庭， 它花費(fèi)了當(dāng)時(shí)的400000美元， 占據(jù)約1500平方英尺的面積，重量達(dá)30噸，工作時(shí)產(chǎn)生大量的熱量，需要一個(gè)小型發(fā)電站來供電?！　≌婵展苡幸幌盗械娜秉c(diǎn)，如體積龐大，元器件老化很快，要求相對(duì)較多的電能維持運(yùn)行，連接處易于變松導(dǎo)致真空泄漏，易碎等。ENIAC和其他基于真空管的電子設(shè)備的主要缺點(diǎn)是由于真空管易燒毀而導(dǎo)致運(yùn)行時(shí)間有限，這種情形一直持續(xù)到20世紀(jì)40年代。1947年12月23日，貝爾實(shí)驗(yàn)室的三位科學(xué)家巴丁(John Bardeen)、布萊頓(Walter Brattin)和肖克萊(William Shockley)演示了用半導(dǎo)體材料鍺制成的電子放大器件，這種器件不但有真空管的功能，而且為固態(tài)無真空，體積小、重量輕、耗電低且壽命長。這種器件最初被命名為“傳輸電阻器”，而后更名為晶體管(Transistor)，這三位科學(xué)家也因他們的這一發(fā)明而被授予1956年的諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。　　第一個(gè)晶體管和今天的高密度集成電路相去甚遠(yuǎn)，但它標(biāo)志著固態(tài)電子時(shí)代的誕生。除晶體管之外，固態(tài)技術(shù)還用于制造二極管、電阻器和電容器。

圖書封面

評(píng)論、評(píng)分、閱讀與下載

---

    微電子制造工藝技術(shù) PDF格式下載

---