專用集成電路設(shè)計基礎(chǔ)教程

內(nèi)容概要

　　《專用集成電路設(shè)計基礎(chǔ)教程》循序漸進(jìn)地介紹了集成電路的基本知識和設(shè)計方法。全書共分8章，主要包括專用集成電路概述、集成電路的基本制造工藝及版圖設(shè)計、器件的物理基礎(chǔ)及其SPICE模型、數(shù)字集成電路設(shè)計技術(shù)、模擬集成電路設(shè)計技術(shù)、專用集成電路設(shè)計方法、專用集成電路測試與可測性設(shè)計以及專用集成電路計算機(jī)輔助設(shè)計簡介等內(nèi)容?！　　?1世紀(jì)高等學(xué)校電子信息類規(guī)劃教材：專用集成電路設(shè)計基礎(chǔ)教程》可作為高等院校通信工程、電子信息工程、電子科學(xué)與技術(shù)、測控技術(shù)與儀器、計算機(jī)技術(shù)以及自動化等專業(yè)高年級本科生或研究生的教材，也可供有關(guān)科技人員參考。　　《21世紀(jì)高等學(xué)校電子信息類規(guī)劃教材：專用集成電路設(shè)計基礎(chǔ)教程》若與西安電子科技大學(xué)出版社同時出版的《專用集成電路設(shè)計實踐》一書配套使用，效果更好。

書籍目錄

第1章 專用集成電路概述1.1 集成電路的發(fā)展1.2 集成電路的分類1.2.1 按集成規(guī)模分類1.2.2 按制作工藝分類1.2.3 按生產(chǎn)形式（按適用性）分類1.2.4 按設(shè)計風(fēng)格分類1.2.5 按用途分類1.3 ASIC及其發(fā)展趨勢1.4 專用集成電路設(shè)計流程第2章 集成電路的基本制造工藝及版圖設(shè)計2.1 集成電路的基本制造工藝2.1.1 雙極工藝2.1.2 CMOS工藝2.1.3 BiCMOS工藝2.2 集成電路的封裝工藝2.2.1 集成電路的封裝類型2.2.2 集成電路封裝工藝流程2.2.3 封裝材料2.2.4 互連級別2.2.5 在封裝中對于熱學(xué)方面問題的考慮2.3 集成電路版圖設(shè)計2.3.1 版圖概述2.3.2 版圖設(shè)計規(guī)則2.3.3 版圖檢查與驗證2.3.4 IC版圖格式第3章 器件的物理基礎(chǔ)及其SPICE模型〖WT〗3.1 PN結(jié)3.1.1 PN結(jié)的形成3.1.2 PN結(jié)的理想伏安特性3.1.3 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.2 有源器件3.2.1 雙極型晶體管及其SPICE模型3.2.2 MOS晶體管及其SPICE模型3.3 無源器件3.3.1 電阻及其SPICE模型3.3.2 電容及其SPICE模型3.3.3 集成二極管及其SPICE模型3.4 模型參數(shù)提取第4章 數(shù)字集成電路設(shè)計技術(shù)4.1 MOS開關(guān)及CMOS傳輸門4.1.1 MOS開關(guān)4.1.2 CMOS傳輸門4.2 CMOS反相器4.2.1 CMOS反相器的工作原理4.2.2 CMOS反相器的直流傳輸特性4.2.3 CMOS反相器的靜態(tài)特性4.2.4 CMOS反相器的動態(tài)特性4.2.5 CMOS反相器的功耗和速度4.2.6 BiCMOS反相器4.3 CMOS組合邏輯4.3.1 CMOS與非門4.3.2 CMOS或非門4.3.3 CMOS與或非門4.3.4 CMOS組合邏輯門電路設(shè)計方法4.4 觸發(fā)器4.4.1 RS觸發(fā)器4.4.2 D觸發(fā)器4.4.3 施密特觸發(fā)器4.5 存儲器4.5.1 隨機(jī)存取存儲器（RAM）4.5.2 只讀存儲器（ROM）第5章 模擬集成電路設(shè)計技術(shù)5.1 電流源5.1.1 雙極型電流源電路5.1.2 MOS電流源5.2 差分放大器5.2.1 雙極IC中的放大電路5.2.2 CMOS差動放大器5.3 集成運(yùn)算放大器電路5.3.1 雙極集成運(yùn)算放大器5.3.2 CMOS集成運(yùn)算放大器5.3.3 集成運(yùn)算放大器的主要性能指標(biāo)5.4 比較器5.4.1 比較器的基本特性5.4.2 兩級開環(huán)比較器5.4.3 其他開環(huán)比較器5.4.4 開環(huán)比較器性能的改進(jìn)5.5 帶隙基準(zhǔn)5.5.1 基本原理分析……第6章 專用集成電路設(shè)計方法第7章 專用集成電路測試與可測性設(shè)計第8章 專用集成電路計算機(jī)輔助設(shè)計簡介參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

　　第1章　專用集成電路概述　　1.1　集成電路的發(fā)展　　1．集成電路的發(fā)明　　集成電路（Integrated Circuit，IC）指通過一系列特定的加工工藝，將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容等無源器件，按照一定的電路互連，“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片（如硅或砷化鎵）上并封裝在一個外殼內(nèi)，可執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能?！　?959年2月，美國德州儀器公司的杰克？基爾比（Jack Kilby）在鍺（Ge）襯底上形成臺面雙極型晶體管和電阻，再用超聲波焊接將這些元器件用金屬導(dǎo)線連接起來形成小型電子電路，并申請了專利（1964年獲得美國專利）。嚴(yán)格地說這是一種混合集成電路，而不是一種布線和元器件同時形成的單片集成電路。但是這一發(fā)明為后來集成電路的飛速發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。　　2．集成電路的發(fā)展及未來　　1）集成電路的發(fā)展　　最早的Ic使用雙極型工藝，多數(shù)的邏輯Ic使用晶體管—晶體管邏輯（Transistor-Transistor Logic，TTL）或發(fā)射極耦合邏輯（Emitter-Coupled Logic，ECL）。雖然金屬—氧化物—硅（Metal-Oxide—Silicon，MOS）晶體管的發(fā)明早于雙極型晶體管，但氧化物界面的質(zhì)量問題使得最初的M（）s晶體管很難制造。隨著上述問題的逐步解決，20世紀(jì)70年代出現(xiàn)了金屬柵N溝道M0s（NMOS）工藝。當(dāng)時的MoS工藝只需要較少的掩膜步驟，而且與功能相當(dāng)?shù)碾p極型IC相比，M0s IC的密度大、功耗小。這表明當(dāng)性能一定時，采用MOs IC比采用雙極型IC更便宜，由此導(dǎo)致了對MoS IC的投資以及市場的增長?！　?0世紀(jì)80年代初，晶體管中的鋁柵被多晶硅柵替代，但仍保留了MOS管的名稱。多晶硅作為柵材料的引入使得在同一IC上很容易制造N溝道MoS和P溝道M0s兩種類型的晶體管，這就是CMOs技術(shù)，即互補(bǔ)型MoS（（20mplementary M0s，CMOs）工藝技術(shù)的主要改進(jìn)。CM0s與NMoS相比，其主要優(yōu)點是功耗較低，且多晶硅柵的生產(chǎn)工藝更為簡單，便于器件尺寸按比例縮小?！　　?/pre>








圖書封面






評論、評分、閱讀與下載



還沒讀過(52)
勉強(qiáng)可看(378)
一般般(646)
內(nèi)容豐富(2679)
強(qiáng)力推薦(219)


 


    專用集成電路設(shè)計基礎(chǔ)教程 PDF格式下載