專(zhuān)用集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)教程

內(nèi)容概要

　　《專(zhuān)用集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)教程》循序漸進(jìn)地介紹了集成電路的基本知識(shí)和設(shè)計(jì)方法。全書(shū)共分8章，主要包括專(zhuān)用集成電路概述、集成電路的基本制造工藝及版圖設(shè)計(jì)、器件的物理基礎(chǔ)及其SPICE模型、數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)、模擬集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)、專(zhuān)用集成電路設(shè)計(jì)方法、專(zhuān)用集成電路測(cè)試與可測(cè)性設(shè)計(jì)以及專(zhuān)用集成電路計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介等內(nèi)容?！　　?1世紀(jì)高等學(xué)校電子信息類(lèi)規(guī)劃教材：專(zhuān)用集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)教程》可作為高等院校通信工程、電子信息工程、電子科學(xué)與技術(shù)、測(cè)控技術(shù)與儀器、計(jì)算機(jī)技術(shù)以及自動(dòng)化等專(zhuān)業(yè)高年級(jí)本科生或研究生的教材，也可供有關(guān)科技人員參考?！　　?1世紀(jì)高等學(xué)校電子信息類(lèi)規(guī)劃教材：專(zhuān)用集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)教程》若與西安電子科技大學(xué)出版社同時(shí)出版的《專(zhuān)用集成電路設(shè)計(jì)實(shí)踐》一書(shū)配套使用，效果更好。

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第1章 專(zhuān)用集成電路概述1.1 集成電路的發(fā)展1.2 集成電路的分類(lèi)1.2.1 按集成規(guī)模分類(lèi)1.2.2 按制作工藝分類(lèi)1.2.3 按生產(chǎn)形式（按適用性）分類(lèi)1.2.4 按設(shè)計(jì)風(fēng)格分類(lèi)1.2.5 按用途分類(lèi)1.3 ASIC及其發(fā)展趨勢(shì)1.4 專(zhuān)用集成電路設(shè)計(jì)流程第2章 集成電路的基本制造工藝及版圖設(shè)計(jì)2.1 集成電路的基本制造工藝2.1.1 雙極工藝2.1.2 CMOS工藝2.1.3 BiCMOS工藝2.2 集成電路的封裝工藝2.2.1 集成電路的封裝類(lèi)型2.2.2 集成電路封裝工藝流程2.2.3 封裝材料2.2.4 互連級(jí)別2.2.5 在封裝中對(duì)于熱學(xué)方面問(wèn)題的考慮2.3 集成電路版圖設(shè)計(jì)2.3.1 版圖概述2.3.2 版圖設(shè)計(jì)規(guī)則2.3.3 版圖檢查與驗(yàn)證2.3.4 IC版圖格式第3章 器件的物理基礎(chǔ)及其SPICE模型〖WT〗3.1 PN結(jié)3.1.1 PN結(jié)的形成3.1.2 PN結(jié)的理想伏安特性3.1.3 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.2 有源器件3.2.1 雙極型晶體管及其SPICE模型3.2.2 MOS晶體管及其SPICE模型3.3 無(wú)源器件3.3.1 電阻及其SPICE模型3.3.2 電容及其SPICE模型3.3.3 集成二極管及其SPICE模型3.4 模型參數(shù)提取第4章 數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)4.1 MOS開(kāi)關(guān)及CMOS傳輸門(mén)4.1.1 MOS開(kāi)關(guān)4.1.2 CMOS傳輸門(mén)4.2 CMOS反相器4.2.1 CMOS反相器的工作原理4.2.2 CMOS反相器的直流傳輸特性4.2.3 CMOS反相器的靜態(tài)特性4.2.4 CMOS反相器的動(dòng)態(tài)特性4.2.5 CMOS反相器的功耗和速度4.2.6 BiCMOS反相器4.3 CMOS組合邏輯4.3.1 CMOS與非門(mén)4.3.2 CMOS或非門(mén)4.3.3 CMOS與或非門(mén)4.3.4 CMOS組合邏輯門(mén)電路設(shè)計(jì)方法4.4 觸發(fā)器4.4.1 RS觸發(fā)器4.4.2 D觸發(fā)器4.4.3 施密特觸發(fā)器4.5 存儲(chǔ)器4.5.1 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）4.5.2 只讀存儲(chǔ)器（ROM）第5章 模擬集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)5.1 電流源5.1.1 雙極型電流源電路5.1.2 MOS電流源5.2 差分放大器5.2.1 雙極IC中的放大電路5.2.2 CMOS差動(dòng)放大器5.3 集成運(yùn)算放大器電路5.3.1 雙極集成運(yùn)算放大器5.3.2 CMOS集成運(yùn)算放大器5.3.3 集成運(yùn)算放大器的主要性能指標(biāo)5.4 比較器5.4.1 比較器的基本特性5.4.2 兩級(jí)開(kāi)環(huán)比較器5.4.3 其他開(kāi)環(huán)比較器5.4.4 開(kāi)環(huán)比較器性能的改進(jìn)5.5 帶隙基準(zhǔn)5.5.1 基本原理分析……第6章 專(zhuān)用集成電路設(shè)計(jì)方法第7章 專(zhuān)用集成電路測(cè)試與可測(cè)性設(shè)計(jì)第8章 專(zhuān)用集成電路計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

　　第1章　專(zhuān)用集成電路概述　　1.1　集成電路的發(fā)展　　1．集成電路的發(fā)明　　集成電路（Integrated Circuit，IC）指通過(guò)一系列特定的加工工藝，將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容等無(wú)源器件，按照一定的電路互連，“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片（如硅或砷化鎵）上并封裝在一個(gè)外殼內(nèi)，可執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能?！　?959年2月，美國(guó)德州儀器公司的杰克？基爾比（Jack Kilby）在鍺（Ge）襯底上形成臺(tái)面雙極型晶體管和電阻，再用超聲波焊接將這些元器件用金屬導(dǎo)線連接起來(lái)形成小型電子電路，并申請(qǐng)了專(zhuān)利（1964年獲得美國(guó)專(zhuān)利）。嚴(yán)格地說(shuō)這是一種混合集成電路，而不是一種布線和元器件同時(shí)形成的單片集成電路。但是這一發(fā)明為后來(lái)集成電路的飛速發(fā)展奠定了基礎(chǔ)?！　?．集成電路的發(fā)展及未來(lái)　　1）集成電路的發(fā)展　　最早的Ic使用雙極型工藝，多數(shù)的邏輯Ic使用晶體管—晶體管邏輯（Transistor-Transistor Logic，TTL）或發(fā)射極耦合邏輯（Emitter-Coupled Logic，ECL）。雖然金屬—氧化物—硅（Metal-Oxide—Silicon，MOS）晶體管的發(fā)明早于雙極型晶體管，但氧化物界面的質(zhì)量問(wèn)題使得最初的M（）s晶體管很難制造。隨著上述問(wèn)題的逐步解決，20世紀(jì)70年代出現(xiàn)了金屬柵N溝道M0s（NMOS）工藝。當(dāng)時(shí)的MoS工藝只需要較少的掩膜步驟，而且與功能相當(dāng)?shù)碾p極型IC相比，M0s IC的密度大、功耗小。這表明當(dāng)性能一定時(shí)，采用MOs IC比采用雙極型IC更便宜，由此導(dǎo)致了對(duì)MoS IC的投資以及市場(chǎng)的增長(zhǎng)?！　?0世紀(jì)80年代初，晶體管中的鋁柵被多晶硅柵替代，但仍保留了MOS管的名稱(chēng)。多晶硅作為柵材料的引入使得在同一IC上很容易制造N溝道MoS和P溝道M0s兩種類(lèi)型的晶體管，這就是CMOs技術(shù)，即互補(bǔ)型MoS（（20mplementary M0s，CMOs）工藝技術(shù)的主要改進(jìn)。CM0s與NMoS相比，其主要優(yōu)點(diǎn)是功耗較低，且多晶硅柵的生產(chǎn)工藝更為簡(jiǎn)單，便于器件尺寸按比例縮小?！　　?/pre>








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