電子技術基礎數(shù)字部分

前言

　　本書是為學習華中科技大學電子技術課程組編、康華光教授任主編的《電子技術基礎》數(shù)字部分(第五版)教材(以下簡稱為“教材”)而編寫的學習參考書?！　≡?0多年的時間里，華中科技大學的《電子技術基礎》“教材”從第一版到第五版，由于有“精選內(nèi)容，推陳出新；講清基本概念、基本電路的工作原理和基本分析方法”等編寫指導思想，使“教材”在本學科中一直處于領先，并廣為國內(nèi)院校選用?！　?shù)字電子技術基礎是一門非常注重理論聯(lián)系實際的課程，在數(shù)字電路、數(shù)字信號處理技術發(fā)展飛速的今天，數(shù)字電子技術本身的更新也是日新月異的，因此，學習好數(shù)字電路已經(jīng)是一名大學生的基本要求。作為專業(yè)基礎課，“數(shù)電”既具有基礎課的內(nèi)容嚴謹、概念完整的特點；又具有專業(yè)課實踐性、工程性強的特點。對于嶄新的課程，繁雜的概念，靈活的分析、設計方法，初學者總是覺得難以理解和掌握，所以本書在編寫之初就確定了一個目標，即幫助學習“教材”的學生整理好相關內(nèi)容，并且針對不同的學生層次，將題目的類型加以分類。分類標準如下?！　　靖拍铑}】要求掌握基本概念，沒有復雜的運算技巧，但是必須熟練?！　　居嬎泐悺吭谡莆栈靖拍罨A之上，需要解題技巧，建議掌握方法，為以后的學習鋪路?！　　緦嶋H應用類】和實際問題結合比較緊密，在以后的實際工程應用中會起到很重要的作用，但是需要堅實的基礎和一定量的技巧，建議掌握方法和解題思路。

內(nèi)容概要

　　本書以華中科技大學電子技術課程組編、康華光教授主編的《電子技術基礎數(shù)字部分》（第五版）為教材參考，而編寫的該課程的學習指導書。每章內(nèi)容分為兩部分；第一部分為“基本概念及分析計算依據(jù)”，是對教材中的知識點簡明扼要的總結，引導學生掌握各章的重點難點；第二部分為“習題解析”，對教材各章后的習題詳細分析解答，培養(yǎng)學生科學的解題思維方法?！　”緯勺鳛檫x用該教材的大學本科學生學習該課程的輔導教材；對選用其他院校教材的學生和有關工程技術人員，本書以作為學習該課程的參考書，對有志攻讀碩士研究生的學生，本書也可作為考研輔導用書。

書籍目錄

前言l　數(shù)字邏輯概論1.1　基本概念及分析計算依據(jù)1.1.1　數(shù)字電路與數(shù)字信號1.1.2　數(shù)制1.1.3　二進制數(shù)的算術運算1.1.4　二進制代碼1.1.5　二值邏輯，變量與基本邏輯運算1.1.6　邏輯函數(shù)及其表示方法1.2　習題解析2　邏輯代數(shù)與硬件描述語言基礎2.1　基本概念及分析計算依據(jù)2.1.l　邏輯代數(shù)2.1.2　硬件描述語言Verilog HDL基礎2.2　習題解析3　邏輯門電路3.1　基本概念及分析計算依據(jù)3.1.1　MOS邏輯門電路3.1.2　TTL門電路3.1.3　邏輯描述中的幾個問題3.1.4　邏輯門電路使用中的幾個實際問題3.1.5　用Verilog HDL描述邏輯門電路3.2　習題解析4　組合邏輯電路4.1　基本概念及分析計算依據(jù)4.1.1　組合邏輯電路的分析4.1.2　組合邏輯電路的設計4.1.3　組合邏輯電路中的競爭冒險4.1.4　組合可編程邏輯器件4.1.5　用verilog HDL描述的組合邏輯電路4.2習題解析5　鎖存器和觸發(fā)器5.1　基本概念及分析計算依據(jù)5.1.1　雙穩(wěn)態(tài)存儲單元電路5.1.2　鎖存器5.1.3　觸發(fā)器的電路結構和工作原理5.1.4　觸發(fā)器的邏輯功能5.1.5　用Verilog HDL描述鎖存器和觸發(fā)器5.2　習題解析6　時序邏輯電路6.1　基本概念及分析計算依據(jù)6.1.1　時序邏輯電路的基本概念6.1.2　同步時序邏輯電路的分析6.1_3　同步時序邏輯電路的設計6.1.4　異步時序邏輯電路的分析6.1.5　用Verilog HDL描述時序邏輯電路6.2　習題鏘析7　存儲器、復雜可編程器件和現(xiàn)場可編程門陣列7.1　基本概念及分析計算依據(jù)7.1.1　只讀存儲器(ROM)7.1.2　隨機存取存儲器(RAM)7.1.3　復雜可編程邏輯器件(CPLD)7.1.4　現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)7.2　習題解析8　脈沖波形的變換與產(chǎn)生8.1　基本概念與分析計算依據(jù)8.1.1　單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器8.1.2　施密特觸發(fā)器8.1.3　多諧振蕩器8.1.4　555定時器及其應用8.2　習題解析9　數(shù)模與模數(shù)轉(zhuǎn)換器附錄I 期末考試模擬試題附錄Ⅱ 期末考試模擬試題答案

章節(jié)摘錄

　　這一章 介紹的內(nèi)容是現(xiàn)代電子技術高速發(fā)展的主要體現(xiàn)?！　?．1節(jié)中介紹了現(xiàn)在比較常用的幾種存儲器結構，學習時了解掌握就可以了，對于7．2節(jié)介紹的內(nèi)容也只要求了解，重點應該掌握的是7．3節(jié)介紹的復雜可編程邏輯器件，兇為隨著半導體材料技術的發(fā)展，EDA技術在數(shù)字電路的開發(fā)中因為其開發(fā)的高效性、高靈活性，已經(jīng)成為現(xiàn)代電子開發(fā)的一項重要技術?！敖滩摹敝兄饕榻B的是器件的內(nèi)部結構，而為了靈活使用這項技術，還是需要將重點放在硬件描述語言的學習上，所以這章的主要內(nèi)容只要做到了解就可以了?！　?．1 基本概念及分析計算依據(jù)　　7．1．1 只讀存儲器(ROM)ROM是一種永久性數(shù)據(jù)存儲器，其中的數(shù)據(jù)一般由專用的裝置寫入，數(shù)據(jù)一旦寫入，不能改寫，斷電后，數(shù)據(jù)不會消失。ROM由存儲陣列、地址譯碼器和輸Ⅲ控制電路三部分組成。二維譯碼：實際的ROM中，采用行譯碼和列譯碼的二維譯碼結構來減小澤碼電路的規(guī)模?？删幊蘎OM：一次可編程存儲器PROM，光可擦除可編程存儲器EPROM，電可擦除可編程存儲器E2PROM?！　?．1．2 隨機存取存儲器(RAM)(1)靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)sRAM基本結構與ROM類似，由存儲陣列、地址譯碼器和輸入／輸出控制電路三部分組成。sRAM與ROM最主要的差別是存儲單元。SRAM的存儲單元足由鎖存器或觸發(fā)器構成的。

編輯推薦

　　《電子技術基礎數(shù)字部分習題解析(第5版)》可作為選用該教材的大學本科學生學習該課程的輔導教材；對選用其他院校教材的學生和有關工程技術人員，《電子技術基礎數(shù)字部分習題解析(第5版)》可以作為學習該課程的參考書。對有志攻讀碩士研究生的學生，《電子技術基礎數(shù)字部分習題解析(第5版)》也可作為考研輔導用書。

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