半導(dǎo)體物理學(xué)

內(nèi)容概要

　　本書較全面地論述了半導(dǎo)體物理的基礎(chǔ)知識。全書共13章，主要內(nèi)容為：半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和電子狀態(tài)；雜質(zhì)和缺陷能級；載流子的統(tǒng)計(jì)分布；載流子的散射及電導(dǎo)問題；非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合及其運(yùn)動(dòng)規(guī)律；半導(dǎo)體的表面和界面——包括pn結(jié)、金屬半導(dǎo)體接觸、半導(dǎo)體表面及MIS結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)；半導(dǎo)體的光、熱、磁、壓阻等物理現(xiàn)象和非晶半導(dǎo)體。
　　本書可作為工科電子信息類微電子技術(shù)、半導(dǎo)體器件專業(yè)學(xué)生的教材，也可供從事相關(guān)專業(yè)的科技人員參考。

書籍目錄

主經(jīng)參數(shù)符號表
第1章 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)
　1.1 半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)
　1.2 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶
　1.3 半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng) 有效質(zhì)量
　1.4 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu) 空穴
　1.5 回旋共振
　1.6 硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)
　1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
　1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
　習(xí)題
　參考資料
　
第2章 半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級
　2.1 硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級
　2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級
　2.3 缺陷、位錯(cuò)能級
　習(xí)題
　參考資料
　
第3章 半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布
　3.1 狀態(tài)密度
　3.2 費(fèi)米能級和載流子的統(tǒng)計(jì)分布
　3.3 本征半導(dǎo)體的載流子濃度
　3.4 雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
　3.5 一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布
　3.6 簡并半導(dǎo)體
　補(bǔ)充材料：電子占據(jù)雜質(zhì)能級的概率
　習(xí)題
　參考資料
　
第4章 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
　4.1 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)　遷移率
　4.2 載流子的散射
　4.3 遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
　4.4 電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
　4.5 玻耳茲曼方程 電導(dǎo)率的統(tǒng)計(jì)理論
　4.6 強(qiáng)電場下的效應(yīng) 熱載流子
　4.7 多能谷散射 耿氏效應(yīng)
　
第5章 非平衡載流子
　5.1 非平衡載流子的注入與復(fù)合
　5.2 非平衡載流子的壽命
　5.3 準(zhǔn)費(fèi)米能級
　5.4 復(fù)合理論
　5.5 陷阱效應(yīng)
　5.6 載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
　5.7 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)，愛因斯坦關(guān)系式
　5.8 連續(xù)性方程式
　
第6章 p-n結(jié)
　……
第7章 金屬和半導(dǎo)體的接觸
第8章 半導(dǎo)全權(quán)表現(xiàn)與MIS結(jié)構(gòu)
第9章 異質(zhì)結(jié)
第10章 半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)與光電與發(fā)光現(xiàn)象
第11章 半導(dǎo)體的熱電性質(zhì)
第12章 半導(dǎo)體磁和壓阻效應(yīng)
第13章 非晶態(tài)半導(dǎo)體
附錄

圖書封面

圖書標(biāo)簽Tags

無

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