半導體物理學

內(nèi)容概要

　　本書較全面地論述了半導體物理的基礎(chǔ)知識。全書共13章，主要內(nèi)容為：半導體的晶格結(jié)構(gòu)和電子狀態(tài)；雜質(zhì)和缺陷能級；載流子的統(tǒng)計分布；載流子的散射及電導問題；非平衡載流子的產(chǎn)生、復合及其運動規(guī)律；半導體的表面和界面——包括pn結(jié)、金屬半導體接觸、半導體表面及MIS結(jié)構(gòu)、半導體異質(zhì)結(jié)；半導體的光、熱、磁、壓阻等物理現(xiàn)象和非晶半導體。
　　本書可作為工科電子信息類微電子技術(shù)、半導體器件專業(yè)學生的教材，也可供從事相關(guān)專業(yè)的科技人員參考。

書籍目錄

主經(jīng)參數(shù)符號表
第1章 半導體中的電子狀態(tài)
　1.1 半導體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)
　1.2 半導體中的電子狀態(tài)和能帶
　1.3 半導體中電子的運動 有效質(zhì)量
　1.4 本征半導體的導電機構(gòu) 空穴
　1.5 回旋共振
　1.6 硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)
　1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的能帶結(jié)構(gòu)
　1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的能帶結(jié)構(gòu)
　習題
　參考資料
　
第2章 半導體中雜質(zhì)和缺陷能級
　2.1 硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級
　2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級
　2.3 缺陷、位錯能級
　習題
　參考資料
　
第3章 半導體中載流子的統(tǒng)計分布
　3.1 狀態(tài)密度
　3.2 費米能級和載流子的統(tǒng)計分布
　3.3 本征半導體的載流子濃度
　3.4 雜質(zhì)半導體的載流子濃度
　3.5 一般情況下的載流子統(tǒng)計分布
　3.6 簡并半導體
　補充材料：電子占據(jù)雜質(zhì)能級的概率
　習題
　參考資料
　
第4章 半導體的導電性
　4.1 載流子的漂移運動　遷移率
　4.2 載流子的散射
　4.3 遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
　4.4 電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
　4.5 玻耳茲曼方程 電導率的統(tǒng)計理論
　4.6 強電場下的效應 熱載流子
　4.7 多能谷散射 耿氏效應
　
第5章 非平衡載流子
　5.1 非平衡載流子的注入與復合
　5.2 非平衡載流子的壽命
　5.3 準費米能級
　5.4 復合理論
　5.5 陷阱效應
　5.6 載流子的擴散運動
　5.7 載流子的漂移運動，愛因斯坦關(guān)系式
　5.8 連續(xù)性方程式
　
第6章 p-n結(jié)
　……
第7章 金屬和半導體的接觸
第8章 半導全權(quán)表現(xiàn)與MIS結(jié)構(gòu)
第9章 異質(zhì)結(jié)
第10章 半導體的光學性質(zhì)與光電與發(fā)光現(xiàn)象
第11章 半導體的熱電性質(zhì)
第12章 半導體磁和壓阻效應
第13章 非晶態(tài)半導體
附錄

圖書封面

圖書標簽Tags

無

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