出版時(shí)間:2013-1 出版社:卡薩普 (Safa Kasap)、 卡珀 (Peter Capper) 哈爾濱工業(yè)大學(xué)出版社 (2013-01出版) 作者:(加拿大)卡薩普(Safa Kasap),(英國(guó))卡珀(Pe 頁(yè)數(shù):268
內(nèi)容概要
《Springer手冊(cè)精選系列·電子與光子材料手冊(cè)(第5冊(cè)):新型電子與光子材料及典型應(yīng)用(影印版)》《電子與光子材料手冊(cè)(第5冊(cè)新型電子與光子材料及典型應(yīng)用影印版)》由Safa Kasap、Peter Capper主編,是一部關(guān)于電子和光子材料的綜合論述專(zhuān)著,每一章都是由該領(lǐng)域的專(zhuān)家編寫(xiě)的?!禨pringer手冊(cè)精選系列·電子與光子材料手冊(cè)(第5冊(cè)):新型電子與光子材料及典型應(yīng)用(影印版)》針對(duì)于大學(xué)四年級(jí)學(xué)生或研究生、研究人員和工作在電子、光電子、光子材料領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)人員。書(shū)中提供了必要的背景知識(shí)和內(nèi)容廣泛的更新知識(shí)。每一章都有對(duì)內(nèi)容的一個(gè)介紹,并且有許多清晰的說(shuō)明和大量參考文獻(xiàn)。清晰的解釋和說(shuō)明使手冊(cè)對(duì)所有層次的研究者有很大的幫助。所有的章節(jié)內(nèi)容都盡可能獨(dú)立。既有基礎(chǔ)又有前沿的章節(jié)內(nèi)容將吸引不同背景的讀者。本手冊(cè)特別重要的一個(gè)特點(diǎn)就是跨學(xué)科。例如,將會(huì)有這樣一些讀者,其背景(第一學(xué)歷)是學(xué)化學(xué)工程的,工作在半導(dǎo)體工藝線上,而想要學(xué)習(xí)半導(dǎo)體物理的基礎(chǔ)知識(shí);第一學(xué)歷是物理學(xué)的另外一些讀者需要盡快更新材料科學(xué)的新概念,例如,液相外延等。只要可能,《Springer手冊(cè)精選系列·電子與光子材料手冊(cè)(第5冊(cè)):新型電子與光子材料及典型應(yīng)用(影印版)》盡量避免采用復(fù)雜的數(shù)學(xué)公式,論述將以半定量的形式給出。手冊(cè)給出了名詞術(shù)語(yǔ)表(Glossary of Defining Terms),可為讀者提供術(shù)語(yǔ)定義的快速查找——這對(duì)跨學(xué)科工具書(shū)來(lái)說(shuō)是必須的。
作者簡(jiǎn)介
作者:(加拿大)卡薩普(Safa Kasap) (英國(guó))卡珀(Peter Capper)
書(shū)籍目錄
縮略語(yǔ) PartE新型電子與光子材料及典型應(yīng)用 46太陽(yáng)能電池與光生伏特效應(yīng) 46.1太陽(yáng)能的品質(zhì)因數(shù) 46.2晶體硅 46.3非晶硅 46.4GaAs太陽(yáng)能電池 46.5CdTe薄膜太陽(yáng)能電池 46.6CuInGaSe2(CIGS)薄膜太陽(yáng)能電池 46.7結(jié)論 參考文獻(xiàn) 47大面積電子的硅機(jī)械彈性襯底 47.1a—Si:HTFTs彈性襯底 47.2非晶薄膜的場(chǎng)效應(yīng)傳輸 47.3機(jī)械應(yīng)力下的電子傳輸 參考文獻(xiàn) 48X射線成像探測(cè)器的光導(dǎo)體 48.1X射線光導(dǎo)體 48.2檢測(cè)性能指標(biāo) 48.3結(jié)論 參考文獻(xiàn) 49相變光學(xué)記錄法 49.1數(shù)字化通用磁盤(pán)(DVDs) 49.2超級(jí)RENS光盤(pán) 49.3結(jié)論 參考文獻(xiàn) 50碳納米管與硬脆性材料 50.1碳納米管 50.2硬脆性材料 參考文獻(xiàn) 51磁信息存儲(chǔ)材料 51.1磁記錄技術(shù) 51.2磁隨機(jī)存儲(chǔ)記憶 51.3異常磁阻效應(yīng)(EMR) 51.4總結(jié) 參考文獻(xiàn) 52高溫超導(dǎo)體 52.1超導(dǎo)態(tài) 52.2酮酸鹽高溫超導(dǎo)體:概述 52.3酮酸鹽超導(dǎo)體的物理特性 52.4超導(dǎo)薄膜 52.5MgB2特殊狀態(tài) 52.6總結(jié) 參考文獻(xiàn) 53分子電子學(xué) 53.1有機(jī)化合物的導(dǎo)電性 53.2材料 53.3塑料電子學(xué) 53.4分子層電子學(xué) 53.5DNA電子學(xué) 53.6結(jié)論 參考文獻(xiàn) 54有機(jī)物化學(xué)傳感器材料 54.1結(jié)果分析 54.2無(wú)機(jī)材料概述 54.3聚環(huán)化合物傳感器 54.4酞菁和卟啉傳感器 54.5聚合材料 54.6穴狀配體分子 54.7結(jié)論 參考文獻(xiàn) 55封裝材料 55.1封裝應(yīng)用 55.2電子封裝的材料挑戰(zhàn) 55.3材料熱擴(kuò)展率 55.4焊線材料 55.5焊接互連 55.6襯底 55.7底部填充與密封劑 55.8電導(dǎo)黏合劑(ECAs) 55.9散熱問(wèn)題 55.10總結(jié) 參考文獻(xiàn) 名詞術(shù)語(yǔ)表 主題索引
章節(jié)摘錄
版權(quán)頁(yè): 插圖: Once a carrier is caught in a deep trap,it will remain immobile until a lattice vibration gives it enough energy to be excited back into the extended states,where it can drift once again.The deep-trap release time is very long (minutes to hours),and a deeply trapped carrier is essen-tially permanently removed from conduction.Therefore,the carrier lifetime depends on the concentration of deep rather than shallow traps.The charge-carrier lifetimes vary substantially between different samples and depend on factors such as the source of a-Se material,impuri-ties,and the preparation method.The electron lifetime re is particularly sensitive to impurities in the a-Se source material.The hole lifetime τh drops rapidly with de-creasing substrate temperature (temperature of the a-Se substrate during the evaporation process) whereas re is unaffected.Increasing the As concentration in a-Se de-creases τh and increases re [48.19].On the other hand,C1 doping increases τh and decreases re.The typical life-times in stabilized a-Se are in the range 10-500 μs for holes and 100-1500 μs for electrons [48.12]. The fractional increase in the re with As addition is greater than the drop in μe.Thus the electron range (μeτe) increases with As content.The effect of C1 doping on the carrier ranges (μτ products) is more pronounced than that of As doping.Thus,we can control both electron and hole ranges by appropriately choosing the relative amounts of As and CI in a-Se. The electron-hole-pair creation energy W+ in a-Se has a strong dependence on electric field F but only a weak dependence on the X-ray photon energy E [48.20,21].
媒體關(guān)注與評(píng)論
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