Springer手冊(cè)精選系列·電子與光子材料手冊(cè)

內(nèi)容概要

　　《Springer手冊(cè)精選系列·電子與光子材料手冊(cè)（第4冊(cè)）：光電子學(xué)與光子材料（影印版）》是一部關(guān)于電子和光子材料的綜合論述專著，每一章都是由該領(lǐng)域的專家編寫的。本手冊(cè)針對(duì)于大學(xué)四年級(jí)學(xué)生或研究生、研究人員和工作在電子、光電子、光子材料領(lǐng)域的專業(yè)人員。書中提供了必要的背景知識(shí)和內(nèi)容廣泛的更新知識(shí)。每一章都有對(duì)內(nèi)容的一個(gè)介紹，并且有許多清晰的說明和大量參考文獻(xiàn)。清晰的解釋和說明使手冊(cè)對(duì)所有層次的研究者有很大的幫助。所有的章節(jié)內(nèi)容都盡可能獨(dú)立。既有基礎(chǔ)又有前沿的章節(jié)內(nèi)容將吸引不同背景的讀者。本手冊(cè)特別重要的一個(gè)特點(diǎn)就是跨學(xué)科。例如，將會(huì)有這樣一些讀者，其背景（第一學(xué)歷）是學(xué)化學(xué)工程的，工作在半導(dǎo)體工藝線上，而想要學(xué)習(xí)半導(dǎo)體物理的基礎(chǔ)知識(shí)；第一學(xué)歷是物理學(xué)的另外一些讀者需要盡快更新材料科學(xué)的新概念，例如，液相外延等。只要可能，《Springer手冊(cè)精選系列·電子與光子材料手冊(cè)（第4冊(cè)）：光電子學(xué)與光子材料（影印版）》盡量避免采用復(fù)雜的數(shù)學(xué)公式，論述將以半定量的形式給出。手冊(cè)給出了名詞術(shù)語(yǔ)表（Glossary of Defining Terms），可為讀者提供術(shù)語(yǔ)定義的快速查找——這對(duì)跨學(xué)科工具書來說是必須的。

作者簡(jiǎn)介

作者：（加拿大）卡薩普（Safa Kasap） （英國(guó)）卡珀（Peter Capper）

書籍目錄

縮略語(yǔ) PartD光電子材料與光子材料 31Ⅲ—Ⅴ族三元與四元化合物 31.1Ⅲ—Ⅴ族三元與四元化合物的介紹 31.2插值模型 31.3結(jié)構(gòu)參數(shù) 31.4機(jī)械、彈性和晶格振動(dòng)特性 31.5熱能特性 31.6能帶參數(shù) 31.7光學(xué)特性 31.8載流子傳輸特性 參考文獻(xiàn) 32Ⅲ族氮化物 32.1氮化物的晶體結(jié)構(gòu) 32.2氮化物的晶格常數(shù) 32.3氮化物的機(jī)械性能 32.4氮化物的熱學(xué)性能 32.5氮化物的電學(xué)特性 32.6氮化物的光學(xué)特性 32.7氮合金特性 32.8總結(jié)與結(jié)論 參考文獻(xiàn) 33Ⅲ—Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體GaN，AIN和IInN中電子傳輸特性：蒙特卡羅分析 33.1半導(dǎo)體中的電子傳輸與蒙特卡羅仿真近似 33.2體纖維鋅礦GaN，A1N和nN的穩(wěn)態(tài)與瞬態(tài)電子傳輸特性 33.3Ⅲ—Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體中電子傳輸特性：回顧 33.4結(jié)論 參考文獻(xiàn) 34光電子的Ⅱ—Ⅵ族半導(dǎo)體：CdS，CdSe，CdTe 34.1背景 34.2太陽(yáng)能電池 34.3輻射探測(cè)器 34.4結(jié)論 參考文獻(xiàn) 35鋅基寬禁帶半導(dǎo)體摻雜 35.1ZnSe 35.2ZnBeSe材料 35.3ZnO 參考文獻(xiàn) 36光電子的窄帶隙Ⅱ—Ⅵ族半導(dǎo)體 36.1應(yīng)用與傳感器設(shè)計(jì) 36.2HgCdTe與相關(guān)合金的光導(dǎo)檢測(cè) 36.3SPRITE檢測(cè) 36.4相關(guān)合金的光導(dǎo)檢測(cè) 36.5HgCdTe光導(dǎo)檢測(cè)結(jié)論 36.6HgCdTe的光伏器件 36.7Ⅱ—Ⅳ族半導(dǎo)體的發(fā)射器件 36.8HgTe—CdTe簡(jiǎn)化維度勢(shì)能 參考文獻(xiàn) 37光電子器件與材料 37.1光電子器件的介紹 37.2發(fā)光二極管與半導(dǎo)體激光器 37.3單模激光器 37.4光學(xué)放大器 37.5調(diào)制器 37.6光探測(cè)器 37.7結(jié)論 參考文獻(xiàn) 38液態(tài)晶體 38.1液態(tài)晶體的介紹 38.2液態(tài)晶體的基本物理學(xué) 38.3液態(tài)晶體器件 38.4顯示材料 參考文獻(xiàn) 39有機(jī)光導(dǎo)體 39.1卡爾遜與靜電復(fù)印術(shù) 39.2操作方法與臨界材料特性 39.3OPC特性描述 39.4OPC體系結(jié)構(gòu)和組成 39.5光接收器構(gòu)成 39.6總結(jié) 參考文獻(xiàn) 40熒光材料 40.1發(fā)光中心 40.2晶格交替 40.3熱刺激發(fā)光 40.4光（光學(xué)的一）刺激發(fā)光 40.5實(shí)驗(yàn)技術(shù)——光致發(fā)光 40.6應(yīng)用 40.7典型熒光粉 參考文獻(xiàn) 41近紅外納米可調(diào)光子晶體與可見電磁光譜 41.1PC綜述 41.2靜態(tài)PCs傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)方法論 41.3可調(diào)PCs 41.4總結(jié)與結(jié)論 參考文獻(xiàn) 42量子阱、超晶格和帶隙工程 42.1帶隙工程與量子限制原理 42.2量子局限結(jié)構(gòu)光電子特性 42.3發(fā)射器 42.4檢測(cè)器 42.5調(diào)制器 42.6未來發(fā)展方向 42.7結(jié)論 參考文獻(xiàn) 43光子集成玻璃 43.1光子材料玻璃的主要貢獻(xiàn) 43.2光學(xué)集成玻璃 43.3集成光源激光玻璃 43.4總結(jié) 參考文獻(xiàn) 44光子玻璃的光學(xué)非線性 44.1均質(zhì)玻璃的三級(jí)非線性 44.2極化玻璃的二級(jí)非線性 44.3粒子嵌入式系統(tǒng) 44.4光誘導(dǎo)現(xiàn)象 44.5總結(jié) 參考文獻(xiàn) 45非線性光電子材料 45.1背景 45.2照明因變量折射率與非線性品質(zhì)因數(shù)（FOM） 45.3體與多量子阱（MQW）無(wú)機(jī)晶體半導(dǎo)體 45.4有機(jī)材料 45.5納米晶體 45.6其他非線性材料 45.7結(jié)論 參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

版權(quán)頁(yè)：   插圖：   32.5 Electrical Properties of Nitrides GaN and related nitrides being direct and large-band-gap materials lend themselves to a variety of electronic and optoelectronic applications.Advantages associated with a large band gap include higher breakdown voltages,ability to sustain large electric fields,lower noise gener-ation,and high-temperature and high-power operation.Small effective masses in the conduction band minimum lead to reasonably low field mobility,higher satellite-energy separation,and high phonon frequency.Their excellent thermal conductivity,large electrical break-down fields,and resistance to hostile environments also support the group III nitrides as a material of choice for such applications.The electron transport in semicon-ductors,including nitrides,can be considered at low and high electric field conditions. 1.At sufficiently low electric fields,the energy gained by the electrons from the applied electric field is small compared to their thermal energy,and there-fore the energy distribution of the electrons is unaffected by such a low electric field.Since the scattering rates determining the electron mobility de-pend on the electron distribution function,electron mobility remains independent of the applied electric field,and Ohm's law is obeyed. 2.When the electric field is increased to a point where the energy gained by electrons from the external field is no longer negligible compared to the ther-mai energy of the electron,the electron distribution function changes significantly from its equilibrium value.These electrons become hot electrons char-acterized by an electron temperature larger than the lattice temperature.Furthermore,as the dimen-sions of the device are shrunk to submicron range,transient transport occurs when there is minimal or no energy loss to the lattice.The transient trans-port is characterized by the onset of ballistic or velocity-overshoot phenomenon.Since the electron drift velocity is higher than its steady-state value one can design a device operating at higher frequency.

媒體關(guān)注與評(píng)論

　　施普林格的手冊(cè)一貫全面闡述基礎(chǔ)理論，提供可靠的研究方法和關(guān)鍵知識(shí)以及大量的參考文獻(xiàn)，介紹最新的應(yīng)用實(shí)例，前瞻學(xué)科的發(fā)展方向。手冊(cè)作者多為世界首席專家或知名學(xué)者。手冊(cè)具有極大的實(shí)用性，其表格、圖示、索引等更增加了它的使用價(jià)值?！　　禨pringer手冊(cè)精選系列》推薦委員會(huì)

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