電子與光子材料手冊(cè) 第三冊(cè)

內(nèi)容概要

　　《Springer手冊(cè)精選系列·電子與光子材料手冊(cè)（第3冊(cè)）：電子材料（影印版）》是一部關(guān)于電子和光子材料的綜合論述專著，每一章都是由該領(lǐng)域的專家編寫的?！禨pringer手冊(cè)精選系列·電子與光子材料手冊(cè)（第3冊(cè)）：電子材料（影印版）》針對(duì)于大學(xué)四年級(jí)學(xué)生或研究生、研究人員和工作在電子、光電子、光子材料領(lǐng)域的專業(yè)人員。書中提供了必要的背景知識(shí)和內(nèi)容廣泛的更新知識(shí)。每一章都有對(duì)內(nèi)容的一個(gè)介紹，并且有許多清晰的說(shuō)明和大量參考文獻(xiàn)。清晰的解釋和說(shuō)明使手冊(cè)對(duì)所有層次的研究者有很大的幫助。所有的章節(jié)內(nèi)容都盡可能獨(dú)立。既有基礎(chǔ)又有前沿的章節(jié)內(nèi)容將吸引不同背景的讀者?！禨pringer手冊(cè)精選系列·電子與光子材料手冊(cè)（第3冊(cè)）：電子材料（影印版）》特別重要的一個(gè)特點(diǎn)就是跨學(xué)科。例如，將會(huì)有這樣一些讀者，其背景（第一學(xué)歷）是學(xué)化學(xué)工程的，工作在半導(dǎo)體工藝線上，而想要學(xué)習(xí)半導(dǎo)體物理的基礎(chǔ)知識(shí)；第一學(xué)歷是物理學(xué)的另外一些讀者需要盡快更新材料科學(xué)的新概念，例如，液相外延等。只要可能，本手冊(cè)盡量避免采用復(fù)雜的數(shù)學(xué)公式，論述將以半定量的形式給出。手冊(cè)給出了名詞術(shù)語(yǔ)表（GLossary of Defining Terms），可為讀者提供術(shù)語(yǔ)定義的快速查找——這對(duì)跨學(xué)科工具書來(lái)說(shuō)是必須的。

作者簡(jiǎn)介

作者：（加拿大）卡薩普（Safa Kasap） （英國(guó)）卡珀（Peter Capper）

書籍目錄

縮略語(yǔ) Part C電子材料 21單晶硅：電學(xué)與光學(xué)特性 21.1硅基 21.2電學(xué)特性 21.3光學(xué)特性 參考文獻(xiàn) 22硅—鍺：特性、生長(zhǎng)和應(yīng)用 22.1硅—鍺物理特性 22.2硅—鍺光學(xué)特性 22.3硅—鍺生長(zhǎng) 22.4多晶硅—鍺 參考文獻(xiàn) 23砷化鎵 23.1GaAs的體生長(zhǎng) 23.2GaAs的外延生長(zhǎng) 23.3GaAs的擴(kuò)散 23.4GaAs離子注入 23.5GaAs晶格缺陷 23.6GaAs的雜質(zhì)與缺陷分析（化學(xué)） 23.7GaAs～～勺雜質(zhì)與缺陷分析（電學(xué)） 23.8GaAs的雜質(zhì)與缺陷分析（光學(xué)） 23.9復(fù)雜異質(zhì)結(jié)的評(píng)估 23.10GaAs的電接觸 23.11GaAs器件（微波） 23.12GaAs器件（電一光） 23.13GaAs的其他應(yīng)用 23.14結(jié)論 參考文獻(xiàn) 24高溫電子材料：碳化硅與金剛石 24.1材料的特性與制備 24.2電子器件 24.3總結(jié) 參考文獻(xiàn) 25非晶態(tài)半導(dǎo)體：結(jié)構(gòu)、光學(xué)與電學(xué)特性 25.1電子態(tài) 25.2結(jié)構(gòu)特性 25.3光學(xué)特性 25.4電學(xué)特性 25.5光誘導(dǎo)現(xiàn)象 25.6納米非晶態(tài)結(jié)構(gòu) 參考文獻(xiàn) 26非晶態(tài)與微晶硅 26.1等離子體SiH4與SiH4H2的反應(yīng) 26.2表面薄生長(zhǎng) 26.3a—Si：H與uc—Si：H缺陷密度測(cè)定 26.4器件應(yīng)用 26.5硅薄膜太陽(yáng)能電池材料的相關(guān)問題研究進(jìn)展 26.6總結(jié) 參考文獻(xiàn) 27鐵電體材料 27.1鐵電體材料 27.2鐵電體材料制備技術(shù) 27.3鐵電體應(yīng)用 參考文獻(xiàn) 28微電子電介質(zhì)材料 28.1柵極電介質(zhì) 28.2隔離電介質(zhì) 28.3電容電介質(zhì) 28.4互連電介質(zhì) 28.5總結(jié) 參考文獻(xiàn) 29薄膜 29.1淀積形成方法 29.2結(jié)構(gòu) 29.3特性 29.4結(jié)論 參考文獻(xiàn) 30厚膜 30.1厚膜工藝 30.2襯底 30.3厚膜材料 30.4組件與裝配 30.5傳感器 參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

版權(quán)頁(yè)：   插圖：   In practice,the growth takes place in an ultra-high-vacuum (UHV) chamber at a base pressure of about 10-ll Ton'.The sources are usually high-purity ele-ments held in Knudsen cells (high-vacuum effusion cells).The molecular beams are controlled by simple metal shutters that can be moved rapidly in and out of the beams by external drives.A typical MBE reactor will have up to eight such sources,some for the compo-nents of the host semiconductor,Ga,A1,etc.and others for dopants,each held at the relevant temperature to pro-duce a molecular beam of the correct effective pressure,see Fig.23.13. The use of UHV technology allows the use of in situ analysis of the growth to be monitored and this has provided much information on details of the growth mechanisms.A favourite tool is reflection high-energy electron diffraction (RHEED) whose use gives impor-tant information regarding the quality of the growth with single atomic layer sensitivity. The advantages of MBE include the use of high-purity elemental sources rather than compounds (whose purity is less controllable).The use of moveable shut-ters in front of each cell means that each source can be turned on or off in a fraction of a second.As a re-suit,MBE-grown material can be of very high quality with the sharpest interface abruptness.These quali-ties are essential in several microwave devices and this is one of the major commercial uses for MBE.However,MBE has been a favourite growth technique for semiconductor research laboratories because it is well suited for the small-scale growth of specialised structures. As an industrial technique,MBE suffers from sev-eral problems.The first results from its reliance on UHV technology,meaning that it is expensive to install,re-quires large quantities of liquid nitrogen to keep cold,considerable power to keep under vacuum,and special clean rooms.It is expensive to operate.

編輯推薦

《電子與光子材料手冊(cè)3:電子材料(影印版)》是一部關(guān)于電子和光子材料的綜合論述專著，每一章都是由該領(lǐng)域的專家編寫的?！峨娮优c光子材料手冊(cè)3:電子材料(影印版)》特別重要的一個(gè)特點(diǎn)就是跨學(xué)科。

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