電子與光子材料手冊 第二冊

內(nèi)容概要

　　《Springer手冊精選系列·電子與光子材料手冊（第2冊）：電子與光子材料的制備和特性（影印版）》由Safa Kasap、Peter Capper主編，是一部關(guān)于電子和光子材料的綜合論述專著，每一章都是由該領(lǐng)域的專家編寫的?！禨pringer手冊精選系列·電子與光子材料手冊（第2冊）：電子與光子材料的制備和特性（影印版）》針對于大學(xué)四年級學(xué)生或研究生、研究人員和工作在電子、光電子、光子材料領(lǐng)域的專業(yè)人員。書中提供了必要的背景知識和內(nèi)容廣泛的更新知識。每一章都有對內(nèi)容的一個介紹，并且有許多清晰的說明和大量參考文獻。清晰的解釋和說明使手冊對所有層次的研究者有很大的幫助。所有的章節(jié)內(nèi)容都盡可能獨立。既有基礎(chǔ)又有前沿的章節(jié)內(nèi)容將吸引不同背景的讀者。本手冊特別重要的一個特點就是跨學(xué)科。例如，將會有這樣一些讀者，其背景（第一學(xué)歷）是學(xué)化學(xué)工程的，工作在半導(dǎo)體工藝線上，而想要學(xué)習(xí)半導(dǎo)體物理的基礎(chǔ)知識；第一學(xué)歷是物理學(xué)的另外一些讀者需要盡快更新材料科學(xué)的新概念，例如，液相外延等。只要可能，《Springer手冊精選系列·電子與光子材料手冊（第2冊）：電子與光子材料的制備和特性（影印版）》盡量避免采用復(fù)雜的數(shù)學(xué)公式，論述將以半定量的形式給出。手冊給出了名詞術(shù)語表（Glossary of Defining Terms），可為讀者提供術(shù)語定義的快速查找——這對跨學(xué)科工具書來說是必須的。

作者簡介

作者：（加拿大）卡薩普（Safa Kasap） （英國）卡珀（Peter Capper）

書籍目錄

縮略語 PartB制備和特性 12體單晶生長——方法與材料 12.1背景 12.2技術(shù) 12.3材料生長 12.4結(jié)論 參考文獻 13單晶硅：生長與特性 13.1綜述 13.2原始材料 13.3單晶生長 13.4新型晶體生長方法 參考文獻 14晶體外延生長：方法與材料 14.1液相外延（LPE） 14.2有機金屬化學(xué)氣相沉積（MOCvD） 14.3分子束外延（MBE） 參考文獻 15窄帶隙Ⅱ—Ⅵ族半導(dǎo)體：生長 15.1體生長技術(shù) 15.2液相外延（LPE） 15.3有機金屬氣相外延（MOVPE） 15.4分子束外延（MBE） 15.5替代cMT 參考文獻 16寬帶隙Ⅱ—Ⅵ族半導(dǎo)體：生長與特性 16.1晶體特性 16.2外延生長 16.3體單晶生長 16.4結(jié)論 參考文獻 17結(jié)構(gòu)特征 17.1輻射—材料作用 17.2粒子—材料作用 17.3X射線衍射 17.4光衍射、成像衍射與電子衍射 17.5功能活動特征 17.6樣品制備 17.7案例研究——電子和光電材料互補特性 17.8結(jié)論 參考文獻 18表面化學(xué)分析 18.1電子光譜學(xué) 18.2輝光放電光譜學(xué)（GDOES和GDMS） 18.3二次離子質(zhì)譜 18.4結(jié)論 19熱特性與熱分析：基礎(chǔ)理論、實驗技術(shù)和應(yīng)用 19.1熱容 19.2熱傳導(dǎo) 19.3熱膨脹 19.4焓的熱性能 19.5溫度調(diào)制DSC（TMDSC） 參考文獻 20半導(dǎo)體材料與器件的電特性 20.1電阻率 20.2霍爾效應(yīng) 20.3電容—電壓測量 20.4電流—電壓測量 20.5電荷泵 20.6低頻噪聲 20.7深能級瞬態(tài)光譜學(xué) 參考文獻

章節(jié)摘錄

版權(quán)頁：   插圖：   An alternative to Czochralski is that of vertical gra-dient freeze.For reproducible growth of large-diameter crystals by this technique,it was found necessary to use B203 in a PBN crucible.Freezing is accomplished by moving the temperature gradient via furnace controller changes,rather than movement of the furnace itself.This naturally produces low temperature gradients,which give low dislocation densities,and it produces a crys-tal of the right size and shape for subsequent slicing and processing.Rudolph [12.66] reports that in 1999 LEC growth of GaAs accounted for≈90% of all SI GaAs,with the remaining 10% produced via vertical Bridg-man or VGF growth.By 2000,he puts the figures at ≈ 50% LEC and≈50% VGF.Rudolph also notes that VGF has been reported to grow material up to 150mm in diameter. Indium and Gallium PhosphidesAs for GaAs,high-pressure LEC growth is normally used for both InP and GaP [12.44].The problems in-volved are analogous to those for GaAs growth,with the major addition of an increased tendency for twin-ning.Loss of phosphorus (P4) is still a problem and leads to a deterioration in crystal quality.Dislocation densities are still seen to be high.Asahi et al.[12.67]report that some of these problems have been allevi-ated by modifications to the basic LEC process,such as thermal-baffled LEC,phosphorus vapor pressure con-trolled LEC,and vapor pressure controlled Czochralski (VCZ).Dislocations tend to increase with crystal diam-eter,although crystals up to 100mm in size with low dislocation densities have been grown recently by VCZ.Lower dislocation densities are produced by the VGF method at a given crystal diameter.High-pressure VGF growth of InP is difficult and temperature fluctuations cause twinning.By improving the temperature control (to within 4-0.03-C) Asahi et al.

編輯推薦

《電子與光子材料手冊2:電子與光子材料的制備和特性(影印版)》是一部關(guān)于電子和光子材料的綜合論述專著，每一章都是由該領(lǐng)域的專家編寫的?！峨娮优c光子材料手冊2:電子與光子材料的制備和特性(影印版)》特別重要的一個特點就是跨學(xué)科。例如，將會有這樣一些讀者，其背景（第一學(xué)歷）是學(xué)化學(xué)工程的，工作在半導(dǎo)體工藝線上，而想要學(xué)習(xí)半導(dǎo)體物理的基礎(chǔ)知識；第一學(xué)歷是物理學(xué)的另外一些讀者需要盡快更新材料科學(xué)的新概念，例如，液相外延等。

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