電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)英語

內(nèi)容概要

　　本書由半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體與集成電路工藝、集成電路設(shè)計、微電子機械系統(tǒng)和科技文獻范例六部分組成。全書涵蓋了微電子技術(shù)領(lǐng)域的基本內(nèi)容，同時又介紹了該領(lǐng)域的一些較新的發(fā)展?！　”緯勺鳛殡娮涌茖W(xué)與技術(shù)專業(yè)微電子技術(shù)方向的三、四年級本科生的專業(yè)英語教材，也可供相關(guān)專業(yè)的本科生和從事該專業(yè)領(lǐng)域的工程技術(shù)人員使用。

書籍目錄

Chapter 1　Semiconductors Physics　1.1　Energy Bands and Carrier Concentration　1.2　Carrier Transport Phenomena　1.3　PN Junction　1.4　Summary　參考文獻Chapter 2　Semiconductor Device　2.1　Bipolar Junction Transistor　2.2　The MOSFET　2.3　Microwave and Photonie Devices　2.4　Summary　參考文獻Chapter 3　Processing Tedmology　3.1　Crystal Growth and Epitaxy　3.2　Crystal Growth from the Melt　3.3　Vaper-Phase Epitaxy　3.4　Oxidation and Film Deposition　3.5　Diffusion and Ion Implantation　3.6　Lithographies　3.7　Wet Chemical Etching　3.8　Dry Etching　3.9　Integrated Devices　3.10　Fundamental Limits of Integrated Devices　參考文獻Chapter 4 Integrated Circuits　4.1　Introduction　4.2　Design Analysis and Simulation　4.3　Verification　4.4　Sunmaary　參考文獻Chapter 5　Microelectromechanical Systems (MEMS)　5.1　Introduction　5.2　MEMS　5.3　Mechanical Characteristics of Silicon　5.4　Micmfabrications for MEMS　5.5　Micmsensing for MEMS　5.6　Electmmechanical Actuation　5.7　Materials for MEMS　參考文獻Chapter 6　Examples of Scientific and Technological Papers　6.1　The Challenges for Physical Limitations in Si Microelectrc　6.2　Microelectronics and Photonlcs - the Future　6.3　Accelerated Verification of Digital Devices Using VHDL　6.4　What Is Nanoteehnology　參考文獻

編輯推薦

　　本書內(nèi)容分為六部分：第一部分為半導(dǎo)體物理的基本理論。主要內(nèi)容包括：半導(dǎo)體、晶格、能帶、載流子等基本概念；硅及砷化鎵物理學(xué)特性；P—N結(jié)及其特性。第二部分為半導(dǎo)體器件。主要內(nèi)容包括：雙極型器件；MOS器件；微波與光電子器件。第三部分為半導(dǎo)體工藝。主要內(nèi)容包括晶體生長、薄膜生長、光刻、腐蝕、擴散、注入等基本半導(dǎo)體工藝；雙極型集成電路工藝；MOS集成電路工藝。第四部分為集成電路設(shè)計。主要內(nèi)容包括：設(shè)計方法；綜合與仿真。第五部分為MEMS。主要內(nèi)容包括：MEMS概念與特點；MEMS工藝、器件與材料等。第六部分為科技文獻范例。主要介紹微電子技術(shù)的現(xiàn)狀與未來發(fā)展。 書中內(nèi)容選材精良，但考慮到篇幅的限制及上下文的連慣性，對所選內(nèi)容的圖表及文字進行了部分刪減和改動。為了有利于教學(xué)和閱讀理解，幫助學(xué)生更好地理解原文，每章后面給出了主要專業(yè)詞匯及難句注釋，并在每部分后面列出了有關(guān)參考文獻。

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