低維半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì)

內(nèi)容概要

　　《低維半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì)：低維半導(dǎo)體物理和超快光譜技術(shù)研究參考必備手冊(cè)》介紹了Ⅱ-Ⅵ族低維半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)中的載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程及其光學(xué)性質(zhì)，并對(duì)Ⅱ-Ⅵ族低維量子體系中材料的表征、穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)光譜測(cè)量技術(shù)、物理特性和應(yīng)用方面進(jìn)行較為系統(tǒng)地介紹。主要內(nèi)容包括低維半導(dǎo)體的基本性質(zhì)，低維結(jié)構(gòu)中的光學(xué)測(cè)量方法，znTe基復(fù)合量子阱中的載流子行為和znse基量子阱／量子點(diǎn)復(fù)合結(jié)構(gòu)中的激子行為?！　　兜途S半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì)：低維半導(dǎo)體物理和超快光譜技術(shù)研究參考必備手冊(cè)》可供從事低維半導(dǎo)體物理和超快光譜技術(shù)研究的科技人員和相關(guān)領(lǐng)域的師生參考。

作者簡(jiǎn)介

　　金華，女，1978年11月3日出生，籍貫吉林省長(zhǎng)春市。1996—2000年在吉林大學(xué)電子工程系電子材料與器件專業(yè)攻讀學(xué)士學(xué)位。2000—2005年在中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所凝聚態(tài)物理專業(yè)攻讀博士學(xué)位，指導(dǎo)教師為申德振研究員。讀博期間參與的課題和取得的成果如下：　　作為主要成員參加了“十一·五”國(guó)家科技支撐計(jì)劃，公安部應(yīng)用創(chuàng)新計(jì)劃，中科院知識(shí)創(chuàng)新項(xiàng)目。同時(shí)還參加了863計(jì)劃項(xiàng)目，國(guó)家自然科學(xué)基金和中科院百人計(jì)劃的研究工作。

書(shū)籍目錄

第一章　緒論參考文獻(xiàn)第二章　低維半導(dǎo)體的基本性質(zhì)及發(fā)展概況2.1　低維半導(dǎo)體的概況2.2　低維半導(dǎo)體的電子態(tài)2.2.1　量子阱的電子態(tài)2.2.2　量子線和量子點(diǎn)的電子態(tài)2.3　低維半導(dǎo)體材料的制備和表征2.3.1　低維半導(dǎo)體材料的制備2.3.2　半導(dǎo)體低維材料的表征方法2.4　Ⅱ-Ⅵ族低維半導(dǎo)體材料的應(yīng)用及研究進(jìn)展2.4.1　藍(lán)綠色發(fā)光器件及激光器2.4.2　激子隧穿器件2.4.3　非線性光學(xué)雙穩(wěn)器件參考文獻(xiàn)第三章　低維結(jié)構(gòu)中的光學(xué)測(cè)量方法3.1　穩(wěn)態(tài)光譜測(cè)量方法3.1.1　吸收光譜和激發(fā)光譜3.1.2　發(fā)射光譜3.1.3　喇曼散射譜3.2　超快光譜技術(shù)3.2.1　超短脈沖激光技術(shù)3.2.2　白光超短脈沖產(chǎn)生3.2.3　超快光譜測(cè)量技術(shù)3.2.4　超快光譜在低維半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用參考文獻(xiàn)第四章　ZnTe基和znSe基低維復(fù)合結(jié)構(gòu)中的載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程4.1　激子隧穿的基本性質(zhì)4.1.1　非對(duì)稱量子阱的電子和空穴隧穿4.1.2　非對(duì)稱量子阱的激子隧穿4.2　CdZnTe/ZnTe/ZnSeTe復(fù)合量子阱的載流子行為4.2.1　znSeTe/znTe多量子阱的能級(jí)結(jié)構(gòu)和激子動(dòng)力學(xué)過(guò)程4.2.2　cdznTe/znTe/seznTe復(fù)合量子阱的載流子行為4.3　CdZnSe/ZnSe/CdSe量子阱/量子點(diǎn)復(fù)合結(jié)構(gòu)的激子隧穿小結(jié)參考文獻(xiàn)第五章　ZnCdSe/ZnSe/CdSe量子阱/量子點(diǎn)復(fù)合結(jié)構(gòu)中的激子復(fù)合

章節(jié)摘錄

　　第二章　低維半導(dǎo)體的基本性質(zhì)及發(fā)展概況　　半導(dǎo)體低維材料被譽(yù)為構(gòu)成繼晶體管和集成電路之后的第三代半導(dǎo)體器件的重要材料。這種基于量子效應(yīng)的微結(jié)構(gòu)材料將導(dǎo)致新的電子學(xué)革命。人們可以根據(jù)需要改變晶格周期勢(shì)場(chǎng)，調(diào)節(jié)甚至改變材料的能帶結(jié)構(gòu)、態(tài)密度分布及材料中的電子的波函數(shù)分布，是半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破。在這種低維結(jié)構(gòu)中，電子、空穴、激子等的行為發(fā)生特異變化，產(chǎn)生了很多新的物理現(xiàn)象，如分?jǐn)?shù)量子霍耳效應(yīng)、二維激子等。這也開(kāi)辟了新的物理研究領(lǐng)域，對(duì)發(fā)展高效率、低功耗和超高速的新一代光電子學(xué)及非線性光學(xué)元器件具有非常重要的意義?！　?.1　低維半導(dǎo)體的概況　　1969年，美國(guó)IBM公司的江崎（Esaki）和朱兆祥（Tsu）首先提出了超晶格概念。兩種或者兩種以上不同組分或者不同導(dǎo)電類型超薄層材料，交替堆疊形成多個(gè)周期結(jié)構(gòu)，如果每層的厚度足夠薄，以致其厚度小于電子在該材料中的德布羅意波的波長(zhǎng)，這種周期變化的超薄多層結(jié)構(gòu)就叫做超晶格。1973年，張立綱等人實(shí)現(xiàn)了這一設(shè)想，使用分子束外延技術(shù)生長(zhǎng)出了第一個(gè)人造半導(dǎo)體超晶格。從此低維材料制備技術(shù)獲得了突破性的進(jìn)展。　　……

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