MOS集成電路工藝與制造技術

內容概要

　　本書編著者潘桂忠。
《MOS集成電路工藝與制造技術》內容系統(tǒng)地介紹了硅集成電路制造技術中的基礎工藝，內容包括硅襯底與清洗、氧化、擴散、離子注人、外延、化學氣相淀積、光刻與腐蝕／N，蝕、金屬化與多層布線、表面鈍化以及工藝集成制造技術。前面l—10章，一方面介紹了各種工藝，建立了工藝規(guī)范并確定了其規(guī)范號；另一方面確定了工藝制程中的各種工序。集成電路工藝制程依一定次序的各工序組成，而工序由各工步所構成，工步中的各種工藝由其規(guī)范來確定，工藝規(guī)范由其規(guī)范號和工藝序號(i)得到，最終在硅襯底上實現(xiàn)所設計的圖形，制造出各種電路芯片。前面l～10章為后面11～13章的各種工藝集成制造技術奠定了基礎。ll～13章介紹了CMOS
和LV／Hv兼容
CMOS、BiCMOS和LV／HV兼容BiCMOS以及BCD工藝集成制造技術，給出部分實用簡明工藝制程卡，并與工藝制程的剖面結構相對應。

書籍目錄

第1章 硅襯底與清洗
　1．1 硅晶圓
　1．2 P型硅襯底
　1．3 N型硅襯底
　1．4 Pepi／P或Pepi／P+型硅襯底
　1．5 Nepi／P或Nepi／N+型硅襯底
　1．6 硅片激光編號
　1．7 硅片清洗分類及其步驟
　1．8 硅片各種清洗液及其清洗
第2章 熱氧化
第3章 熱擴散
第4章 離子注入及其退伙
第5章 硅外延
第6章 化學氣相淀積
第7章 光刻
第8章 腐蝕和刻蝕
第9章 金屬化
第10章 表面鈍化
第11章 CMOS工藝集成
第13章 Bicmos工藝集成

圖書封面

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