MOS集成電路工藝與制造技術(shù)

內(nèi)容概要

　　本書(shū)編著者潘桂忠。
《MOS集成電路工藝與制造技術(shù)》內(nèi)容系統(tǒng)地介紹了硅集成電路制造技術(shù)中的基礎(chǔ)工藝，內(nèi)容包括硅襯底與清洗、氧化、擴(kuò)散、離子注人、外延、化學(xué)氣相淀積、光刻與腐蝕／N，蝕、金屬化與多層布線、表面鈍化以及工藝集成制造技術(shù)。前面l—10章，一方面介紹了各種工藝，建立了工藝規(guī)范并確定了其規(guī)范號(hào)；另一方面確定了工藝制程中的各種工序。集成電路工藝制程依一定次序的各工序組成，而工序由各工步所構(gòu)成，工步中的各種工藝由其規(guī)范來(lái)確定，工藝規(guī)范由其規(guī)范號(hào)和工藝序號(hào)(i)得到，最終在硅襯底上實(shí)現(xiàn)所設(shè)計(jì)的圖形，制造出各種電路芯片。前面l～10章為后面11～13章的各種工藝集成制造技術(shù)奠定了基礎(chǔ)。ll～13章介紹了CMOS
和LV／Hv兼容
CMOS、BiCMOS和LV／HV兼容BiCMOS以及BCD工藝集成制造技術(shù)，給出部分實(shí)用簡(jiǎn)明工藝制程卡，并與工藝制程的剖面結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)。

書(shū)籍目錄

第1章 硅襯底與清洗
　1．1 硅晶圓
　1．2 P型硅襯底
　1．3 N型硅襯底
　1．4 Pepi／P或Pepi／P+型硅襯底
　1．5 Nepi／P或Nepi／N+型硅襯底
　1．6 硅片激光編號(hào)
　1．7 硅片清洗分類(lèi)及其步驟
　1．8 硅片各種清洗液及其清洗
第2章 熱氧化
第3章 熱擴(kuò)散
第4章 離子注入及其退伙
第5章 硅外延
第6章 化學(xué)氣相淀積
第7章 光刻
第8章 腐蝕和刻蝕
第9章 金屬化
第10章 表面鈍化
第11章 CMOS工藝集成
第13章 Bicmos工藝集成

圖書(shū)封面

評(píng)論、評(píng)分、閱讀與下載

---

    MOS集成電路工藝與制造技術(shù) PDF格式下載

---