硅鍺超晶格及低維量子結(jié)構(gòu)

內(nèi)容概要

本書比較系統(tǒng)地介紹了Si分子束外延和Si1-xGex/Si低維量子體系研究工作的發(fā)展和一些新進展，并根據(jù)當(dāng)前國際上的發(fā)展趨勢，圍繞復(fù)旦大學(xué)應(yīng)用表面物理國家重點實驗室過去十多年來所取得的各項研究成果，對Si分子束外延和Si1-xGex/Si低維量子體系的材料生長、表征、物理特性研究和器件應(yīng)用等方面作了比較完整的介紹。    本書第1章介紹了Si1-xGex/Si體系的基本物理特性，第2章介紹了Si分子束外延設(shè)備、實時監(jiān)測分析技術(shù)及各種類型的Si1-xGex/Si材料的外延生長技術(shù)，第3章介紹了Si1-xGex/Si異質(zhì)材料的表征，第4、5章分別論述和介紹了Si1-xGex/Si異質(zhì)結(jié)、超晶格和量子阱的電學(xué)和光學(xué)特性，同時也介紹了最新發(fā)展的Si基Ge量子點研究，第6章介紹了量子點的生長及其光學(xué)和電學(xué)特性，第7章介紹了Si1-xGex/Si異質(zhì)結(jié)材料在器件方面的應(yīng)用。    本書可作為半導(dǎo)體物理、材料測試及器件制備等相關(guān)領(lǐng)域的研究人員及研究生的參考書。特別對于希望從事Si1-xGex/Si材料、物理和器件研究的科學(xué)工作者，本書可作為一本入門的參考資料。

書籍目錄

《科學(xué)前沿叢書》序本書序前言第1章 Si1-xGex/Si合金應(yīng)變層及超晶格的基本性質(zhì)  1.1 Si1-xGex合金應(yīng)變層內(nèi)的應(yīng)力  1.2 Si1-xGex/Si異質(zhì)材料的共度生長臨界厚度  1.3 Si1-xGex/Si應(yīng)變層超晶格的應(yīng)變特性  1.4 Si1-xGex/Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)的能帶排列  1.5 Si1-xGex/Si量子阱和超晶格的電子態(tài)第2章 Si分了束外延生長技術(shù)  2.1 Si分子束外延設(shè)備簡介  2.2 原位分析與監(jiān)控  2.3 分子束外延中襯底材料的表面處理技術(shù)  2.4 Si、Ge材料的外延生長第3章 Si1-xGex/Si超晶格、量子阱的結(jié)構(gòu)表征  3.1 X射線散射和衍射  3.2 透射電子顯微觀察  3.3 盧瑟福背散射譜  3.4 俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜深度剖析第4章 Si1-xGex/Si低維結(jié)構(gòu)材料的電學(xué)性質(zhì)  4.1 Si1-xGex/Si量子阱結(jié)構(gòu)的C-V特性  4.2 量子井結(jié)構(gòu)的導(dǎo)納譜研究  4.3 用異納譜研究Si1-xGex/Si量子阱中的量子限制效應(yīng)  4.4 用DLTS研究Si分子束外延層的界面缺陷第5章 Si1-xGex/Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)和超晶格的光學(xué)特性  5.1 Si1-xGex/Si超晶格的光散射特性  5.2 Si1-xGex/Si量子阱的發(fā)光特性  5.3 Si1-xGex/Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)的吸收、調(diào)制反射和非線性光譜第6章 Si基Ge量子點材料  6.1 Si基Ge量子點材料的生長、表征及其發(fā)光特性  6.2 Si基Ge量子點的能級結(jié)構(gòu)和庫侖荷電效應(yīng)  6.3 Si基Ge量子點的空穴俘獲過程的研究第7章 Si1-xGex/Si分子束外延材料的器件應(yīng)用  7.1 Si1-xGex/Si基區(qū)HBT  7.2 Si1-xGex/Si埋溝MOS場效管  7.3 P+-Si1-xGex/Si異質(zhì)結(jié)內(nèi)光電發(fā)射型紅外探測器  7.4 Si1-xGex/Si多量子阱型探測器  7.5 Si1-xGex/Si光電集成電路索引

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