MSP430FRAM鐵電單片機原理及C程序設(shè)計

出版時間:2012-8  出版社:鄧穎 北京航空航天大學(xué)出版社 (2012-08出版)  作者:鄧穎  頁數(shù):232  

內(nèi)容概要

  《MSP430FRAM鐵電單片機原理及C程序設(shè)計》詳細介紹了TI公司的MSP430FRAM系列單片機的特性和優(yōu)勢,主要內(nèi)容包括MSP430FRAM單片機的基礎(chǔ)部分和實際應(yīng)用設(shè)計部分。其中,基礎(chǔ)部分包括通用FRAM鐵電概述、TI FRAM鐵電單片機產(chǎn)品功能特點、TI FRAM開發(fā)工具和最新的軟件庫;應(yīng)用設(shè)計部分包括功能模塊程序設(shè)計及常見問題解答、EMC電磁兼容性設(shè)計因素考量、TI FRAM產(chǎn)品應(yīng)用?!  禡SP430FRAM鐵電單片機原理及C程序設(shè)計》程序采用結(jié)構(gòu)化的C語言編寫,并編譯調(diào)試通過,均達到設(shè)計預(yù)期功能?!  禡SP430FRAM鐵電單片機原理及C程序設(shè)計》既可作為高等院校電子技術(shù)、通信、計算機及自動化類專業(yè)的本、??茖W(xué)生和研究生的教學(xué)參考用書,也可作為大學(xué)生參加電子設(shè)計競賽和工程技術(shù)人員進行開發(fā)設(shè)計的技術(shù)輔導(dǎo)資料。

書籍目錄

第一篇 基礎(chǔ)部分 第1章FRAM鐵電概述 1.1 FRAM介紹 1.2 FRAM的基礎(chǔ)知識 1.2.1 FRAM物理效應(yīng) 1.2.2 FRAM優(yōu)勢 第2章TI FRAM鐵電單片機產(chǎn)品功能特點 2.1 MSP430FRAM功能概述 2.2 MSP430FRAM的選型表 2.3 MSP430FRAM產(chǎn)品與Flash芯片實際對比測試 2.3.1最大的寫入速度和寫入功耗測試 2.3.2 FRAM優(yōu)化數(shù)據(jù)保存 2.3.3最大化FRAM的寫入速度 2.4 MSP430FRAM工具 2.4.1 MSP—EXP430FR5739實驗板 2.4.2 MSP—FET430U40A工具 2.5 MSP430FR57xx與其他FRAM單片機的比較 2.5.1與Ramtron公司的VRS51L3174比較 2.5.2 與FUJITSU公司的FRAM比較 2.6從TI MSP430到TI MSP430FRAM  2.6.1系統(tǒng)級功能移植的考慮 2.6.2外設(shè)功能的移植 2.7 MSP430FRAM系統(tǒng)設(shè)計部分 2.7.1 電源供電 2.7.2復(fù)位電路的可靠性設(shè)計 2.7.3 MSP430FRAM系列單片機外部晶振電路的設(shè)計 2.7.4低功耗設(shè)計 2.7.5與5 V控制系統(tǒng)的接口設(shè)計 第3章TI FRAM常用開發(fā)工具 3.1 TI FRAM硬件調(diào)試工具 3.1.1 TI MSP430調(diào)試工具 3.1.2 TI MSP430編程軟件 3.2 TI FRAM軟件調(diào)試開發(fā)環(huán)境 3.2.1 MSP—EXP430FR5739 FRAM實驗板介紹 3.2.2 MSP—EXP430FR5739在IAR和CCS下的使用方法 3.2.3常用的在線編程軟件FET—Pr0430和MSP430 Flasher 3.2.4 GangProgrammer脫機編程工具 3.3 MSP430匯編與C語言混合編程 3.3.1 IAR的C編譯器中函數(shù)間變量傳遞的定義 3.3.2匯編函數(shù)被C調(diào)用 3.3.3編譯C和匯編函數(shù) 3.3.4編譯庫文件 3.3.5在觀察窗口中觀察匯編變量 3.4 MSP430在CCS下的圖形化插件Grace 3.4.1 如何讓代碼飛起來——MSP430圖形可視化仿真 3.4.2如何讓程序?qū)懫饋砣菀住狹sP430 Grace插件的使用 3.5 MSP430Ware軟件庫 3.5.1MSP430Ware概述 3.5.2在新工程下使用軟件庫(DnverLib) 3.5.3 MSP430Ware驅(qū)動庫使用例程 第二篇 應(yīng)用設(shè)計部分 第4章TI FRAM功能模塊程序設(shè)計及常見問題解答 4.1實驗板原理圖 4.2 I O口寄存器以及程序設(shè)計 4.2.1 I O口寄存器操作 4.2.2 C程序設(shè)計 4.3 ADC功能及C程序設(shè)計 4.4比較器及C程序設(shè)計 4.5定時器TA和TB及C程序設(shè)計 4.6 串行接日SPI UART I2C及C程序設(shè)計 4.7看門狗定時器WTD及C程序設(shè)計 4.8 MPU寫保護功能及C程序設(shè)計 4.9低功耗模式及C程序設(shè)計 4.10 DMA功能及C程序設(shè)計 4.11 MPY硬件乘法器及C程序設(shè)計 4.12 FRAM字節(jié)寫入操作及C程序設(shè)計 4.13 TI FRAM常見問題解答 4.13.1 TI FRAM使用疑問解答 4.13.2 MSP430芯片調(diào)試應(yīng)注意的問題 4.13.3 MSP430單片機常見加密方法 第5章EMC電磁兼容性設(shè)計因素考量 5.1 MCU常見的電磁干擾 5.2 MCU EMC抗干擾設(shè)計的措施 5.2.1抗干擾措施——縮短布線長度 5.2.2抗干擾措施——電源和地 5.2.3抗干擾措施——接地的設(shè)計 5.2.4 抗干擾措施一時鐘電路 5.2.5抗干擾措施——復(fù)位信號的處理 5.2.6抗干擾措施——遠離MCU信號的處理 5.2.7抗干擾措施——未使用管腳的處理 5.2.8抗干擾措施——削減MCU應(yīng)用時的EMI 5.2.9抗干擾措施——PCB布線 5.2.10抗干擾措施——軟件設(shè)計 5.3 MCU EMC實際應(yīng)用解決案例 5.4 IC回流焊的建議 第6章TI FRAM產(chǎn)品應(yīng)用 6.1基于AISG2.0協(xié)議的電調(diào)天線遠程控制單元 6.1.1系統(tǒng)總體結(jié)構(gòu) 6.1.2系統(tǒng)硬件實現(xiàn) 6.1.3軟件設(shè)計 6.2 MSP430FRAM在工業(yè)記錄儀器中的應(yīng)用 6.2.1工業(yè)數(shù)據(jù)記錄儀 6.2.2工程機械安全監(jiān)控 6.2.3船舶機艙油氣濃度檢測 6.2.4高溫測試儀數(shù)據(jù)采集 6.2.5 MSP430FRAM的脫扣器壽命測試儀 6.2.6 MSP430FRAM在智能配電箱中的應(yīng)用 6.3區(qū)域火災(zāi)煙霧探測器設(shè)計 6.4智能SFP光模塊中MSP430FRAM的使用 6.4.1智能SFP光模塊系統(tǒng)設(shè)計 …… 參考文獻

章節(jié)摘錄

版權(quán)頁:   插圖:   2.5.1 與Ramtron公司的VRS51L3174比較 Ramtron公司的VRS51L3174,其供電電壓范圍3.1~3.6 V。而TI FRAM供電電壓范圍2.0~3.6 V。Ramtron的封裝為QFP—64、PLCC44、QFP44,而TIFRAM的封裝為RHA、DA、PW、RGE,可選的封裝形式多一些,目前TI FRAM可選擇的芯片系列從MSP430FR5720到MSP430FR5739,種類繁多。 2.5.2 與FUJXTSU公司的FRAM比較 MB95R203A是富士通家族F2MC—8FX中的8位MCUs。FRAM可以擦除和反復(fù)寫入100萬億次,數(shù)據(jù)保持保證在10年左右。The MB95R203A MCU采用8 KB的FRAM,可以被分為ROM或者RAM,可以方便地交互數(shù)據(jù)和工作存儲區(qū)。 Fujitsu MB95R203A工作電壓范圍l。8~3.6 V(1.8 V供電用于家庭醫(yī)療保健設(shè)備,如血壓計和血糖儀)。采用單線的片上調(diào)試方式,只需要占用MCU一個引腳。內(nèi)置晶振電路。MB95R203A有24—pin DIP和20—pin SOP封裝。 2.6 從TI MSP430到TI MSP430FRAM 本節(jié)主要講述MSP430FR57xx家族新的特性以及新的模塊,介紹F2xx系列和FR57xx的不同。以MSP430F2xx為例,講述從MSP430F2xx移植到MSP430FR57xx家族應(yīng)注意的幾點,包括編程以及系統(tǒng)級設(shè)計,外圍功能移植的考量等。主要是強調(diào)了兩者的不同之處。這里所介紹的從MSP430F2xx移植到鐵電微處理器的方法,也可以借鑒到MSP430F1xx/4xx家族中。 2.6.1 系統(tǒng)級功能移植的考慮 系統(tǒng)級設(shè)計部分主要包括電源管理以及對于非易失性存儲器的操作。關(guān)于指令集部分,MSP430FR57xx完全兼容現(xiàn)有的MSP430家族。代碼移植時主要影響寄存器以及外圍特征功能的改變,指令系統(tǒng)和原有的是保持一致的。鐵電FRAM是非易失性的存儲器,其表現(xiàn)類似于靜態(tài)存儲器SRAM,然而兩者有明顯的不同之處,F(xiàn)RAM在掉電時,數(shù)據(jù)內(nèi)容依然保存。FR57xx系列鐵電存儲器訪問速度為8 MHz,和其他的閃存存儲器相比,F(xiàn)RAM特點如下: ①易于編程,不需要額外的配置。 ②存儲區(qū)不是分段形式的,每一個位都可以單獨地擦除、寫入和尋址。 ③在寫入前,不需要進行擦除操作。 ④允許低功耗寫入(不需要充電泵)。

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