出版時間:2012-8 出版社:水利水電出版社 作者:張彩麗 編 頁數(shù):352 字?jǐn)?shù):562000
內(nèi)容概要
《材料科學(xué)知識精要與真題詳解(化學(xué)科學(xué)類)》由張彩麗主編,全書分為10章,每章包括三部分內(nèi)容。第一部分是重點(diǎn)與難點(diǎn)解析,第二部分是名校考研真題詳解,第三部分是名校期末考試真題詳解。
《材料科學(xué)知識精要與真題詳解(化學(xué)科學(xué)類)》精選了清華大學(xué)、上海交通大學(xué)、吉林大學(xué)、北京科技大學(xué)、四川大學(xué)、東北大學(xué)、中南大學(xué)、華中科技大學(xué)、北京理工大學(xué)、西北工業(yè)大學(xué)、浙江大學(xué)、西安交通大學(xué)、東南大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、天津大學(xué)、湖南大學(xué)、西南交通大學(xué)、南京大學(xué)、南京理工大學(xué)、南京航空航天大學(xué)、北京工業(yè)大學(xué)、重慶大學(xué)、山東大學(xué)、廈門大學(xué)、武漢理工大學(xué)、合肥工業(yè)大學(xué)、昆明理工大學(xué)、沈陽大學(xué)、江蘇大學(xué)、燕山大學(xué)、武漢科技大學(xué)、哈爾濱理工大學(xué)等院校,近年的材料科學(xué)基礎(chǔ)(含金屬材料科學(xué)基礎(chǔ)、無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ))、金屬學(xué)與熱處理、材料結(jié)構(gòu)與相變等科目考研和期末考試真題,并進(jìn)行了詳細(xì)解答。
書籍目錄
前言
第一章 原子結(jié)構(gòu)與鍵合
第一節(jié) 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析
第二節(jié) 考研真題詳解
第三節(jié) 期末考試真題詳解
第二章 固體結(jié)構(gòu)
第一節(jié) 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析
第二節(jié) 考研真題詳解
第三節(jié) 期末考試真題詳解
第三章 晶體缺陷
第一節(jié) 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析
第二節(jié) 考研真題詳解
第三節(jié) 期末考試真題詳解
第四章 固體中原子及分子的運(yùn)動
第一節(jié) 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析
第二節(jié) 考研真題詳解
第三節(jié) 期末考試真題詳解
第五章 材料的形變和再結(jié)晶
第一節(jié) 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析
第二節(jié) 考研真題詳解
第三節(jié) 期末考試真題詳解
第六章 單組元相圖及純晶體的凝固
第一節(jié) 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析
第二節(jié) 考研真題詳解
第三節(jié) 期末考試真題詳解
第七章 二元系相圖及合金的凝固
第一節(jié) 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析
第二節(jié) 考研真題詳解
第三節(jié) 期末考試真題詳解
第八章 三元相圖
第一節(jié) 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析
第二節(jié) 考研真題詳解
第三節(jié) 期末考試真題詳解
第九章 材料的亞穩(wěn)態(tài)
第一節(jié) 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析
第二節(jié) 考研真題詳解
第三節(jié) 期末考試真題詳解
第十章 材料的功能特性
第一節(jié) 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析
第二節(jié) 考研真題詳解
第三節(jié) 期末考試真題詳解
附錄
附錄1 清華大學(xué)2009年《材料科學(xué)基礎(chǔ)》考研試題與答案
附錄2 吉林大學(xué)2010年《材料科學(xué)基礎(chǔ)》考研試題與答案
附錄3 中南大學(xué)2009年《材料科學(xué)基礎(chǔ)》考研試題與答案
附錄4 北京科技大學(xué)2010年《材料科學(xué)基礎(chǔ)》考研試題與答案
附錄5 天津大學(xué)2010年《金屬材料科學(xué)基礎(chǔ)》考研試題與答案
附錄6 上海交通大學(xué)2007年《材料科學(xué)基礎(chǔ)》考研試題與答案
附錄7 華中科技大學(xué)2007年《材料科學(xué)基礎(chǔ)》考研試題與答案
附錄8 北京理工大學(xué)2008年《材料科學(xué)基礎(chǔ)》考研試題與答案
附錄9 東北大學(xué)2009年《材料科學(xué)基礎(chǔ)》考研試題與答案
附錄10 重慶大學(xué)2011年《金屬學(xué)及熱處理》考研試題與答案
章節(jié)摘錄
版權(quán)頁: 插圖: 第三章晶體缺陷 第一節(jié)重點(diǎn)與難點(diǎn)解析 一、點(diǎn)缺陷 點(diǎn)缺陷是最簡單的晶體缺陷,它是在結(jié)點(diǎn)上或鄰近的微觀區(qū)域內(nèi)偏離晶體結(jié)構(gòu)的正常排列的一種缺陷。晶體點(diǎn)缺陷包括空位、間隙原子、雜質(zhì)或溶質(zhì)原子,以及由它們組成的復(fù)雜點(diǎn)缺陷,如空位對、空位團(tuán)和空位一溶質(zhì)原子對等。 1.點(diǎn)缺陷的類型 (1)金屬晶體中的點(diǎn)缺陷。金屬晶體中常見的點(diǎn)缺陷有空位、間隙原子、置換原子等。當(dāng)某一瞬間,某個晶格結(jié)點(diǎn)上的原子具有足夠大的能量,克服周圍原子對它的制約,跳出其所在的位置,使晶格中形成空結(jié)點(diǎn),稱空位。 脫位原子進(jìn)入其他空位或遷移至晶界或晶體表面所形成的空位叫肖脫基(Schottlq,)空位;脫位原子擠入晶格結(jié)點(diǎn)的間隙中所形成的空位叫弗蘭克爾(Frenkel)空位,擠入間隙的原子叫間隙原子;占據(jù)在原來晶格結(jié)點(diǎn)的異類原子叫置換原子。 1)空位??瘴皇且环N熱平衡缺陷,即在一定溫度下,空位有一定的平衡濃度??瘴辉诰w中的位置不是固定不變的,而是不斷運(yùn)動變化的。 空位是由原子脫離其平衡位置而形成的,脫離平衡位置的原子大致有三個去處:①遷移到晶體表面上,這樣所產(chǎn)生的空位叫肖脫基空位;②遷移到晶格的間隙中,這樣所形成的空位叫弗蘭克爾空位;⑨遷移到其他空位處,這樣雖然不產(chǎn)生新空位,但可以使空位變換位置。2)間隙原子。處于晶格間隙中的原子即為間隙原予。在形成弗蘭克爾空位的同時,也形成一個間隙原子,另外溶質(zhì)原子擠入溶劑的晶格間隙中后,也稱為間隙原子,他們都會造成嚴(yán)重的晶體畸變。間隙原子也是一種熱平衡缺陷,在一定溫度下有一平衡濃度,對于異類間隙原子來說,常將這一平衡濃度稱為固溶度或溶解度。 3)置換原子。占據(jù)在原來基體原子平衡位置上的異類原子稱為置換原子。由于原子大小的區(qū)別也會造成晶格畸變,置換原子在一定溫度下也有一個平衡濃度值,一般稱之為固溶度或溶解度,通常它比間隙原子的固溶度要大的多。 (2)高分子晶體中的點(diǎn)缺陷。高分子晶體中除了上述三種點(diǎn)缺陷之外,還有其特有的點(diǎn)缺陷:①分子鏈上的異常鍵結(jié)合:②分子鏈位置發(fā)生交換;③分子鏈向相對方向折疊。 (3)離子晶體中點(diǎn)缺陷。在離子晶體中,由于要維持電平衡,因此一個正離子產(chǎn)生空位,則鄰近必有一個負(fù)離子空位,這樣的一個正負(fù)離子空位對,叫Schottky缺陷;一個正離子跳入離子晶體的間隙位置,則出現(xiàn)了一個正離子空位,這種空位一間隙離子對即為Frenkel缺陷。
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《理工科考研輔導(dǎo)系列?化學(xué)科學(xué)類:材料科學(xué)知識精要與真題詳解》對于參加相關(guān)專業(yè)同等學(xué)力考試、自學(xué)考試、資格考試的考生也具有很高的參考價值。
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