模擬電子技術(shù)名?？佳姓骖}詳解

前言

　　模擬電子技術(shù)是電子、電氣、信息等相關學科的重要專業(yè)基礎課程，也是相關專業(yè)碩士研究生入學考試的必考內(nèi)容之一。為了幫助廣大讀者掌握電路課程的學習方法和解題思路，順利通過研究生入學考試或大學期末考試，我們在綜合分析各大院校近年來出題特點的基礎上，編寫了本書?！　”緯卜譃?0章，每章包括三部分內(nèi)容：第一部分主要是根據(jù)各高校的教學大綱、考試大綱等，對本章的重點和難點進行歸納，并進行簡要解析；第二部分主要是精選知名院校近年的考研真題，并進行詳細解答；第三部分主要是精選知名院校近年的本科期末考試真題，并進行詳細解答。本書具有以下主要特點：　　所選題目均為知名院校近年的考研或期末考試真題，這些題目具有很強的有代表性?！　⊥ㄟ^這些真題及其詳解，讀者可以在很大程度上判斷和把握相關院?？佳泻痛髮W期末考試的出題特點和解題要求等?！　λ锌荚囌骖}均進行了詳細解答。了解歷年真題不是目的，關鍵是要通過真題解答掌握和理解相關知識點?！　”緯貏e適合備戰(zhàn)電路考研和大學期末考試的讀者，對于參加相關專業(yè)同等學力考試、自學考試、資格考試的考生而言，本書也具有較高的參考價值?！　⑴c本書編寫的人員主要有辛靈軒、張永翰、陳志、董兵兵、許明波、孔麗娜、張彩云、湯明旺、辛靈暖、段辛云、段辛雷等。　　我們始終抱著一種嚴肅、認真的態(tài)度來編寫本書，力求使內(nèi)容準確、完整，但由于編者水平有限，時間倉促，不妥之處在所難免，懇請廣大讀者批評和指正。

內(nèi)容概要

本書分為10章，每章包括三部分內(nèi)容：第一部分是重點與難點解析：第二部分是名?？佳姓骖}詳解；第三部分是名校期末考試真題詳解。    本書所選題目均為知名院校近年的考研和期末考試真題，本書對所有真題均進行了詳細解答。通過這些真題及其詳解，讀者可以了解和掌握相關院?？佳?、期末考試的出題特點和解題方法。    本書特別適合備戰(zhàn)考研和大學期末考試的讀者，對于參加相關專業(yè)同等學力考試、自學考試、資格考試的考生也具有較高的參考價值。

書籍目錄

前言 第1章 緒論   1.1 重點與難點解析   1.2 名校考研真題詳解 第2章 運算放大器   2.1 重點與難點解析   2.2 名校考研真題詳解   2.3 名校期末考試真題詳解 第3章 二極管及其基本電路   3.1 重點與難點解析   3.2 名?？佳姓骖}詳解   3.3 名校期末考試真題詳解 第4章 雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎   4.1 重點與難點解析   4.2 名?？佳姓骖}詳解   4.3 名校期末考試真題詳解 第5章 場效應管放大電路   5.1 重點與難點解析   5.2 名?？佳姓骖}詳解   5.3 名校期末考試真題詳解 第6章 模擬集成電路   6.1 重點與難點解析   6.2 名?？佳姓骖}詳解   6.3 名校期末考試真題詳解 第7章 反饋放大電路   7.1 重點與難點解析   7.2 名校考研真題詳解   7.3 名校期末考試真題詳解 第8章 功率放大電路   8.1 重點與難點解析   8.2 名?？佳姓骖}詳解   8.3 名校期末考試真題詳解 第9章 信號處理與信號產(chǎn)生電路   9.1 重點與難點解析   9.2 名校考研真題詳解   9.3 名校期末考試真題詳解 第10章 直流穩(wěn)壓電源   10.1 重點與難點解析   10.2 名?？佳姓骖}詳解   10.3 名校期末考試真題詳解

章節(jié)摘錄

　　在P型半導體和N型半導體結(jié)合后，在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差，N型區(qū)內(nèi)的電子很多而空穴很少，P型區(qū)內(nèi)的空穴很多而電子很少，這樣電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴散，因此，有些電子要從N型區(qū)向P型區(qū)擴散，也有一些空穴要從P型區(qū)向N型區(qū)擴散?！　、陔娮雍涂昭ǖ膹秃闲纬闪丝臻g電荷區(qū)?！　‰娮雍涂昭◣в邢喾吹碾姾?，它們在擴散過程中要產(chǎn)生復合（中和），結(jié)果使P區(qū)和N區(qū)中原來的電中性被破壞。P區(qū)失去空穴留下帶負電韻離子，N區(qū)失去電子留下帶正電的離子，這些離子因物質(zhì)結(jié)構(gòu)的關系，它們不能移動，因此稱為空間電荷，它們集中在P區(qū)和N區(qū)的交界面附近，形成了一個很薄的空間電荷區(qū)，這就是所謂的PN結(jié)?！　、劭臻g電荷區(qū)產(chǎn)生的內(nèi)電場E又阻止多子的擴散運動。　　在空間電荷區(qū)后，由于正負電荷之間的相互作用，在空間、電荷區(qū)中形成一個電場，其方向從帶正電的N區(qū)指向帶負電的P區(qū)，由于該電場是由載流子擴散后在半導體內(nèi)部形成的，故稱為內(nèi)電場。因為內(nèi)電場的方向與電子的擴散方向相同，與空穴的擴散方向相反，所以它是阻止載流子的擴散運動的?！　【C上所述，PN結(jié)中存在著兩種載流子的運動：一種是多子克服電場的阻力的擴散運動；另一種是少子在內(nèi)電場的作用下產(chǎn)生的漂移運動.因此，只有當擴散運動與漂移運動達到動態(tài)平衡時，空間電荷區(qū)的寬度和內(nèi)建電場才能相對穩(wěn)定。由于兩種運動產(chǎn)生的電流方向相反，因而在無外電場或其他因素激勵時，PN結(jié)中無宏觀電流。

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