模擬電子技術(shù)名校考研真題詳解

前言

　　模擬電子技術(shù)是電子、電氣、信息等相關(guān)學(xué)科的重要專業(yè)基礎(chǔ)課程，也是相關(guān)專業(yè)碩士研究生入學(xué)考試的必考內(nèi)容之一。為了幫助廣大讀者掌握電路課程的學(xué)習(xí)方法和解題思路，順利通過研究生入學(xué)考試或大學(xué)期末考試，我們?cè)诰C合分析各大院校近年來出題特點(diǎn)的基礎(chǔ)上，編寫了本書?！　”緯卜譃?0章，每章包括三部分內(nèi)容：第一部分主要是根據(jù)各高校的教學(xué)大綱、考試大綱等，對(duì)本章的重點(diǎn)和難點(diǎn)進(jìn)行歸納，并進(jìn)行簡(jiǎn)要解析；第二部分主要是精選知名院校近年的考研真題，并進(jìn)行詳細(xì)解答；第三部分主要是精選知名院校近年的本科期末考試真題，并進(jìn)行詳細(xì)解答。本書具有以下主要特點(diǎn)：　　所選題目均為知名院校近年的考研或期末考試真題，這些題目具有很強(qiáng)的有代表性?！　⊥ㄟ^這些真題及其詳解，讀者可以在很大程度上判斷和把握相關(guān)院校考研和大學(xué)期末考試的出題特點(diǎn)和解題要求等。　　對(duì)所有考試真題均進(jìn)行了詳細(xì)解答。了解歷年真題不是目的，關(guān)鍵是要通過真題解答掌握和理解相關(guān)知識(shí)點(diǎn)?！　”緯貏e適合備戰(zhàn)電路考研和大學(xué)期末考試的讀者，對(duì)于參加相關(guān)專業(yè)同等學(xué)力考試、自學(xué)考試、資格考試的考生而言，本書也具有較高的參考價(jià)值。　　參與本書編寫的人員主要有辛靈軒、張永翰、陳志、董兵兵、許明波、孔麗娜、張彩云、湯明旺、辛靈暖、段辛云、段辛雷等?！　∥覀兪冀K抱著一種嚴(yán)肅、認(rèn)真的態(tài)度來編寫本書，力求使內(nèi)容準(zhǔn)確、完整，但由于編者水平有限，時(shí)間倉促，不妥之處在所難免，懇請(qǐng)廣大讀者批評(píng)和指正。

內(nèi)容概要

本書分為10章，每章包括三部分內(nèi)容：第一部分是重點(diǎn)與難點(diǎn)解析：第二部分是名?？佳姓骖}詳解；第三部分是名校期末考試真題詳解。    本書所選題目均為知名院校近年的考研和期末考試真題，本書對(duì)所有真題均進(jìn)行了詳細(xì)解答。通過這些真題及其詳解，讀者可以了解和掌握相關(guān)院校考研、期末考試的出題特點(diǎn)和解題方法。    本書特別適合備戰(zhàn)考研和大學(xué)期末考試的讀者，對(duì)于參加相關(guān)專業(yè)同等學(xué)力考試、自學(xué)考試、資格考試的考生也具有較高的參考價(jià)值。

書籍目錄

前言 第1章 緒論   1.1 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析   1.2 名?？佳姓骖}詳解 第2章 運(yùn)算放大器   2.1 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析   2.2 名?？佳姓骖}詳解   2.3 名校期末考試真題詳解 第3章 二極管及其基本電路   3.1 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析   3.2 名?？佳姓骖}詳解   3.3 名校期末考試真題詳解 第4章 雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)   4.1 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析   4.2 名?？佳姓骖}詳解   4.3 名校期末考試真題詳解 第5章 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路   5.1 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析   5.2 名?？佳姓骖}詳解   5.3 名校期末考試真題詳解 第6章 模擬集成電路   6.1 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析   6.2 名?？佳姓骖}詳解   6.3 名校期末考試真題詳解 第7章 反饋放大電路   7.1 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析   7.2 名校考研真題詳解   7.3 名校期末考試真題詳解 第8章 功率放大電路   8.1 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析   8.2 名?？佳姓骖}詳解   8.3 名校期末考試真題詳解 第9章 信號(hào)處理與信號(hào)產(chǎn)生電路   9.1 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析   9.2 名?？佳姓骖}詳解   9.3 名校期末考試真題詳解 第10章 直流穩(wěn)壓電源   10.1 重點(diǎn)與難點(diǎn)解析   10.2 名?？佳姓骖}詳解   10.3 名校期末考試真題詳解

章節(jié)摘錄

　　在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合后，在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差，N型區(qū)內(nèi)的電子很多而空穴很少，P型區(qū)內(nèi)的空穴很多而電子很少，這樣電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散，因此，有些電子要從N型區(qū)向P型區(qū)擴(kuò)散，也有一些空穴要從P型區(qū)向N型區(qū)擴(kuò)散?！　、陔娮雍涂昭ǖ膹?fù)合形成了空間電荷區(qū)?！　‰娮雍涂昭◣в邢喾吹碾姾桑鼈?cè)跀U(kuò)散過程中要產(chǎn)生復(fù)合（中和），結(jié)果使P區(qū)和N區(qū)中原來的電中性被破壞。P區(qū)失去空穴留下帶負(fù)電韻離子，N區(qū)失去電子留下帶正電的離子，這些離子因物質(zhì)結(jié)構(gòu)的關(guān)系，它們不能移動(dòng)，因此稱為空間電荷，它們集中在P區(qū)和N區(qū)的交界面附近，形成了一個(gè)很薄的空間電荷區(qū)，這就是所謂的PN結(jié)?！　、劭臻g電荷區(qū)產(chǎn)生的內(nèi)電場(chǎng)E又阻止多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)?！　≡诳臻g電荷區(qū)后，由于正負(fù)電荷之間的相互作用，在空間、電荷區(qū)中形成一個(gè)電場(chǎng)，其方向從帶正電的N區(qū)指向帶負(fù)電的P區(qū)，由于該電場(chǎng)是由載流子擴(kuò)散后在半導(dǎo)體內(nèi)部形成的，故稱為內(nèi)電場(chǎng)。因?yàn)閮?nèi)電場(chǎng)的方向與電子的擴(kuò)散方向相同，與空穴的擴(kuò)散方向相反，所以它是阻止載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的?！　【C上所述，PN結(jié)中存在著兩種載流子的運(yùn)動(dòng)：一種是多子克服電場(chǎng)的阻力的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)；另一種是少子在內(nèi)電場(chǎng)的作用下產(chǎn)生的漂移運(yùn)動(dòng).因此，只有當(dāng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，空間電荷區(qū)的寬度和內(nèi)建電場(chǎng)才能相對(duì)穩(wěn)定。由于兩種運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的電流方向相反，因而在無外電場(chǎng)或其他因素激勵(lì)時(shí)，PN結(jié)中無宏觀電流。

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