模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)

內(nèi)容概要

　　本書是教材《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)》(清華大學電子學教研組編寫，童詩白、華成英主編)的配套習題全程輔導用書。全書按教材內(nèi)容，針對各章節(jié)全部習題給出詳細解答，思路清晰、邏輯性強，循序漸進地幫助讀者分析并解決問題。本書共11章，具體內(nèi)容包括：常用半導體器件、基本放大電路、多級放大電路、集成運算放大電路、放大器的頻率響應(yīng)、放大電路中的反饋、信號的運算和處理、波形的發(fā)生和信號轉(zhuǎn)換、功率放大電路、直流電源、模擬電子電路讀圖。每章內(nèi)容都包括：重點內(nèi)容提要、教材同步習題全解、自測題、習題、典型提高題。本書可作為在校大學生和自考生學習“模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)”課程的教學輔導材料和復習參考用書及工科考研強化復習的指導書，也可作為教師的教學參考書。

書籍目錄

前言
第一章常用半導體器件
重點內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評析
教材同步習題全解
自測題
習題
第二章基本放大電路
重點內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評析
教材同步習題全解
自測題
習題
第三章多級放大電路
重點內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評析
教材同步習題全解
自測題
習題
第四章集成運算放大電路
重點內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評析
教材同步習題全解
自測題
習題
第五章放大器的頻率響應(yīng)
重點內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評析
教材同步習題全解
自測題
習題
第六章放大電路中的反饋
重點內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評析
教材同步習題全解
自測題
習題
第七章信號的運算和處理
重點內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評析
教材同步習題全解
自測題
習題
第八章波形的發(fā)生和信號轉(zhuǎn)換
重點內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評析
教材同步習題全解
自測題
習題
第九章功率放大電路
重點內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評析
教材同步習題全解
自測題
習題
第十章直流電源
重點內(nèi)容提要
典型例題與解題技巧
歷年考研真題評析
教材同步習題全解
自測題
習題
第十一章模擬電子電路讀圖
重點內(nèi)容提要
教材同步習題全解
習題

章節(jié)摘錄

　　第一章　常用半導體器件　　重點內(nèi)容提要　　1.1　半導體基礎(chǔ)知識　　本征半導體　　本征半導體就是完全純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導體?！　≥d流子：電子帶負電，空穴帶正電，在外電場作用下自由電子移動，相鄰的價電子填補空穴而形成空穴移動，它們都能導電?！　”菊骷ぐl(fā)產(chǎn)生的自由電子和空穴成對出現(xiàn)，數(shù)量取決于環(huán)境溫度高低?！　‰s質(zhì)半導體——P型半導體和N型半導體　?。?）P型半導體：在純凈半導體中摻入適量三價元素，形成空穴型（P型）半導體。它的導電能力大大高于本征半導體。其中空穴為多數(shù)載流子（簡稱“多子”），自由電子為少數(shù)載流子（簡稱“少子”）?！　。?）N型半導體：在純凈半導體中摻入適量五價元素，形成自由電子型（N型）半導體。其中自由電子為“多子”，空穴為“少子”。　　在兩種雜質(zhì)半導體中，整體上電量平衡，對外不顯電性（不帶靜電）?！　N結(jié)　　又稱耗盡層，阻擋層，將兩種雜質(zhì)半導體結(jié)合在一起，由于界面兩側(cè)載流子濃度不同而產(chǎn)生載流子擴散運動。P型區(qū)空穴向N型區(qū)擴散，N型區(qū)自由電子向P型區(qū)擴散。在邊界兩側(cè)兩種載流子產(chǎn)生復合，形成帶正電和負電的離子。在邊界兩側(cè)形成空間電荷區(qū)，稱為PN結(jié)?！　。?）區(qū)內(nèi)正、負離子帶電而不能移動，載流子因復合而數(shù)量很少，因此電阻率很高?！　。?）正、負離子形成的內(nèi)電場阻止多子繼續(xù)擴散?！　。?）內(nèi)電場對少子有吸引作用，形成少子的逆向運動，稱為漂移?！　。?）在沒有外電場作用時，當擴散運動和漂移運動達到動態(tài)平衡時，兩側(cè)間沒有電流，空間電荷區(qū)厚度不變?！　。?）PN結(jié)正向?qū)?，反向截止，即為單向?qū)щ娦??！　?hellip;…

編輯推薦

　　知識點竅，邏輯推理，習題全解，全真考題，名師執(zhí)筆，題型歸類。

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