出版時(shí)間:2008-6 出版社:中國(guó)電力出版社 作者:劉鈞波,張星慧 主編 頁(yè)數(shù):254
內(nèi)容概要
本書(shū)是為了適應(yīng)當(dāng)前模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課程的教學(xué)改革而編寫(xiě)的。全書(shū)共分10章,內(nèi)容包括半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路、半導(dǎo)體三極管及其放大電路、場(chǎng)效應(yīng)管及其放大電路、集成運(yùn)算放大器、反饋放大電路、集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用、波形產(chǎn)生及變換電路、功率放大電路、直流穩(wěn)壓電源等,第10章為實(shí)驗(yàn)和實(shí)踐環(huán)節(jié),主要介紹常用電子測(cè)量?jī)x器的分類(lèi)和使用方法、模擬電子電路的原理及實(shí)訓(xùn)步驟。 本書(shū)可作為各高等院校電氣、自動(dòng)化、電子、通信、機(jī)電一體、計(jì)算機(jī)等專(zhuān)業(yè)的教材和參考書(shū),也可供從事電子技術(shù)方面工作的工程技術(shù)人員參考。
書(shū)籍目錄
前言第1章 半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用 1.1 半導(dǎo)體的基本知識(shí) 1.2 半導(dǎo)體二極管 本章小結(jié) 習(xí)題一第2章 半導(dǎo)體三極管及其放大電路 2.1 半導(dǎo)體三極管 2.2 基本放大電路的方框圖及性能指標(biāo) 2.3 基本放大電路的組成及工作原理 2.4 放大電路的基本分析方法 2.5 放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定 2.6 放大電路的3種組態(tài)及其比較 2.7 多級(jí)放大電路 本章小結(jié) 習(xí)題二第3章 場(chǎng)效應(yīng)管及其放大電路 3.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 3.2 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 3.3 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) 3.4 場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)及使用注意事項(xiàng) 3.5 各種場(chǎng)效應(yīng)管比較 3.6 場(chǎng)效應(yīng)管與三極管比較 3.7 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 本章小結(jié) 習(xí)題三第4章 集成運(yùn)算放大器 4.1 集成電路概述 4.2 集成運(yùn)放的基本組成及功能 4.3 集成運(yùn)放的主要參數(shù)及其選擇 4.4 理想運(yùn)算放大器 本章小結(jié) 習(xí)題四第5章 反饋放大電路 5.1 反饋的基本概念及判別方法 5.2 負(fù)反饋的四種組態(tài) 5.3 負(fù)反饋對(duì)放大電路的影響 5.4 深度負(fù)反饋條件下放大倍數(shù)的估算 本章小結(jié) 習(xí)題五第6章 集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用 6.1 運(yùn)算電路 6.2 電壓比較器 本章小結(jié) 習(xí)題六第7章 波形發(fā)生電路 7.1 正弦波振蕩電路 7.2 非正弦波振蕩電路 7.3 波形變換電路 7.4 集成函數(shù)發(fā)生器8038簡(jiǎn)介 本章小結(jié) 習(xí)題七第8章 功率放大電路 8.1 功率放大電路的特點(diǎn)和分類(lèi) 8.2 乙類(lèi)雙電源互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大電路 8.3 OCL甲乙類(lèi)互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大電路 8.4 單電源互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大電路 8.5 實(shí)用功率放大電路舉例 8.6 集成功率放大器介紹 本章小結(jié) 習(xí)題八第9章 直流穩(wěn)壓電源 9.1 直流穩(wěn)壓電源的組成 9.2 整流電路 9.3 濾波電路 9.4 串聯(lián)型直流穩(wěn)壓電路 9.5 集成穩(wěn)壓電路 9.6 開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電源 本章小結(jié) 習(xí)題九第10章 實(shí)驗(yàn)和實(shí)踐環(huán)節(jié) 10.1 常用電子測(cè)量?jī)x器的使用 10.2 模擬電子電路實(shí)驗(yàn) 10.3 模擬電子電路實(shí)訓(xùn)習(xí)題參考答案參考文獻(xiàn)
章節(jié)摘錄
第1章 半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用 1.1 半導(dǎo)體的基本知識(shí) 1.1.1 本征半導(dǎo)體 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)稱(chēng)為半導(dǎo)體。一般來(lái)說(shuō),半導(dǎo)體的電阻率在10-4~109M·m的范圍內(nèi)。半導(dǎo)體是構(gòu)成電子元器件的重要材料,最常用的半導(dǎo)體材料是硅(Si)和鍺(Ge)。純凈的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體?! ”菊靼雽?dǎo)體是通過(guò)一定的工藝過(guò)程形成的單晶體,其中每個(gè)硅或鍺原子最外層的4個(gè)價(jià)電子均與它們相鄰的4個(gè)原子的價(jià)電子共用,從而形成共價(jià)鍵,如圖1.1(a)所示。 本征半導(dǎo)體中原子間的共價(jià)鍵具有較強(qiáng)的束縛力,每個(gè)原子都趨于穩(wěn)定,它們是否有足夠的能量掙脫共價(jià)鍵的束縛與熱運(yùn)動(dòng)(即溫度)緊密相關(guān)。在熱力學(xué)溫度絕對(duì)零度(約--273℃)下,價(jià)電子基本不能移動(dòng),因而在外電場(chǎng)作用下半導(dǎo)體中電流為零,此時(shí)它相當(dāng)于絕緣體。但在常溫下,由于熱運(yùn)動(dòng)價(jià)電子被激活,有些獲得足夠能量的價(jià)電子會(huì)掙脫共價(jià)鍵成為自由電子,與此同時(shí)共價(jià)鍵中就留下一個(gè)空位,稱(chēng)為空穴,這種現(xiàn)象稱(chēng)為本征激發(fā),如圖1.1(b)所示。由于電子帶負(fù)電荷,所以空穴表示缺少一個(gè)負(fù)電荷,即空穴具有正電荷粒子的特性。 在電子一空穴對(duì)產(chǎn)生的同時(shí),運(yùn)動(dòng)中的自由電子也有可能去填補(bǔ)空穴,使電子和空穴成對(duì)消失,這種現(xiàn)象稱(chēng)為復(fù)合。在外電場(chǎng)作用下,一方面帶負(fù)電荷的自由電子做定向移動(dòng),形成電子電流;另一方面價(jià)電子會(huì)按電場(chǎng)方向依次填補(bǔ)空穴。
編輯推薦
《21世紀(jì)高職高專(zhuān)計(jì)算機(jī)專(zhuān)業(yè)規(guī)劃教材:模擬電子技術(shù)簡(jiǎn)明教程》是電類(lèi)各專(zhuān)業(yè)必修的技術(shù)基礎(chǔ)課程,而隨著電子技術(shù)在各個(gè)領(lǐng)域越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,它也越來(lái)越多地成為非電類(lèi)專(zhuān)業(yè)的重要課程。然而,由于學(xué)時(shí)數(shù)的限制以及高校培養(yǎng)目標(biāo)的改革等諸多原因,以往的相關(guān)教材顯得篇幅過(guò)大,內(nèi)容分散,容易造成學(xué)生學(xué)習(xí)吃力,負(fù)擔(dān)過(guò)重的情況。同時(shí)考慮到各個(gè)專(zhuān)業(yè)對(duì)該門(mén)課程的不同教學(xué)要求,也迫切需要有一本比較簡(jiǎn)明、實(shí)用的教材?!?1世紀(jì)高職高專(zhuān)計(jì)算機(jī)專(zhuān)業(yè)規(guī)劃教材:模擬電子技術(shù)簡(jiǎn)明教程》適合于作為高職院校計(jì)算機(jī)、電子、通信、機(jī)電等專(zhuān)業(yè)本科和專(zhuān)科的教科書(shū),也可作為自學(xué)考試和電子技術(shù)工程人員自學(xué)用書(shū)。
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