微束分析國家標(biāo)準(zhǔn)匯編

內(nèi)容概要

本標(biāo)準(zhǔn)等同采用ISO 14595：2003《微束分析電子探針分析標(biāo)準(zhǔn)樣品技術(shù)條件導(dǎo)則》（英文版）。    為了便于使用，本標(biāo)準(zhǔn)做了下列編輯性修改：    ——“本國際標(biāo)準(zhǔn)”一詞改為“本標(biāo)準(zhǔn)”；    ——用小數(shù)點(diǎn)“.”代替作為小數(shù)點(diǎn)的逗號“，”；    ——刪除國際標(biāo)準(zhǔn)的前言。    本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T 4930—1993《電子探針分析標(biāo)準(zhǔn)樣品通用技術(shù)條件》，因?yàn)閲H上的發(fā)展原標(biāo)準(zhǔn)在技術(shù)上已不適用。    本標(biāo)準(zhǔn)對GB/T 4930—1993進(jìn)行了全面修改：    ——標(biāo)題：將GB/T 4930—1993原標(biāo)題“電子探針分析標(biāo)準(zhǔn)樣品通用技術(shù)條件”改為“微束分析  電子探針分析標(biāo)準(zhǔn)樣品技術(shù)條件導(dǎo)則”；    ——所有技術(shù)條文的項(xiàng)目、內(nèi)容、結(jié)構(gòu)順序都作了變動，運(yùn)用的技術(shù)方法更先進(jìn)，更合理；    ——標(biāo)樣材料不均勻性檢測及其數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)處理改用美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院（NIST）和英國國家    物理實(shí)驗(yàn)室（NPL）共同研制的檢測和統(tǒng)計(jì)方法；    ——將標(biāo)樣分級的概念引入本標(biāo)準(zhǔn)，使制作和應(yīng)用標(biāo)樣的領(lǐng)域擴(kuò)大，更合理，更全面。    本標(biāo)準(zhǔn)的附錄B為規(guī)范性附錄，附錄A、附錄C為資料性附錄。    本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口。

書籍目錄

GB/T 4930—2008　微束分析　電子探針分析　標(biāo)準(zhǔn)樣品技術(shù)條件導(dǎo)則GB/T 15074—2008  電子探針定量分析方法通則GB/T 15244—2002　玻璃的電子探針定量分析方法GB/T 15245—2002　稀土氧化物的電子探針定量分析方法GB/T 15246—2002　硫化物礦物的電子探針定量分析方法GB/T 15247—2008　微束分析  電子探針顯微分析  測定鋼中碳含量的校正曲線法GB/T 15616—2008　金屬及合金的電子探針定量分析方法GB/T 15617—2002　硅酸鹽礦物的電子探針定量分析方法GB/T 16594—2008　微米級長度的掃描電鏡測量方法通則GB/T 17359—1998  電子探針和掃描電鏡X射線能譜定量分析通則GB/T 17360—2008　鋼中低含量Si、Mn的電子探針定量分析方法GB/T 17361—1998  沉積巖中自生粘土礦物掃描電子顯微鏡及X射線能譜鑒定方法GB/T 17362—2008　黃金制品的掃描電鏡X射線能譜分析方法GB/T 173631—2009　黃金制品金含量無損測定方法　第1部分：電子探針微分析法GB/T 173632—2009　黃金制品金含量無損測定方法　第2部分：綜合測定方法GB/T 17365—1998　金屬與合金電子探針定量分析樣品的制備方法GB/T 17366—1998　礦物巖石的電子探針分析試樣的制備方法GB/T 17506—2008　船舶黑色金屬腐蝕層的電子探針分析方法GB/T 17507—2008  透射電子顯微鏡X射線能譜分析生物薄標(biāo)樣的通用技術(shù)條件GB/T 17722—1999　金覆蓋層厚度的掃描電鏡測量方法GB/T 18295—2001  油氣儲層砂巖樣品掃描電子顯微鏡分析方法GB/T 18735—2002  分析電鏡（AEM/EDS）納米薄標(biāo)樣通用規(guī)范GB/T 18873—2008  生物薄試樣的透射電子顯微鏡一X射線能譜定量分析通則GB/T 18907—2002　透射電子顯微鏡選區(qū)電子衍射分析方法GB/T 19499—2004　表面化學(xué)分析數(shù)據(jù)傳輸格式GB/T 19500—2004　X射線光電子能譜分析方法通則GB/T 19501—2004  電子背散射衍射分析方法通則GB/T 19502—2004　表面化學(xué)分析　輝光放電發(fā)射光譜方法通則GB/T 20175—2006  表面化學(xué)分析  濺射深度剖析  用層狀膜系為參考物質(zhì)的優(yōu)化方法GB/T 20176—2006  表面化學(xué)分析  二次離子質(zhì)譜　用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度GB/T 20307—2006  納米級長度的掃描電鏡測量方法通則GB/T 20724—2006  薄晶體厚度的會聚束電子衍射測定方法GB/T 20725—2006　波譜法定性點(diǎn)分析電子探針顯微分析導(dǎo)則GB/T 20726—2006　半導(dǎo)體探測器X射線能譜儀通則GB/T 21006—2007  表面化學(xué)分析  X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀  強(qiáng)度標(biāo)的線性GB/T 21007—2007　表面化學(xué)分析　信息格式GB/T 21636—2008　微束分析  電子探針顯微分析（EPMA）  術(shù)語GB/T 21637—2008　冠狀病毒透射電子顯微鏡形態(tài)學(xué)鑒定方法68/T 21638—2008　鋼鐵材料缺陷電子束顯微分析方法通則GB/T 22461—2008　表面化學(xué)分析　詞匯GB/T 22462—2008　鋼表面納米、亞微米尺度薄膜　元素深度分布的定量測定  輝光放電原子發(fā)射光譜法GB/T 22571—2008  表面化學(xué)分析  X射線光電子能譜儀  能量標(biāo)尺的校準(zhǔn)GB/T 22572—2008  表面化學(xué)分析  二次離子質(zhì)譜  用多δ層參考物質(zhì)評估深度分辨參數(shù)的方法

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