CMOS數(shù)字集成電路

內(nèi)容概要

　 本書詳細講述了CMOS數(shù)字集成電路，反映了現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展水平，提供了電路設計的最新資料。本書共有十五章。前八章詳細討論了MOS晶體管的相關(guān)特性和工作原理、基本反相器電路設計、組合邏輯電路及時序邏輯電路的結(jié)構(gòu)與工作原理；第9章介紹應用于先進VLSI芯片設計的動態(tài)邏輯電路；第10章介紹先進的半導體存儲電路；第11章介紹低功耗CMOS邏輯電路；第12章介紹雙極型晶體管基本原理和BiCMOS數(shù)字電路設計；第13章詳細介紹芯片的I/O設計；第14章和第15章分別討論電路的可制造性設計和可測試性設計這兩個重要問題。    本書是現(xiàn)代數(shù)字集成電路設計的理想教材和參考書?？晒┡c集成電路設計領(lǐng)域有關(guān)的各電類專業(yè)的本科生和研究生使用，也可供從事集成電路設計、數(shù)字系統(tǒng)設計和VLSI設計等領(lǐng)域的工程師參考。

作者簡介

宋莫康，加州大學伯克利分校獲得電子工程博士學位。目前在巴斯肯工學院（Baskin school of engineering ）任系主任，兼任圣克魯斯加州大學（University of california santa cruz）電子工程系教授。他還是IEEE超大規(guī)模集成電路（VLSI）系統(tǒng)學報的總編輯及創(chuàng)刊人，IEEE及諸

書籍目錄

第1章 概論　1.1 發(fā)展歷史　1.2 本書的目標和結(jié)構(gòu)　1.3 電路設計舉例　1.4 VLSI設計方法綜述　1.5 VLSI設計流程　1.6 設計分層　1.7 規(guī)范化、模塊化和本地化的概念　1.8 VLSI的設計風格　1.9 設計質(zhì)量　1.10 封裝技術(shù)　1.11 計算機輔助設計技術(shù)　1.12 習題第2章 MOS場效應管的制造　2.1 引言 　　2.2 制造工藝的基本步驟　2.3 CMOS n阱工　2.4 版圖設計規(guī)劃　2.5 全定制掩膜版圖設計　2.6 習題第3章 MOS日體管　3.1 金屬-氧化物-半導體（MOS）結(jié)構(gòu)　3.2 外部偏置上下的MOS系統(tǒng)　3.3 MOS場效應管（MOSFET）的結(jié)構(gòu)和作用　3.4 MOSFET的電流-電壓特性　3.5 MOSFET的收容和不尺寸效應　3.6 MOSFET電容　3.7 習題第4章 用SPICE進行MOS管建?！?.1 概述　4.2 基本概念　4.3 一級模型方程　4.4 二級模型方程　4.5 三維模型方程　4.6 選進的MOSFT模型　　4.7 電容模型　4.8 SPICE　MOSFET模型的比較　4.9 附錄　4.10 習題第5章 MOS反相器的靜態(tài)特性　5.1 概述　5.2 電阻負載型反相器　5.3 n型MOSFET負載反相器　5.4 CMOS反相器　5.5 習題第6章 MOS反相器的開關(guān)特性和體效應　6.1 概論　6.2 延遲時間的定義　6.3 延遲時間的計算　6.4 延遲限制下的反相器設計　6.5 互連線電容的估算　6.6 互連線延遲的計算　6.7 CMOS反相器的開關(guān)功耗　6.8 附錄　6.9 習題第7章 組合MOS邏輯電路　7.1 概述　7.2 帶耗盡型nMOS負載的MOS邏輯電路　7.3 CMOS邏輯電路　7.4 復合邏輯電路　7.5 CMOS傳輸門　7.6 習題第8章 時序MOS邏輯電路第9章 動態(tài)邏輯電路第10章 半導體存儲器第11章 低功耗CMOS邏輯電路第12章 BICMOS邏輯電路第13章 芯片輸入輸出電路第14章 產(chǎn)品化設計第15章 可測性設計參考文獻

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