半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)

前言

　　2001年7月間，電子工業(yè)出版社的領(lǐng)導(dǎo)同志邀請各高校十幾位通信領(lǐng)域方面的老師，商量引進國外教材問題。與會同志對出版社提出的計劃十分贊同，大家認為，這對我國通信事業(yè)、特別是對高等院校通信學(xué)科的教學(xué)工作會很有好處?！　〗滩慕ㄔO(shè)是高校教學(xué)建設(shè)的主要內(nèi)容之一。編寫、出版一本好的教材，意味著開設(shè)了一門好的課程，甚至可能預(yù)示著一個嶄新學(xué)科的誕生。20世紀40年代MIT林肯實驗室出版的一套28本雷達叢書，對近代電子學(xué)科、特別是對雷達技術(shù)的推動作用，就是一個很好的例子?！　∥覈I(lǐng)導(dǎo)部門對教材建設(shè)一直非常重視。20

內(nèi)容概要

　　本書是一本微電子技術(shù)方面的入門書籍，全面介紹了半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)知識。全書分為三個部分共19章，首先介紹了半導(dǎo)體基礎(chǔ)，講解了半導(dǎo)體物理方面的相關(guān)知識以及半導(dǎo)體制備工藝方面的基本概念。書中闡述了pn結(jié)、雙極結(jié)型晶體管（BJT）和其他結(jié)型器件的基本物理特性，并給出了相關(guān)特性的定性與定量分析。最后，作者討論了場效應(yīng)器件，除了講解基礎(chǔ)知識之外，還分析了小尺寸器件相關(guān)的物理問題，并介紹了一些新型場效應(yīng)器件。全書內(nèi)容豐富、層次分明，兼顧了相關(guān)知識的深度與廣度，系統(tǒng)講解了解決實際器件問題所必需的分析工具，并且提供了大量利用計算機實現(xiàn)的練習(xí)與習(xí)題。    本書可作為微電子專業(yè)的本科生及研究生的教材或參考書，也是該領(lǐng)域工程技術(shù)人員的寶貴參考資料。

作者簡介

Robert F.Pierret是美國普度大學(xué)電子與計算機工程學(xué)院的教授，1970年成為普度大學(xué)的教師并管理本科生的半導(dǎo)體量實驗室。近年來Pierret教授在擔(dān)任電子計算機工程課程委員會主席期間，對課程建設(shè)提出了一種提高總體質(zhì)量的革新方法。Pierret教授還是Addison-Wesley出版的固

書籍目錄

第一部分  半導(dǎo)體基礎(chǔ)  第1章  半導(dǎo)體概要    1.1  半導(dǎo)體材料的特性     1.2  晶體結(jié)構(gòu)    1.3  晶體的生長    1.4  小結(jié)  習(xí)題  第2章  載流子模型    2.1  量子化概念    2.2  半導(dǎo)體模型    2.3  載流子的特性    2.4  狀態(tài)和載流子分布    2.5  平衡載流子濃度    2.6  小結(jié)  習(xí)題  第3章  載流子輸運    3.1  漂移    3.2  擴散    3.3  復(fù)合-產(chǎn)生    3.4  狀態(tài)方程    3.5  補充的概念    3.6  小結(jié)  習(xí)題  第4章  器件制備基礎(chǔ)    4.1  制備過程    4.2  器件制備實例    4.3  小結(jié)  第一部分補充讀物和復(fù)習(xí)    可選擇的/補充的閱讀資料列表    圖的出處/引用的參考文獻    術(shù)語復(fù)習(xí)一覽表    第一部分—復(fù)習(xí)題和答案第二部分A  pn結(jié)二極管  第5章  pn結(jié)的靜電特性    5.1  前言    5.2  定量的靜電關(guān)系式    5.3  小結(jié)  習(xí)題  第6章  pn結(jié)二極管：I-V特性    6.1  理想二極管方程    6.2  與理想情況的偏差    6.3  一些需要特別考慮的因素    6.4  小結(jié)  習(xí)題  第7章  pn結(jié)二極管：小信號導(dǎo)納    7.1  引言    7.2  反向偏置結(jié)電容    7.3  正向偏置擴散導(dǎo)納    7.4  小結(jié)  習(xí)題  第8章  pn結(jié)二極管：瞬態(tài)響應(yīng)    8.1  瞬態(tài)關(guān)斷特性    8.2  瞬態(tài)開啟特性    8.3  小結(jié)  習(xí)題  第9章  光電二極管第二部分B  BJT和其他結(jié)型器件  第10章  BJT 基礎(chǔ)知識  第11章  BJT靜態(tài)特性    第12章  BJT動態(tài)響應(yīng)模型  第13章  PNPN器件  第14章  MS接觸和肖特基二極管  第二部分補充讀物和復(fù)習(xí)    可選擇的/補充的閱讀資料列表    圖的出處 / 引用的參考文獻    術(shù)語復(fù)習(xí)一覽表    第二部分—復(fù)習(xí)題和答案第三部分  場效應(yīng)器件  第15章  場效應(yīng)導(dǎo)言—J-FET和MESFET  第16章  MOS結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)  第17章  MOSFET器件基礎(chǔ)  第18章  非理想MOS  第19章  現(xiàn)代場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)  第三部分補充讀物和復(fù)習(xí)    可選擇的/補充的閱讀資料列表    圖的出處/引用的參考文獻    術(shù)語復(fù)習(xí)一覽表  第三部分—復(fù)習(xí)題和答案附錄A  量子力學(xué)基礎(chǔ)附錄B  MOS半導(dǎo)體靜電特性—精確解附錄C  MOS C -V補充附錄D  MOS I -V補充附錄E  符號表附錄F  MATLAB程序源代碼

編輯推薦

　　計算機輔助練習(xí)和課后習(xí)題將使一些單調(diào)枯燥的工作變?yōu)楦咛魬?zhàn)性的、更為實際的問題；補充讀物和復(fù)習(xí)章節(jié)包含了大量的復(fù)習(xí)術(shù)語、用于測驗的復(fù)習(xí)題和答案，并詳細列出了可選擇的/補充的閱讀資料列表；設(shè)計了一些只讀章節(jié)，這些章節(jié)中有關(guān)概念分析的內(nèi)容很少，主要是為了在內(nèi)容講解的節(jié)奏上有所變化，為讀者提供感興趣的資料及相關(guān)信息；在每章末尾的習(xí)題信息表中，列出了習(xí)題所對應(yīng)的閱讀章節(jié)、難度水平及建議分值。在開始的幾章中以表格形式對一些關(guān)鍵性公式進行了總結(jié)，并且直接使用了一些器件的測量數(shù)據(jù)及通過計算機獲得的相關(guān)圖形。		　　

圖書封面

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