半導體物理學

內容概要

本書較全面地論述了半導體物理的基礎知識。全書共13章，主要內容為：半導體的晶格結構和電子狀態(tài)；雜質和缺陷能級；載流子的統(tǒng)計分布；載流子的散射及電導問題；非平衡載流子的產生、復合及其運動規(guī)律；半導體的表面和界面——包括pn結、金屬半導體接觸、半導體表面及MIS結構、半導體異質結；半導體的光、熱、磁、壓阻等物理現(xiàn)象和非晶半導體。?    本書可作為工科電子信息類微電子技術、半導體器件專業(yè)學生的教材，也可供從事相關專業(yè)的科技人員參考。

書籍目錄

主要參數(shù)符號表?第1章  半導體中的電子狀態(tài)  1.1  半導體的晶格結構和結合性質    1.1.1  金剛石型結構和共價鍵   ?    1.1.2  閃鋅礦型結構和混合鍵?    1.1.3  纖鋅礦型結構?  1.2  半導體中的電子狀態(tài)和能帶    1.2.1  原子的能級和晶體的能帶    1.2.2  半導體中電子的狀態(tài)和能帶    1.2.3  導體、半導體、絕緣體的能帶  1.3  半導體中電子的運動  有效質量?    1.3.1  半導體中E(k)與k的關系?    1.3.2  半導體中電子的平均速度?    1.3.3  半導體中電子的加速度?    1.3.4  有效質量的意義?  1.4  本征半導體的導電機構空穴  1.5  回旋共振    1.5.1  k空間等能面    1.5.2  回旋共振?  1.6  硅和鍺的能帶結構    1.6.1  硅和鍺的導帶結構    1.6.2  硅和鍺的價帶結構?  1.7  Ⅲ?Ⅴ族化合物半導體的能帶結構    1.7.1  銻化銦的能帶結構?    1.7.2  砷化鎵的能帶結構??    1.7.3  磷化鎵和磷化銦的能帶結構    1.7.4  混合晶體的能帶結構?  1.8  Ⅱ?Ⅵ族化合物半導體的能帶結構    1.8.1  二元化合物的能帶結構?    1.8.2  混合晶體的能帶結構  1.9  Si1-x Ge x合金的能帶  1.10  寬禁帶半導體材料    1.10.1  SiC的晶格結構與能帶    1.10.2  GaN，AIN的晶格結構與能帶    習題    參考資料第2章  半導體中雜質和缺陷能級  2.1  硅、鍺晶體中的雜質能級    2.1.1  替位式雜質  間隙式雜質    2.1.2  施主雜質、施主能級?    2.1.3  受主雜質、受主能級?    2.1.4  淺能級雜質電離能的簡單計算?    2.1.5  雜質的補償作用    2.1.6  深能級雜質?  2.2  Ⅲ?Ⅴ族化合物中的雜質能級    2.3  缺陷、位錯能級    2.3.1  點缺陷?    2.3.2  位錯?    習題?    參考資料第3章  半導體中載流子的統(tǒng)計分布  3.1  狀態(tài)密度    3.1.1  k空間中量子態(tài)的分布    3.1.2  狀態(tài)密度  3.2  費米能級和載流子的統(tǒng)計分布    3.2.1  費米分布函數(shù)?    3.2.2  玻耳茲曼分布函數(shù)    3.2.3  導帶中的電子濃度和價帶中的空穴濃度    3.2.4  載流子濃度乘積n0p0?  3.3  本征半導體的載流子濃度  3.4  雜質半導體的載流子濃度    3.4.1  雜質能級上的電子和空穴    3.4.2  n型半導體的載流子濃度  3.5  一般情況下的載流子統(tǒng)計分布  3.6  簡并半導體    3.6.1  簡并半導體的載流子濃度?    3.6.2  簡并化條件    3.6.3  低溫載流子凍析效應    3.6.4  禁帶變窄效應??*3.7  電子占據雜質能級的概率    3.7.1  求解統(tǒng)計分布函數(shù)?    習題    參考資料第4章  半導體的導電性第5章  非平衡載流子?第6章  pn結第7章  金屬和半導體的接觸第8章  半導體表面與MIS結構第9章  半導體異質結構第10章  半導體的光學性質和光電與發(fā)光現(xiàn)象第11章  半導體的熱電性質第12章  半導體磁和壓阻效應第13章  非晶態(tài)半導體附錄A  常用物理常數(shù)和能量表達變換表附錄B  半導體材料物理性質表參考文獻

圖書封面

圖書標簽Tags

無

評論、評分、閱讀與下載

---

    半導體物理學 PDF格式下載

---