半導(dǎo)體物理學(xué)

內(nèi)容概要

本書較全面地論述了半導(dǎo)體物理的基礎(chǔ)知識。全書共13章，主要內(nèi)容為：半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和電子狀態(tài)；雜質(zhì)和缺陷能級；載流子的統(tǒng)計(jì)分布；載流子的散射及電導(dǎo)問題；非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合及其運(yùn)動規(guī)律；半導(dǎo)體的表面和界面——包括pn結(jié)、金屬半導(dǎo)體接觸、半導(dǎo)體表面及MIS結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)；半導(dǎo)體的光、熱、磁、壓阻等物理現(xiàn)象和非晶半導(dǎo)體。?    本書可作為工科電子信息類微電子技術(shù)、半導(dǎo)體器件專業(yè)學(xué)生的教材，也可供從事相關(guān)專業(yè)的科技人員參考。

書籍目錄

主要參數(shù)符號表?第1章  半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)  1.1  半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)    1.1.1  金剛石型結(jié)構(gòu)和共價鍵   ?    1.1.2  閃鋅礦型結(jié)構(gòu)和混合鍵?    1.1.3  纖鋅礦型結(jié)構(gòu)?  1.2  半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶    1.2.1  原子的能級和晶體的能帶    1.2.2  半導(dǎo)體中電子的狀態(tài)和能帶    1.2.3  導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體的能帶  1.3  半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動  有效質(zhì)量?    1.3.1  半導(dǎo)體中E(k)與k的關(guān)系?    1.3.2  半導(dǎo)體中電子的平均速度?    1.3.3  半導(dǎo)體中電子的加速度?    1.3.4  有效質(zhì)量的意義?  1.4  本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)空穴  1.5  回旋共振    1.5.1  k空間等能面    1.5.2  回旋共振?  1.6  硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)    1.6.1  硅和鍺的導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)    1.6.2  硅和鍺的價帶結(jié)構(gòu)?  1.7  Ⅲ?Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)    1.7.1  銻化銦的能帶結(jié)構(gòu)?    1.7.2  砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)??    1.7.3  磷化鎵和磷化銦的能帶結(jié)構(gòu)    1.7.4  混合晶體的能帶結(jié)構(gòu)?  1.8  Ⅱ?Ⅵ族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)    1.8.1  二元化合物的能帶結(jié)構(gòu)?    1.8.2  混合晶體的能帶結(jié)構(gòu)  1.9  Si1-x Ge x合金的能帶  1.10  寬禁帶半導(dǎo)體材料    1.10.1  SiC的晶格結(jié)構(gòu)與能帶    1.10.2  GaN，AIN的晶格結(jié)構(gòu)與能帶    習(xí)題    參考資料第2章  半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級  2.1  硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級    2.1.1  替位式雜質(zhì)  間隙式雜質(zhì)    2.1.2  施主雜質(zhì)、施主能級?    2.1.3  受主雜質(zhì)、受主能級?    2.1.4  淺能級雜質(zhì)電離能的簡單計(jì)算?    2.1.5  雜質(zhì)的補(bǔ)償作用    2.1.6  深能級雜質(zhì)?  2.2  Ⅲ?Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級    2.3  缺陷、位錯能級    2.3.1  點(diǎn)缺陷?    2.3.2  位錯?    習(xí)題?    參考資料第3章  半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布  3.1  狀態(tài)密度    3.1.1  k空間中量子態(tài)的分布    3.1.2  狀態(tài)密度  3.2  費(fèi)米能級和載流子的統(tǒng)計(jì)分布    3.2.1  費(fèi)米分布函數(shù)?    3.2.2  玻耳茲曼分布函數(shù)    3.2.3  導(dǎo)帶中的電子濃度和價帶中的空穴濃度    3.2.4  載流子濃度乘積n0p0?  3.3  本征半導(dǎo)體的載流子濃度  3.4  雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度    3.4.1  雜質(zhì)能級上的電子和空穴    3.4.2  n型半導(dǎo)體的載流子濃度  3.5  一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布  3.6  簡并半導(dǎo)體    3.6.1  簡并半導(dǎo)體的載流子濃度?    3.6.2  簡并化條件    3.6.3  低溫載流子凍析效應(yīng)    3.6.4  禁帶變窄效應(yīng)??*3.7  電子占據(jù)雜質(zhì)能級的概率    3.7.1  求解統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)?    習(xí)題    參考資料第4章  半導(dǎo)體的導(dǎo)電性第5章  非平衡載流子?第6章  pn結(jié)第7章  金屬和半導(dǎo)體的接觸第8章  半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)第9章  半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)第10章  半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)和光電與發(fā)光現(xiàn)象第11章  半導(dǎo)體的熱電性質(zhì)第12章  半導(dǎo)體磁和壓阻效應(yīng)第13章  非晶態(tài)半導(dǎo)體附錄A  常用物理常數(shù)和能量表達(dá)變換表附錄B  半導(dǎo)體材料物理性質(zhì)表參考文獻(xiàn)

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