半導體器件電子學

內(nèi)容概要

全書分5章，內(nèi)容包括現(xiàn)代電子學基礎、半導體體特性、PN結(jié)、雙極結(jié)型晶體管（BJT）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）等半導體器件電子學中最基本、最經(jīng)典的內(nèi)容。從電荷、電場開始，循序漸漸地講解半導體體特性、器件理論，最后深入分析兩類最基本的晶體管（BJT和MOSFET）并對其性能作比較，本書還特別強調(diào)SPICE分析方法。這些內(nèi)容和講述方法在國內(nèi)同類書籍中并不多見。
    本書在正式出版之間，作者已用它在美國明尼蘇達大學電機工程系講授多年。書中吸收了作者的教學經(jīng)驗及學生們的意見，內(nèi)容精心安排，文字敘述簡潔，公式推導準確易懂，圖例說明清晰，并包含大量的習題解答，使本書非常適用于教學；每章后面的小結(jié)、復習要點與習題便于讀者更好地理解、掌握有關的基本概念，并能將其靈活運用到工程實踐中。

書籍目錄

第1章 現(xiàn)代電子學基礎第2章 半導體體特性第3章 PN結(jié)第4章 雙極結(jié)型晶體管（BJT）第5章 金屬氧化物半導體效應晶體管

圖書封面

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無

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