出版時間:2002年01月 出版社:電子工業(yè)出版社 作者:Grung 頁數(shù):905
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內(nèi)容概要
全書分5章,內(nèi)容包括現(xiàn)代電子學(xué)基礎(chǔ)、半導(dǎo)體體特性、PN結(jié)、雙極結(jié)型晶體管(BJT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)等半導(dǎo)體器件電子學(xué)中最基本、最經(jīng)典的內(nèi)容。從電荷、電場開始,循序漸漸地講解半導(dǎo)體體特性、器件理論,最后深入分析兩類最基本的晶體管(BJT和MOSFET)并對其性能作比較,本書還特別強調(diào)SPICE分析方法。這些內(nèi)容和講述方法在國內(nèi)同類書籍中并不多見。
本書在正式出版之間,作者已用它在美國明尼蘇達(dá)大學(xué)電機(jī)工程系講授多年。書中吸收了作者的教學(xué)經(jīng)驗及學(xué)生們的意見,內(nèi)容精心安排,文字?jǐn)⑹龊啙?,公式推?dǎo)準(zhǔn)確易懂,圖例說明清晰,并包含大量的習(xí)題解答,使本書非常適用于教學(xué);每章后面的小結(jié)、復(fù)習(xí)要點與習(xí)題便于讀者更好地理解、掌握有關(guān)的基本概念,并能將其靈活運用到工程實踐中。
書籍目錄
第1章 現(xiàn)代電子學(xué)基礎(chǔ)第2章 半導(dǎo)體體特性第3章 PN結(jié)第4章 雙極結(jié)型晶體管(BJT)第5章 金屬氧化物半導(dǎo)體效應(yīng)晶體管
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