微電子工藝基礎(chǔ)

內(nèi)容概要

為了使相關(guān)讀者更深入了解掌握微電子工藝技術(shù)的原理，本書前部分主要介紹了集成電路制備工藝中有關(guān)的物理、化學(xué)知識，第4章至第10章是全書重點(diǎn)，介紹了工藝過程、工藝設(shè)備以及IC制備中的新技術(shù)、新方法。全書共分10章，主要內(nèi)容涉及半導(dǎo)體硅材料及化合物的化學(xué)性質(zhì)，高純水的制備，清洗技術(shù)，氧化、擴(kuò)散、刻蝕、制版、外延、金屬化處理、電子封裝等主要工藝的原理等。    本書可作為高等院校相關(guān)專業(yè)的教材，也可作為教師和研究生的參考用書，同時(shí)也能供廣大從事微電子相關(guān)領(lǐng)域的工程技術(shù)人員參考。

書籍目錄

1 硅材料及硅化合物化學(xué)性質(zhì)　1.1 硅單晶的化學(xué)性質(zhì)　1.2 硅化合物的化學(xué)性質(zhì)　1.3 高純硅制備的化學(xué)原理　參考文獻(xiàn)2 微電子技術(shù)中的高純水制備　2.1 天然水中的雜質(zhì)　2.2 微電子技術(shù)工程用水　2.3 離子交換法制備純水　2.4 電滲析法制備純水的原理　2.5 反滲透法制備純水的原理　參考文獻(xiàn)3 微電子技術(shù)中的化學(xué)清洗　3.1 晶片表面清洗的重要性　3.2 晶片清洗的基本理論和方法　3.3 顆粒吸附狀態(tài)分析及優(yōu)先吸附模型　3.4 表面活性劑在化學(xué)清洗中的應(yīng)用 　3.5 硅片清洗的常用方法與技術(shù)　3.6 清洗工藝設(shè)備和安全操作　3.7 溶液清洗技術(shù)的現(xiàn)狀和發(fā)展方向 　3.8 新型清洗技術(shù)　參考文獻(xiàn)4 氧化工藝技術(shù)　4.1 二氧化硅膜在器件中的作用 　4.2 二氧化硅的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)　4.3 二氧化硅膜制備的化學(xué)原理　4.4 二氧化硅一硅界面的物理性質(zhì)　4.5 二氧化硅玻璃中的雜質(zhì)　4.6 雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散　4.7 二氧化硅膜質(zhì)量的檢驗(yàn)　參考文獻(xiàn)5 擴(kuò)散工藝技術(shù)　5.1 擴(kuò)散原理與模型　5.2 常用擴(kuò)散雜質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)　5.3 擴(kuò)散分布的測量分析　參考文獻(xiàn)6 刻蝕工藝技術(shù)　6.1 濕法刻蝕　6.2 干法刻蝕　6.3 刻蝕技術(shù)新進(jìn)展　參考文獻(xiàn)7 制版工藝技術(shù)　7.1 制版工藝過程　7.2 超微粒干版制備的化學(xué)原理　7.3 鉻版制備技術(shù)　7.4 氧化鐵版制備的化學(xué)原理　參考文獻(xiàn)8 外延生長技術(shù)　8.1 硅外延技術(shù)在IC發(fā)展中的作用　8.2 硅外延生長的化學(xué)原理　8.3 外延生長動(dòng)力學(xué)　8.4 外延層中雜質(zhì)濃度分布　8.5 硅烷熱分解法外延與選擇外延　8.6 外延層上的缺陷及檢驗(yàn)　8.7 硅外延自摻雜效應(yīng)及控制　8.8 硅外延片滑移線產(chǎn)生及消除技術(shù)　8.9 硅外延生長的工藝優(yōu)化——反向補(bǔ)償法　參考文獻(xiàn)9 金屬化處理技術(shù)　9.1 化學(xué)氣相沉積金屬過程　9.2 物理氣相沉積金屬過程　9.3 電極制備　參考文獻(xiàn)10 電子封裝技術(shù)　10.1 封裝技術(shù)概述　10.2 陶瓷封裝 　10.3 塑料封裝 　10.4 封裝的化學(xué)原理　參考文獻(xiàn)

圖書封面

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