出版時(shí)間:2006-8 出版社:化學(xué)工業(yè)出版社 作者:鞠家欣 頁(yè)數(shù):178
內(nèi)容概要
全書(shū)主要介紹了三部分內(nèi)容。第一部分主要敘述芯片設(shè)計(jì)所必需的基礎(chǔ)知識(shí)、電路與布圖的預(yù)備知識(shí)、幾何規(guī)則、電氣規(guī)則與布圖風(fēng)格。第二部分主要討論邏輯與系統(tǒng)級(jí)的邏輯風(fēng)格,同步系統(tǒng)與自定時(shí)系統(tǒng)。第三部分把VH DL描述與邏輯、電路和物理實(shí)現(xiàn)聯(lián)系在一起,分析一些實(shí)例,并加入EDA工具設(shè)計(jì)范例,將整個(gè)設(shè)計(jì)過(guò)程連貫地串接起來(lái)。 本書(shū)適合于半導(dǎo)體器件專(zhuān)業(yè)人員和電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員閱讀,也可供微電子學(xué)、計(jì)算機(jī)科學(xué)、電氣工程等專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員參考。
書(shū)籍目錄
第1章 集成電路設(shè)計(jì)概述第2章 VLSI系統(tǒng)設(shè)計(jì)策略 2.1 設(shè)計(jì)策略 2.1.1 層次設(shè)計(jì) 2.1.2 自動(dòng)設(shè)計(jì) 2.2 設(shè)計(jì)表示 2.2.1 功能表示 2.2.2 結(jié)構(gòu)表示 2.2.3 幾何表示第3章 器件設(shè)計(jì)技術(shù) 3.1 p-n結(jié)與半導(dǎo)體器件 3.2 MOS晶體管及其特性 3.2.1 MOS器件的設(shè)計(jì)方程 3.2.2 MOS管的U?I特性 3.3 雙極晶體管及其特性 3.3.1 工作特性 3.3.2 雙極晶體管特性 3.4 CMOS晶體管第4章 一般邏輯電路設(shè)計(jì) 4.1 偽nMOS邏輯 4.2 傳輸管邏輯 4.3 CMOS邏輯門(mén)第5章 動(dòng)態(tài)邏輯電路設(shè)計(jì) 5.1 基本動(dòng)態(tài)CMOS邏輯 5.2 CMOS多米諾邏輯第6章 時(shí)鐘策略和I/O電路 6.1 單相時(shí)鐘 6.1.1 外部時(shí)鐘 6.1.2 內(nèi)部時(shí)鐘 6.2 雙相時(shí)鐘 6.2.1 產(chǎn)生方法 6.2.2 設(shè)計(jì)方法 6.3 四相時(shí)鐘 6.4 自定時(shí)系統(tǒng)第7章 子系統(tǒng)設(shè)計(jì)第8章 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)化設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)方法第9章 數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)自動(dòng)化參考文獻(xiàn)
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