納米半導(dǎo)體技術(shù)

出版時間:2006-4  出版社:化學(xué)工業(yè)出版社  作者:王占國  頁數(shù):391  字數(shù):333000  

內(nèi)容概要

本書共分八章。在簡要介紹了納米半導(dǎo)體材料的定義、性質(zhì)及其在未來信息技術(shù)中的地位的同時,主要介紹了納米半導(dǎo)體材料制備的方法和共性關(guān)鍵技術(shù),幾種常用的納米半導(dǎo)體材料的評價技術(shù)和應(yīng)變自組裝半導(dǎo)體量子點(線)的尺寸、密度分布、形貌、組分及結(jié)構(gòu)特性的實驗研究,納米半導(dǎo)體材料的電子結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)性質(zhì),基于子帶躍遷的量子級聯(lián)激光器的工作原理、特性和它的發(fā)展現(xiàn)狀及其應(yīng)用前景分析,最后重點介紹了納米半導(dǎo)體器件及應(yīng)用。     本書適合于從事或?qū){米半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)有興趣的科研工作者、教師、研究生、本科生和工程技術(shù)人員閱讀,有些章節(jié)可作為科普讀物。

書籍目錄

第1章 緒論 1.1 納米半導(dǎo)體材料的定義 1.2 納米半導(dǎo)體材料的基本特性 1.3 納米半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)材料的制備技術(shù) 1.4 納米半導(dǎo)體材料的評價技術(shù) 1.5 納米半導(dǎo)體量子器件 1.6 納米半導(dǎo)體材料和量子器件研究存在問題和發(fā)展趨勢 參考文獻第2章 納米半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)材料的制備 2.1 外延生長基本原理 2.2 外延生長技術(shù) 2.3 納米半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)材料的生長制備方法 2.4 應(yīng)變自組裝In(Ga)As/GaAs量子點的生長原理 2.5 量子點的可控生長技術(shù) 參考文獻第3章 納米半導(dǎo)體材料的評價技術(shù)與特性檢測 3.1 納米半導(dǎo)體材料的評價技術(shù) 3.2 納米半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)特性的檢測 參考文獻第4章 納米半導(dǎo)體材料的電子能級結(jié)構(gòu) 4.1 半導(dǎo)體體材料的能帶結(jié)構(gòu) 4.2 理想低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電子態(tài) 4.3 應(yīng)變自組裝In(Ga)As/GaAs量子點的電子態(tài) 參考文獻第5章 納米半導(dǎo)體材料的光學(xué)性質(zhì) 5.1 量子尺寸效應(yīng) 5.2 單量子點光譜 5.3 外場作用下量子點的光學(xué)性質(zhì) 5.4 量子點中載流子弛豫與聲子  5.5?、蛐土孔狱c 5.6 量子點帶內(nèi)躍遷 5.7 微腔中量子點的光學(xué)性質(zhì) 參考文獻第6章 納米半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)材料的電學(xué)性質(zhì) 6.1 量子點的電學(xué)輸運性質(zhì) 6.2 磁場中量子點的輸運性質(zhì)——近藤效應(yīng) 6.3 光譜燒孔效應(yīng) 參考文獻第7章 量子級聯(lián)激光器材料與器件 7.1 半導(dǎo)體激光器發(fā)展的簡要回顧 7.2 量子級聯(lián)激光器的發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢 7.3 量子級聯(lián)激光器的工作原理 7.4 量子級聯(lián)激光器的結(jié)構(gòu)與特性 7.5 量子級聯(lián)激光器的應(yīng)用 7.6 量子級聯(lián)激光器研究的新進展 參考文獻第8章 半導(dǎo)體納米器件及其應(yīng)用 8.1 量子點激光器 8.2 量子點超輻射發(fā)光管 8.3 量子點紅外探測器 8.4 量子點存儲器件 8.5 量子點單光子光源和單光子探測器 8.6 量子點光放大器和量子點光調(diào)制器 8.7 量子點條形碼和生物成像 8.8 自旋極化量子點發(fā)光管 8.9 庫侖阻塞效應(yīng)和單電子器件 8.10 量子點網(wǎng)絡(luò)自動機 參考文獻

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