中國材料工程大典（第11卷）

內(nèi)容概要

中國材料工程大典是中國機(jī)械中國材料工程大典是中國機(jī)械工程學(xué)會和中國材料研究學(xué)會共同組織全國39位院士、百余位學(xué)科帶頭人、千余位材料工程專家共同執(zhí)筆編寫，全面反映當(dāng)今國內(nèi)外材料工程領(lǐng)域發(fā)展的最新成果，集實用性、先進(jìn)性和權(quán)威性于一體的大型綜合性工具書。中國材料工程大典包括材料工程基礎(chǔ)、鋼鐵材料工程、有色金屬材料工程、高分子材料工程、無機(jī)非金屬材料工程、復(fù)合材料工程、信息功能材料工程、粉末冶金材料工程、材料熱處理工程、材料表面工程、材料鑄造成形工程、材料塑性成形工程、材料焊接工程、材料特性加工成形工程、材料表征與測技術(shù)等內(nèi)容，涵蓋了材料工程的各個領(lǐng)域，將最新的產(chǎn)用數(shù)據(jù)（特別是與國際接軌的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)）、圖表與先進(jìn)實用的科研成果系統(tǒng)地集合起來，并附有應(yīng)用實例，充分展示了材料工程各領(lǐng)域的現(xiàn)狀和未來。中國材料工程大典不僅可以滿足現(xiàn)代企業(yè)正確選材，合理用材，應(yīng)用先進(jìn)的材料成形加工技術(shù)，提高產(chǎn)品質(zhì)量和性能，降低產(chǎn)品成本，增強(qiáng)產(chǎn)品市場競爭力的需要，而且對推動中國材料科學(xué)與材料成形加工技術(shù)的不斷創(chuàng)新，促進(jìn)制造業(yè)的發(fā)展，提高我國制造業(yè)的競爭能力，具有重要的現(xiàn)實意義。 　　本書為第11卷，無機(jī)非金屬材料工程（上），主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體材、集成電路制造技術(shù)、硅基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料和器件、化合物半導(dǎo)體材料、寬帶隙半導(dǎo)體及其應(yīng)用等?！　”緯饕阌写髮Ｒ陨衔幕?，從事材料工程研究的工程技術(shù)人員在綜合研究和處理無機(jī)非金屬材料工程的各類技術(shù)問題時使用，起備查、提示和啟發(fā)的作用，也可供研究人員、理工院校的有關(guān)師生參考。

作者簡介

王占國，院士，中國科學(xué)院院士，中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員。

書籍目錄

第1篇 概論   第1章 信息功能材料在信息技術(shù)中的戰(zhàn)略地位   第2章 信息功能材料的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢   參考文獻(xiàn)第2篇 半導(dǎo)體硅材料  第1章 概述   第2章 硅單晶的制備   第3章 硅晶體的機(jī)械性質(zhì)   第4章 硅晶體表面性質(zhì)   第5章 硅晶體的腐蝕   第6章 硅晶片加工工藝  第7章 硅單晶的缺陷   第8章 硅單晶中輕元素雜質(zhì)   第9章 硅單晶中的過渡族金屬雜質(zhì)和吸雜   第10章 其它硅材料   第11章 硅材料的發(fā)光  參考文獻(xiàn)第3篇 集成電路制造技術(shù)   第1章 集成電路設(shè)計技術(shù)   第2章 微細(xì)加工技術(shù)   第3章 集成電路工藝技術(shù)   第4章 CMOS器件及電路制造技術(shù)   第5章 雙極型器件及電路制造技術(shù)   第6章 半導(dǎo)體功率器件及電路   第7章 化合物半導(dǎo)體器件和電路   第8章 集成電路封裝技術(shù)   參考文獻(xiàn)第4篇 硅基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料和器件   第1章 概論   第2章 SiGe的晶體結(jié)構(gòu)   第3章 SiGe的能帶結(jié)構(gòu)   第4章 SiGe的力學(xué)性質(zhì)、熱學(xué)性質(zhì)和Raman光譜   第5章 SiGe的電學(xué)性質(zhì)和磁學(xué)性質(zhì)   第6章 SiGe的光學(xué)性質(zhì)   第7章 SiGe（001）的原子再構(gòu)和表面性質(zhì)   第8章 SiGeC/Si異質(zhì)結(jié)   第9章 硅基Ⅲ—Ⅴ族半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)   第10章 SOI材料和器件   第11章 硅基二氧化硅材料   第12章 Si基異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長   第13章 Si基異質(zhì)結(jié)構(gòu)電子器件   第14章 硅基光電子器件   參考文獻(xiàn)第5篇 化合物半導(dǎo)體材料   第1章 CaAs和InP的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)   第2章 GaAs和InP的制備   第3章 GaAs和InP中的雜質(zhì)和缺陷   第4章 GaAs和InP測試表征   第5章 GaAs和InP的應(yīng)用   第6章 其他常見化合物半導(dǎo)體材料   參考文獻(xiàn)第6篇 寬帶隙半導(dǎo)體及其應(yīng)用   第1章 導(dǎo)論   第2章 Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料   第3章 Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體基本物理性質(zhì)   第4章 Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體器件應(yīng)用   第5章 氧化鋅（ZnO）半導(dǎo)體   第6章 碳化硅半導(dǎo)體   第7章 金剛石半導(dǎo)體   第8章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體   第9章 寬禁帶稀釋磁性半導(dǎo)體材料 參考文獻(xiàn)

圖書封面

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