硅單晶拋光片的加工技術(shù)

內(nèi)容概要

本書在內(nèi)容上采取由淺入深的方式，在介紹半導(dǎo)體硅及集成電路有關(guān)知識的同時，簡單介紹半導(dǎo)體工業(yè)及國內(nèi)、國外半導(dǎo)體材料硅單晶、拋光片技術(shù)的發(fā)展和動態(tài)，重點(diǎn)闡述了硅單晶拋光片的加工制備技術(shù)，大直徑硅片的運(yùn)、載，硅單晶、拋光片的測試，潔凈室技術(shù)及三廢處理等內(nèi)容。并且，書中附有大量的圖、表等資料以供讀者參考。    本書可供致力于從事半導(dǎo)體材料硅技術(shù)工作的科技人員和從事半導(dǎo)體材料硅單晶、拋光片加工領(lǐng)域的專業(yè)工程技術(shù)人員、企業(yè)管理人員、工人閱讀，也可用作企業(yè)培訓(xùn)教材。

書籍目錄

第1章 概述　1.1 半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展　1.2 國外半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展的動態(tài)　　1.2.1 硅集成電路發(fā)展現(xiàn)狀　　1.2.2 硅集成電路今后的發(fā)展概況　　1.2.3 硅片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀　1.3 中國半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展第2章 硅的物理、化學(xué)及其半導(dǎo)體性質(zhì)　2.1 硅的基本物理、化學(xué)性質(zhì)　2.2 硅的半導(dǎo)體物理、化學(xué)性質(zhì)　　2.2.1 硅的晶體結(jié)構(gòu)　　2.2.2 硅的電學(xué)性質(zhì)　　2.2.3 硅的光學(xué)性質(zhì)　　2.2.4 硅的熱學(xué)性質(zhì)　　2.2.5 硅的機(jī)械性質(zhì)　　2.2.6 硅的化學(xué)性質(zhì)第3章 集成電路用硅單晶、拋光片的制備  3.1 集成電路對硅單晶、拋光片的技術(shù)要求  3.2 控制硅片質(zhì)量的相關(guān)主要特征參數(shù)及有關(guān)專用技術(shù)術(shù)語解釋  3.3 硅單晶的制備　　3.3.1 直拉單晶生長方法　　3.3.2 區(qū)熔單晶生長方法　3.4 硅單晶拋光片的制備　　3.4.1 硅單晶拋光片的制造工藝流程　　3.4.2 硅單晶棒的截?cái)唷　?.4.3 硅單晶棒的外圓磨削　　3.4.4 硅單晶片定位面加工　　3.4.5 硅晶棒表面的腐蝕　　3.4.6 硅切片　　3.4.7 硅片倒角　　3.4.8 硅片的雙面研磨或硅片的表面磨削　　3.4.9 硅片的腐蝕　　3.4.10 硅片的表面處理　　3.4.11 硅片的邊緣拋光　　3.4.12 硅片的表面拋光　　3.4.13 硅片的激光刻碼　　3.4.14 硅片清洗　　3.4.15 硅拋光片的潔凈包裝　　3.4.16 其他的硅晶片第4章 硅片的運(yùn)、載  4.1 氟塑料(TEFLON)的基本特性　4.2 半導(dǎo)體工業(yè)常用的塑料制品——硅片的運(yùn)、載花籃及包裝盒　4.3 硅拋光片的潔凈包裝　4.4 其他相關(guān)的工裝用具第5章 硅單晶、拋光片的測試　5.1 硅片主要機(jī)械加工參數(shù)的測量　5.2 硅單晶棒或晶片的晶向測量　5.3 導(dǎo)電類型（導(dǎo)電型號）的測量　5.4 電阻率及載流子濃度的測量　　　5.5 少子壽命測量　5.6 氧、碳濃度測量　5.7 硅的晶體缺陷測量　5.8 電子顯微鏡和其他超微量的分析技術(shù)第6章 潔凈室技術(shù)　6.1 概述　6.2 潔凈室空氣潔凈度等級及標(biāo)準(zhǔn)　6.3 潔凈室在半導(dǎo)體工業(yè)中適用范圍　6.4 潔凈室的設(shè)計(jì)　6.5 潔凈室的維護(hù)及管理第7章 半導(dǎo)體工廠的動力供給系統(tǒng)　7.1 電力供給系統(tǒng)　7.2 超純水系統(tǒng)　　7.2.1 半導(dǎo)體及IC工業(yè)對超純水的技術(shù)要求　　7.2.2 超純水的制備　7.3 高純化學(xué)試劑及高純氣體　　7.3.1 半導(dǎo)體工業(yè)用的高純化學(xué)試劑　　7.3.2 高純氣體　7.4 三廢（廢水、廢氣、廢物）處理系統(tǒng)及相關(guān)安全防務(wù)系統(tǒng)  參考文獻(xiàn)

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