微納電子器件

內(nèi)容概要

本書主要講述一些重要半導(dǎo)體器件的基本工作原理和特性，力求概念闡述清晰和理論聯(lián)系實(shí)際，同時盡可能反映出器件發(fā)展的動向。由于納米電子器件的飛速發(fā)展和未來潛在的重大作用，所以本書對此專門作為一個部分進(jìn)行了簡要的介紹。近年來，MEMS（微電子機(jī)械系統(tǒng)）器件的出現(xiàn)極大擴(kuò)展了微電子學(xué)領(lǐng)域研究的范疇，本書中簡要介紹了MEMS器件的主要特點(diǎn)和發(fā)展趨勢，希望拋磚引玉，能夠?qū)鴥?nèi)MEMS器件的發(fā)展起到一定作用；另外，由于計算機(jī)用于半導(dǎo)體器件分析、模擬和設(shè)計的重要性，所以我們也專門對此有關(guān)的內(nèi)容作了比較仔細(xì)的介紹。    本書可供研制微電子器件及其電路的科技人員參考，也可以供微電子本科生或研究生教學(xué)參考之用。

書籍目錄

第1章 p－n結(jié)二極管 1.1 p－n結(jié)及其空間電荷區(qū) 1.2 p－n結(jié)的耗盡層（勢壘）電容 1.3 p－n結(jié)的直流特性 1.4 p－n結(jié)的小信號特性 1.5 p－n結(jié)的開關(guān)特性 1.6 p－n結(jié)的擊穿特性 1.7 隧道二極管和反向二極管 1.8 異質(zhì)結(jié)二極管 1.9 Schottky二極管 1.10Ohm接觸 復(fù)習(xí)思考題 參考文獻(xiàn)第2章 雙極型晶體管（BJT） 2.1 BJT的基本工作原理 2.2 理想BJT的直流特性 2.3 實(shí)際BJT的直流特性 2.4 BJT的頻率特性 2.5 BJT的功率特性 2.6 BJT的開關(guān)特性 2.7 異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管（HBT） 2.8 晶閘管（Thyristor） 復(fù)習(xí)思考題 參考文獻(xiàn)第3章 場效應(yīng)晶體管（FET） 3.1 JFET的基本特性 3.2 JFET的直流參數(shù)和低頻小信號交流參數(shù) 3.3 JFET的頻率特性 3.4 短溝道JFET的特性 3.5 JFET的結(jié)構(gòu)舉例 3.6 砷化鎵金屬柵場效應(yīng)晶體管（GaAs?MESFET） 3.7 高電子遷移率晶體管（HEMT） 復(fù)習(xí)思考題 3.8 大尺寸MOSFET 3.9 小尺寸MOSFET 3.1 0SOI?MOSFET 復(fù)習(xí)思考題 參考文獻(xiàn)第4章 其他半導(dǎo)體器件 4.1 渡越時間器件（TTD） 4.2 轉(zhuǎn)移電子器件（TED） 復(fù)習(xí)思考題 參考文獻(xiàn)第5章 微電子器件的計算機(jī)輔助分析（CAA）和計算機(jī)輔助設(shè)計（CAD） 5.1 微電子器件的模型 5.2 微電子器件的計算機(jī)輔助分析（CAA） 5.3 微電子器件的CAD技術(shù) 5.4 微電子器件CAA和CAD技術(shù)的發(fā)展趨勢 參考文獻(xiàn)第6章 MEMS器件 6.1 MEMS技術(shù)現(xiàn)狀及前景 6.2 用于通信領(lǐng)域的MEMS器件 6.3 用于生化醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的MEMS器件 6.4 用于慣性測量的MEMS器件 6.5 幾種MEMS微執(zhí)行器 參考文獻(xiàn)第7章 納米器件簡介 7.1 納米器件工藝概論 7.2 納米體系中的電子波 7.3 電子波器件 7.4 單電子學(xué)——Coulomb阻塞效應(yīng) 7.5 單電子器件 7.6 納米集成電路概論 參考文獻(xiàn)

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